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公开(公告)号：CN102047398A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201080001751.5
申请日：2010-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/52 , C22C12/00 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/49513 , B23K1/0016 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/264 , B23K35/325 , B32B15/01 , C22C12/00 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2908 , H01L2224/29084 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083 , H01L2924/00015 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 在半导体元件(102)的表面(102b)配置晶格与以Bi为主要成分的接合材料(106)不同的金属的层(105)，并且在晶格与接合材料(106)不同的金属的所述层(105)和半导体元件(102)的表面(102b)之间配置与接合材料(106)的化合物生成热为正值的元素的层(104)，藉此防止晶格与接合材料(106)不同的金属的所述层(105)的成分向半导体元件(102)扩散。
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公开(公告)号：CN101431867B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200810174448.X
申请日：2008-11-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05K3/34
CPC classification number: H05K3/3436 , H01L24/16 , H01L2224/10175 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/30105 , H05K1/111 , H05K3/3452 , H05K3/3489 , H05K2201/09036 , H05K2201/09781 , H05K2201/09809 , H05K2201/0989 , H05K2201/10977 , Y02P70/611 , Y02P70/613
Abstract: 本发明涉及一种能够抑制焊剂的扩散、确保由底填料带来的电路基板与电子器件之间的连接强度、实现触点和端子之间的稳定的电连接的安装结构体。安装结构体由平板状的电子器件和电路基板构成，设在所述电子器件的下表面的多个触点、和与该多个触点对应地设在所述电路基板的安装面上的多个端子分别通过软焊料接合。此外，所述电路基板在所述多个端子中的至少1个端子的附近，具备用于容纳从所述软焊料中分离的焊剂的机构。
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公开(公告)号：CN101965632A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200980108264.6
申请日：2009-10-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49894 , H01L21/563 , H01L23/49816 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/10126 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13566 , H01L2224/16058 , H01L2224/16225 , H01L2224/73203 , H01L2224/812 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H05K3/3436 , H05K3/3452 , H05K3/3463 , H05K3/3484 , H05K2201/10977 , H05K2201/10992 , Y02P70/613 , H01L2924/01083 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105
Abstract: 半导体安装结构体中，具备：具有第1电极的半导体、具有第2电极的电路基板、在第1电极上形成的凸块、配置在凸块和第2电极之间且通过凸块将第1电极与第2电极电连接的接合构件、至少按照将凸块与接合构件的接合部分和接合构件覆盖的方式配置在各个接合构件的周围的增强树脂构件；各个增强树脂构件按照相邻的增强树脂构件之间不接触的方式相互分离地配置，同时以不与半导体接触的方式配置。由此，在半导体安装结构体中，能够提高连接部的抗冲击可靠性，同时容易进行半导体安装结构体的修理。
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公开(公告)号：CN101809740A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109758.1
申请日：2008-10-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H05K3/305 , H01L21/563 , H01L23/295 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06572 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/12044 , H01L2924/15151 , H01L2924/18301 , H05K2201/09036 , H05K2201/09072 , H05K2201/10545 , H05K2201/10674 , H05K2201/10734 , H05K2201/10977 , Y02P70/613 , Y10T29/49139 , H01L2924/00
Abstract: 电子部件安装构造体构成为具有：至少在第1面上安装有电子部件的布线基板；至少设置在电子部件与布线基板之间的树脂；以及设置在布线基板上的对应于电子部件的安装位置的区域中的多个孔，在孔中填充有树脂。由此，抑制了电子部件安装构造体的翘曲，并且缓解了布线基板与电子部件之间的接合部的应力，能够提高可靠性。
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公开(公告)号：CN101375298A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780002130.7
申请日：2007-02-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06K19/077 , G06K19/07 , H01Q1/38 , H01Q7/00
CPC classification number: H01Q1/22 , G06K19/07732 , G06K19/07749 , H01Q7/06 , H05K1/0218 , H05K1/144 , H05K1/148 , H05K1/16 , H05K2201/043 , H05K2201/086 , Y10T29/4913
Abstract: 一种卡型信息装置(1)，包括：(10)配线基板，其具有在一方的面上安装有电子部件的配线图形和天线连接电极；天线基板(15)，其在一方的面上形成有具有天线端子电极(13)的天线图形(14)；磁性体(16)，将配线基板(10)与天线基板(15)相对地设置，将磁性体设置在它们之间；柔性配线基板(17)，其连接天线连接电极与天线端子电极(13)；和筐体(19)，其内装配线基板(10)、天线基板(15)、磁性体(16)以及柔性配线基板(17)；其中，配线基板(10)与天线基板(15)由相同绝缘性母基板构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102132390B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201080002443.4
申请日：2010-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/52 , B23K1/00 , B23K35/26 , B23K35/363 , C22C12/00
CPC classification number: C22C12/00 , B23K1/0016 , B23K1/20 , B23K35/264 , B23K35/362 , B23K2101/40 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29118 , H01L2224/29144 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83439 , H01L2224/838 , H01L2224/83805 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01007 , H01L2924/01031 , H01L2924/01049 , H01L2924/01016 , H01L2924/01083 , H01L2924/01034 , H01L2924/3512 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明是例如具有接合结构体的半导体零部件(100)，该接合结构体具备半导体元件(102)、与半导体元件(102)对置的电极(103)、连接半导体元件(102)与电极(103)的以Bi为主成分的接合材料，通过接合材料(104)含有碳化合物，与现在相比可以降低接合部被半导体元件和电极的线膨胀系数之差破坏的程度。可以提供由以Bi为主成分的接合材料将半导体元件和电极接合的接合结构体等，该接合结构体与现有产品相比可以提高接合部的可靠性。
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公开(公告)号：CN101836293B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200880104222.0
申请日：2008-10-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/563 , H01L23/13 , H01L23/3121 , H01L24/16 , H01L25/0655 , H01L2224/16 , H01L2224/73203 , H01L2224/83102 , H01L2224/83855 , H01L2224/92125 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H05K1/0224 , H05K3/28 , H05K3/3452 , H05K2201/0969 , H05K2201/0989 , H05K2201/10977
Abstract: 一种安装结构体，槽部以其端部朝半导体元件延伸的形态形成于电路基板表面，以使得密封树脂的注入作业简单且可靠地进行密封，滴下后的低粘度的密封树脂被引导到上述槽部并流入电路基板与半导体元件之间，不容易扩散到半导体元件以外的范围。
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公开(公告)号：CN102292803A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005565.9
申请日：2010-04-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/563 , H01L23/3733 , H01L23/3736 , H01L23/49568 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L2224/29 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29213 , H01L2224/29309 , H01L2224/29311 , H01L2224/29318 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/73203 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , Y10T428/25 , Y10T428/256 , H01L2924/00 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明的目的在于提供一种既确保半导体元件与支承板之间有足够的接合强度、又提高来自半导体元件的发热向支承板的散热性的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置包括：支承板；形成于所述支承板上的电极表面处理层；半导体元件；以及焊料，该焊料在以Bi为主成分的第一金属的内部含有熔点高于所述第一金属的第二金属的粒子，并将所述电极表面处理层和所述半导体元件进行接合，在所述焊料的与所述半导体元件的中央部相对应的区域，所述第二金属的组分比率高于所述第一金属，在与所述中央部相对应的区域的外侧的区域，所述第一金属的组分比率高于所述第二金属，在与所述中央部相对应的区域内，所述第二金属的组分比率为83.8原子％以上。
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公开(公告)号：CN102163564A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110026480.5
申请日：2011-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/29 , H01L23/49513 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/29313 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2224/838 , H01L2224/85 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01007 , H01L2924/01031 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01034 , H01L2924/3512 , H01L2924/01028 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及接合结构体及接合结构体的制造方法。本发明非常希望实现功率半导体模块的高输出功率化，需要进一步提高接合部的耐热性，使得即使温度上升，用于将半导体元件与电极接合的接合部也不会熔融。本发明是一种接合结构体(1100)的制造方法，该方法是由半导体元件(1110)通过接合部(1130)与电极(1120)接合而成的接合结构体(1100)的制造方法，其特征在于，包括：焊锡球载放工序，该焊锡球载放工序中，将用Ni镀层(1231)覆盖Bi球(1232)的表面而成的焊锡球(1230)载放于已加热至Bi的熔点以上的温度的电极(1120)上；接合材料形成工序，该接合材料形成工序中，将焊锡球(1230)按压于经加热的电极(1120)上，使Ni镀层(1231)破碎，使熔融状态的Bi在经加热的电极(1120)的表面扩散，形成含有由Bi和Ni组成的Bi系金属互化物(1131)的接合材料(1130’)；以及半导体元件载放工序，该半导体元件载放工序中，将半导体元件(1110)载放于接合材料(1130’)上。
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公开(公告)号：CN102017107A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115918.8
申请日：2009-05-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B23K1/0016 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/264 , B23K2101/40 , C22C12/00 , C22C19/03 , H01L23/488 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/29101 , H01L2224/29113 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48699 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/838 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10162 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/00 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的接合结构，对构成电子器件的电子元件(12)和构成该电子器件的电极(14)进行接合。接合结构包括：钎焊层，其含有0.2～6重量％的铜、0.02～0.2重量％的锗、以及93.8～99.78重量％的铋；设置在钎焊层和电极之间的镍层；设置在镍层和钎焊层之间的阻挡层。在此，通过钎焊层接合电子元件和电极之后，阻挡层的平均厚度为0.5～4.5μm。
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