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公开(公告)号：CN102034788B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010184938.5
申请日：2010-05-21
申请人： 冲电气工业株式会社
发明人： 伊藤正纪
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/56 , H01L23/053 , H01L23/10 , H01L23/18 , H01L23/3121 , H01L24/06 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/10165 , H01L2224/131 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/17135 , H01L2224/17164 , H01L2224/17517 , H01L2224/29007 , H01L2224/29013 , H01L2224/29078 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/8114 , H01L2224/81192 , H01L2224/83192 , H01L2224/922 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 半导体元件内置基板和半导体元件内置基板的制造方法，抑制电介质对构成为包含分布常数电路的半导体元件的影响，且能够保护半导体元件不受对其施加的载荷的影响。半导体元件内置基板(10)具有：基板(18A)，其在电介质层上层叠有第1金属层；半导体元件，其构成为包含分布常数电路，并且，在与基板(18A)相向的面的周边区域形成有多个接合焊盘，通过与接合焊盘对应的具有导电性的焊锡凸块(22A)，与第1金属层电连接；焊锡凸块(22B)，其在半导体元件的上述周边区域的内侧、且与形成有上述分布常数电路的内侧区域对应配置，介于半导体元件和基板(18A)之间来支承半导体元件；以及基板(18B)，其粘贴在基板(18A)和半导体元件上。
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公开(公告)号：CN103390600B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201210585201.3
申请日：2012-12-28
申请人： 矽品精密工业股份有限公司
发明人： 程吕义
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/528 , H01L25/065 , H01L21/60 , H01L21/58 , H01L23/36
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/3128 , H01L23/3675 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/525 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/11003 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/1147 , H01L2224/1184 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13009 , H01L2224/13021 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1319 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/17181 , H01L2224/211 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81444 , H01L2224/81801 , H01L2224/8185 , H01L2224/81903 , H01L2224/82101 , H01L2224/83005 , H01L2224/831 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/922 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/19 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件包括：线路增层、半导体芯片、电子组件与封装胶体，该半导体芯片覆晶接置于该线路增层的顶面，且具有贯穿的凸块，该电子组件接置于该半导体芯片上，该封装胶体形成于该线路增层的顶面上，且包覆该半导体芯片与电子组件。本发明能有效提高良率与增进整体散热效率。
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公开(公告)号：CN105938823A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610124596.5
申请日：2016-03-04
申请人： 恩智浦有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/48
CPC分类号： H01L23/3675 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/492 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/0255 , H01L33/0075 , H01L33/647 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/37147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/922 , H01L2924/00014 , H01L2924/0781 , H01L2924/12036 , H01L2924/13091 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/32245 , H01L2924/00015 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/013 , H01L2224/45099 , H01L23/3672 , H01L21/4882 , H01L23/3677 , H01L29/6609 , H01L29/8613
摘要： 本发明公开了一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。所述装置包括导电散热器，所述导电散热器具有第一表面。所述装置还包括半导体衬底。所述装置进一步包括位于所述衬底的第一表面上的第一接触。所述装置还包括位于所述衬底的第二表面上的第二接触。所述衬底的所述第一表面安装在所述散热器的所述第一表面上，用于经由所述第一接触在所述散热器与所述衬底之间的电传导和热传导。所述衬底的所述第二表面能安装在载体的表面上。
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公开(公告)号：CN102593020B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201110433708.2
申请日：2011-12-21
申请人： 富士电机株式会社
发明人： 香月尚
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/495 , F02P1/00 , F02P3/00 , F02P9/00
CPC分类号： H01L24/92 , F02P3/0453 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L23/49589 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48755 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/838 , H01L2224/85455 , H01L2224/92 , H01L2224/922 , H01L2224/92247 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19106 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/85
摘要： 根据本发明的制造半导体设备的方法包括如下步骤：将焊料31涂覆到引线框30的上表面上的预定区域上；将芯片32安装在焊料31上；用热板33熔化焊料31，以将芯片32接合到引线框30；用接合导线34来配线；将引线框30倒置；将倒置的引线框30放置到加热台35上；涂覆熔点低于焊料31的熔点的焊料36；将电子部件37安装在焊料36上；以及，用加热台35来熔化焊料36，以将电子部件37接合到引线框30。借助于焊料36的接合在高环境温度下进行。半导体设备及其制造方法便于将半导体装置和电子部件安装在为形成配线电路而被划分的引线框的两表面上，而不经过复杂的制造步骤。
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公开(公告)号：CN104218007B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201410236577.2
申请日：2014-05-30
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L21/50
CPC分类号： H01L25/065 , H01L23/051 , H01L23/34 , H01L23/36 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/04 , H01L2224/06181 , H01L2224/06183 , H01L2224/08237 , H01L2224/08257 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/30181 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73151 , H01L2224/73251 , H01L2224/80898 , H01L2224/83191 , H01L2224/83815 , H01L2224/922 , H01L2224/9221 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153 , H01L2924/15159 , H01L2924/181 , H05K1/0209 , H05K1/181 , H05K2201/10166 , H05K2201/10454 , Y02P70/611 , H01L2924/00 , H01L2224/27 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/05 , H01L2224/29 , H01L2224/80 , H01L2924/00012
摘要： 公开了一种小脚印半导体封装。一种半导体组装包括具有导电区域的衬底和半导体封装。半导体封装包括半导体管芯、第一端子和第二端子以及模制化合物。管芯具有相对的第一主表面和第二主表面、与所述第一主表面和第二主表面垂直设置的边缘、在所述第一主表面处的第一电极以及在所述第二主表面处的第二电极。所述第一端子附接到所述第一电极。所述第二端子附接到所述第二电极。所述模制化合物包围管芯以及所述第一端子和所述第二端子的至少一部分，从而所述端子中的每一个具有平行于并且背对管芯的侧面，该侧面保持为至少部分未被所述模制化合物覆盖。所述半导体封装的所述第一端子和所述第二端子连接到所述衬底的所述导电区域中的不同区域。
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公开(公告)号：CN104218007A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410236577.2
申请日：2014-05-30
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L21/50
CPC分类号： H01L25/065 , H01L23/051 , H01L23/34 , H01L23/36 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/04 , H01L2224/06181 , H01L2224/06183 , H01L2224/08237 , H01L2224/08257 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/30181 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73151 , H01L2224/73251 , H01L2224/80898 , H01L2224/83191 , H01L2224/83815 , H01L2224/922 , H01L2224/9221 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153 , H01L2924/15159 , H01L2924/181 , H05K1/0209 , H05K1/181 , H05K2201/10166 , H05K2201/10454 , Y02P70/611 , H01L2924/00 , H01L2224/27 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/05 , H01L2224/29 , H01L2224/80 , H01L2924/00012
摘要： 公开了一种小脚印半导体封装。一种半导体组装包括具有导电区域的衬底和半导体封装。半导体封装包括半导体管芯、第一端子和第二端子以及模制化合物。管芯具有相对的第一主表面和第二主表面、与所述第一主表面和第二主表面垂直设置的边缘、在所述第一主表面处的第一电极以及在所述第二主表面处的第二电极。所述第一端子附接到所述第一电极。所述第二端子附接到所述第二电极。所述模制化合物包围管芯以及所述第一端子和所述第二端子的至少一部分，从而所述端子中的每一个具有平行于并且背对管芯的侧面，该侧面保持为至少部分未被所述模制化合物覆盖。所述半导体封装的所述第一端子和所述第二端子连接到所述衬底的所述导电区域中的不同区域。
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公开(公告)号：CN103390600A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210585201.3
申请日：2012-12-28
申请人： 矽品精密工业股份有限公司
发明人： 程吕义
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/528 , H01L25/065 , H01L21/60 , H01L21/58 , H01L23/36
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/3128 , H01L23/3675 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/525 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/11003 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/1147 , H01L2224/1184 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13009 , H01L2224/13021 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1319 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/17181 , H01L2224/211 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81444 , H01L2224/81801 , H01L2224/8185 , H01L2224/81903 , H01L2224/82101 , H01L2224/83005 , H01L2224/831 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/922 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/19 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件包括：线路增层、半导体芯片、电子组件与封装胶体，该半导体芯片覆晶接置于该线路增层的顶面，且具有贯穿的凸块，该电子组件接置于该半导体芯片上，该封装胶体形成于该线路增层的顶面上，且包覆该半导体芯片与电子组件。本发明能有效提高良率与增进整体散热效率。
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公开(公告)号：CN102593020A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110433708.2
申请日：2011-12-21
申请人： 富士电机株式会社
发明人： 香月尚
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/495 , F02P1/00 , F02P3/00 , F02P9/00
CPC分类号： H01L24/92 , F02P3/0453 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L23/49589 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48755 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/838 , H01L2224/85455 , H01L2224/92 , H01L2224/922 , H01L2224/92247 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19106 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/85
摘要： 根据本发明的制造半导体设备的方法包括如下步骤：将焊料31涂覆到引线框30的上表面上的预定区域上；将芯片32安装在焊料31上；用热板33熔化焊料31，以将芯片32接合到引线框30；用接合导线34来配线；将引线框30倒置；将倒置的引线框30放置到加热台35上；涂覆熔点低于焊料31的熔点的焊料36；将电子部件37安装在焊料36上；以及，用加热台35来熔化焊料36，以将电子部件37接合到引线框30。借助于焊料36的接合在高环境温度下进行。半导体设备及其制造方法便于将半导体装置和电子部件安装在为形成配线电路而被划分的引线框的两表面上，而不经过复杂的制造步骤。
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公开(公告)号：CN102034788A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010184938.5
申请日：2010-05-21
申请人： 冲电气工业株式会社
发明人： 伊藤正纪
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/56 , H01L23/053 , H01L23/10 , H01L23/18 , H01L23/3121 , H01L24/06 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/10165 , H01L2224/131 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/17135 , H01L2224/17164 , H01L2224/17517 , H01L2224/29007 , H01L2224/29013 , H01L2224/29078 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/8114 , H01L2224/81192 , H01L2224/83192 , H01L2224/922 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 半导体元件内置基板和半导体元件内置基板的制造方法，抑制电介质对构成为包含分布常数电路的半导体元件的影响，且能够保护半导体元件不受对其施加的载荷的影响。半导体元件内置基板(10)具有：基板(18A)，其在电介质层上层叠有第1金属层；半导体元件，其构成为包含分布常数电路，并且，在与基板(18A)相向的面的周边区域形成有多个接合焊盘，通过与接合焊盘对应的具有导电性的焊锡凸块(22A)，与第1金属层电连接；焊锡凸块(22B)，其在半导体元件的上述周边区域的内侧、且与形成有上述分布常数电路的内侧区域对应配置，介于半导体元件和基板(18A)之间来支承半导体元件；以及基板(18B)，其粘贴在基板(18A)和半导体元件上。
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