公开(公告)号：CN112151529A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010113698.3

申请日：2020-02-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈明发 ,  吴念芳 ,  叶松峯 ,  刘醇鸿 ,  史朝文

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明实施例公开半导体封装及形成所述半导体封装的方法。所述半导体封装中的一者包括第一管芯、第二管芯、穿孔以及介电包封体。第二管芯结合到第一管芯。穿孔设置在第二管芯旁边且电连接到第一管芯。穿孔包括台阶形侧壁。介电包封体包封第二管芯及穿孔。

公开(公告)号：CN103151329B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210258782.X

申请日：2012-07-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  吴伟诚 ,  侯上勇 ,  余振华 ,  刘醇鸿 ,  邱志威 ,  许国经

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L22/34 ,  G01R31/2884 ,  H01L21/76885 ,  H01L22/32 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 以上描述的实施例提供用于在封装的集成电路(IC)芯片上方形成金属焊盘上金属凸块和测试焊盘的机制。形成钝化层，以覆盖测试焊盘和可能覆盖金属焊盘的部分。钝化层不覆盖远离测试焊盘区和金属焊盘区的表面。通过钝化层有限地覆盖测试焊盘和金属焊盘的部分减小了在金属焊盘和金属凸块之间形成的UBM层的界面阻抗。这种界面阻抗的减小导致金属凸块的阻抗的减小。本发明还提供了用于封装芯片的钝化层。

公开(公告)号：CN102810528B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210063783.9

申请日：2012-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘醇鸿 ,  余振华 ,  胡宪斌 ,  王姿予 ,  吴伟诚 ,  侯上勇 ,  郑心圃

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L22/32 ,  G01R1/07378 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L22/30 ,  H01L22/34 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/585 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147

Abstract: 本发明公开一种插入件测试结构和方法。公开的实施例是包括插入件的结构。插入件具有沿着插入件的外围延伸的测试结构，并且测试结构的至少一部分在第一重分配元件中。第一重分配元件在插入件的基板的第一表面上。测试结构在中间并且电连接至至少两个探针焊盘。

公开(公告)号：CN104269390A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410474255.1

申请日：2011-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴伟诚 ,  侯上勇 ,  郑心圃 ,  刘醇鸿 ,  邱志威 ,  史朝文

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种半导体组件及制造半导体组件的方法，半导体组件包含接合垫结构，其中接合垫结构具有介于金属接合垫与凸块下金属(UBM)层的环状应力缓冲层。应力缓冲层是用介电层、高分子聚合物层或铝层来形成，其中介电层具有小于3.5的介电常数。上述应力缓冲层是圆形环、方形环、八边形(Octagonal)环或任何几何形状的环。

公开(公告)号：CN102347319A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010558951.2

申请日：2010-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨宗颖 ,  史朝文 ,  蔡豪益 ,  陈宪伟 ,  李明机 ,  刘醇鸿

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/5385 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种半导体装置，包含封装基板，该封装基板包含一延伸至该封装基板顶面上的第一非回焊金属凸块，一位于该封装基板上，且通过多个第一焊接凸块接合至该封装基板的裸片，一位于此裸片上且接合至上述封装基板的封装组件。此封装组件包含一延伸至上述封装基板底面下的第二非回焊金属凸块。上述封装组件大体上是择自由一装置裸片、一额外封装基板及其组合所组成的族群。一焊接凸块将第一非回焊金属凸块接合至第二非回焊金属凸块。本发明的金属凸块间桥接的可能性更小且金属凸块的数量也可增加。

公开(公告)号：CN102347288A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010597690.5

申请日：2010-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨庆荣 ,  黄章斌 ,  刘醇鸿 ,  唐修敏 ,  陈英儒 ,  邵栋梁 ,  陈宪伟 ,  蔡豪益 ,  李明机

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/24

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/93 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路装置，包括一裸片，其包括一金属垫；一保护层；以及一图案化缓冲层，位于上述保护层的上方，其中上述图案化缓冲层包括彼此隔开的多个分离部分；一焊球下金属层，位于上述图案化缓冲层的一开口和上述保护层的一开口中；一金属凸块，位于上述焊球下金属层的上方且电性耦合至上述焊球下金属层。本发明可提升接合强度。

公开(公告)号：CN102208409A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201010501849.9

申请日：2010-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘醇鸿 ,  侯上勇 ,  郑心圃 ,  吴伟诚 ,  魏修平 ,  陈志华 ,  郭正铮 ,  陈承先 ,  曾明鸿

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供集成电路结构，包括半导体芯片，金属垫在半导体芯片的主要表面上，以及凸块下金属层在金属垫之上与金属垫接触，金属凸块形成于凸块下金属层之上与凸块下金属层电性连接，伪图案形成在与金属垫相同的水平面上，且由与金属垫相同的金属材料形成。本发明对于改善芯片的可靠度具有显著的效果。

公开(公告)号：CN102157479A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110025051.6

申请日：2011-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭正铮 ,  刘醇鸿 ,  陈承先

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/0502 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置，包含至少两个导电垫，其中，一导电垫形成于至少两个导电垫之中的另一个导电垫上，及从至少一个导电垫延伸出来的一重分布层。该半导体装置也包含了一形成于导电垫之上且与导电垫电性连接的凸块结构。本发明具有两个或以上导电垫的半导体装置可保护避免金属间介电层产生接合面剥离，或其他因凸块结构应力与应变或封装过程引起的缺陷。

公开(公告)号：CN102148204A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110035323.0

申请日：2011-02-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志华 ,  陈承先 ,  郭正铮 ,  刘醇鸿

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/27 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/365 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种凸点焊盘结构的多方向设计，提供了一种集成电路结构，包括：半导体芯片，具有第一区域和第二区域；介电层，形成在半导体芯片的第一区域和第二区域上；第一伸长凸点下金属化(UBM)连接件，形成在半导体芯片的第一区域上的介电层中，并且具有在第一方向上延伸的第一长轴；以及第二伸长UBM连接件，形成在半导体芯片的第二区域上的介电层中，并且具有在第二方向上延伸的第二长轴。其中，第一方向与第二方向不同。

公开(公告)号：CN119275115A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411302093.3

申请日：2024-09-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦良 ,  刘醇鸿 ,  苏安治

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 实施例是一种形成半导体封装结构的方法，该方法包括形成第一管芯，形成第一管芯包括在第一衬底中形成贯通孔。该方法还包括在贯通孔和第一衬底上方形成第一再分布结构，第一再分布结构电耦接到贯通孔。该方法还包括在第一再分布结构上方形成第一组管芯连接件，并且第一组管芯连接件电耦接到第一再分布结构，第一组管芯连接件位于第一衬底的第一侧上。该方法还包括将第一管芯接合到第二管芯。该方法还包括用第一密封剂密封第一管芯。该方法还包括在第一组管芯连接件上方形成第二组管芯连接件，并且第二组管芯连接件电耦接到第一组管芯连接件，第一组管芯连接件和第二组管芯连接件形成堆叠管芯连接件。本公开的实施例还提供了半导体封装结构。