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公开(公告)号:JP2017108187A
公开(公告)日:2017-06-15
申请号:JP2017050688
申请日:2017-03-16
申请人: 三菱電機株式会社
CPC分类号: H01L25/072 , H01L23/049 , H01L23/145 , H01L23/15 , H01L23/24 , H01L23/3107 , H01L23/3675 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/4334 , H01L23/49811 , H01L24/49 , H01L25/18 , H05K1/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/4911 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K1/053 , H05K2203/1316 , H05K3/284
摘要: 【課題】簡単な構成で小型化、低インダクタンス化を実現するとともに、熱抵抗の増大を抑えた電力用半導体モジュールを得る。 【解決手段】金属放熱体であるベース板2と、ベース板2上に設けられた第1絶縁層3と、第1絶縁層3上に設けられた第1配線パターン4とを備え、第1配線パターン4上の一部である所定領域には、樹脂製の第2絶縁層5のみを介して2層目の第2配線パターン6が積層されてパターン積層領域X1を形成している。そして、電力用半導体素子7は、第1配線パターン4上のパターン積層領域X1以外の領域に搭載されている。更に電力用半導体素子7は、自己消弧型半導体素子70を含み、自己消弧型半導体素子70のゲート電極用の配線又は出力電極の制御用配線の一方が第1配線パターン4に設けられ、他方が第2配線パターン6に設けられて積層されている。 【選択図】図4
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公开(公告)号:JP2017514995A
公开(公告)日:2017-06-08
申请号:JP2016561751
申请日:2015-04-10
申请人: アルファ・アセンブリー・ソリューションズ・インコーポレイテッドAlpha Assembly Solutions Inc. , アルファ・アセンブリー・ソリューションズ・インコーポレイテッドAlpha Assembly Solutions Inc.
发明人: シャミック・ゴシャール , ニルマルヤ・クマル・チャキ , ポウラミ・セングプタ・ロイ , シウリ・サルカール , アヌバヴ・ラストギ
CPC分类号: H01L24/29 , B22F1/0003 , B22F1/0014 , B22F1/0074 , B22F1/025 , B22F7/04 , B22F2007/047 , B22F2301/255 , B22F2302/45 , B23K1/0016 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K35/3601 , B23K35/3613 , B23K35/3618 , B23K35/365 , B23K2201/40 , B23K2203/56 , H01B1/22 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L51/5246 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/11003 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/131 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/13355 , H01L2224/13387 , H01L2224/1339 , H01L2224/13439 , H01L2224/1349 , H01L2224/13499 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27332 , H01L2224/27436 , H01L2224/27505 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29439 , H01L2224/2949 , H01L2224/29499 , H01L2224/32145 , H01L2224/32146 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/81075 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/8121 , H01L2224/8184 , H01L2224/81948 , H01L2224/83075 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/8321 , H01L2224/83439 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2224/83948 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/1461 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/206 , H01L2924/2064 , H05K3/321 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2924/0105 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/0493 , H01L2924/01004 , H01L2224/27 , H01L2924/01074 , H01L2224/81 , H01L2224/11436 , H01L2224/11 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要: 100nmから50μmの平均最長寸法を有する第1の種類の金属粒子を含む、焼結用粉末。【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2017103394A
公开(公告)日:2017-06-08
申请号:JP2015236841
申请日:2015-12-03
申请人: ラピスセミコンダクタ株式会社
发明人: 兒玉 祐樹
CPC分类号: H01L23/49503 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49575 , H01L23/49596 , H01L23/562 , H01L24/49 , H01L21/4825 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48195 , H01L2224/48247 , H01L2224/49109 , H01L2224/4912 , H01L2224/73265 , H01L2224/83005 , H01L2224/83192 , H01L2224/85005 , H01L2224/92247 , H01L23/3121 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/35121
摘要: 【課題】リードフレームに搭載された電子部品の位置ずれを防止する半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、リードフレーム26と、リードフレームとの接合面に凹凸構造を有し、凹凸構造にリードフレームの一部が嵌合された状態で凹部286がリードフレームの梁部42に接合された電子部品(発振子28)と、を含む。 【選択図】図5
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公开(公告)号:JP2017103376A
公开(公告)日:2017-06-08
申请号:JP2015236287
申请日:2015-12-03
申请人: ローム株式会社
IPC分类号: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/532 , H01L21/60 , H01L23/522
CPC分类号: H01L24/48 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/97 , H01L2224/0212 , H01L2224/0346 , H01L2224/04042 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05644 , H01L2224/29101 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85439 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2924/00011 , H01L2924/05042 , H01L2924/181
摘要: 【課題】耐久性を高めつつ小型化を図るのに適する半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置A1は、厚さ方向において互いに反対側を向く第1主面10aおよび第2主面を有する半導体素子1と、半導体素子1の第1主面10a側にボンディングされたワイヤと、を備える。半導体素子1は、第1主面10aに形成された金属下地層11と、金属下地層11上に設けられたボンディングパッド13と、半第1主面10aに形成された絶縁性の保護層14と、を含む。ボンディングパッド13は、金属下地層11を覆い、金属下地層11よりもイオン化傾向が小さい金属からなる第1導電層131と、第1導電層131を覆い、第1導電層131よりもイオン化傾向が小さい金属からなる第2導電層132と、を有し、第1導電層131及び第2導電層132それぞれの周縁部は、保護層14の表面に密着して当該保護層14の一部を覆う。 【選択図】図4
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公开(公告)号:JP2017103282A
公开(公告)日:2017-06-08
申请号:JP2015233454
申请日:2015-11-30
申请人: イビデン株式会社
发明人: 稲垣 靖
CPC分类号: H01L25/0655 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/20 , H05K1/185 , H05K3/4682 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H05K3/4647
摘要: 【課題】信頼性の高いプリント配線板を提供する。 【解決手段】プリント配線板10は第1面Fと第1面と反対側の第2面Sとを有する最下の樹脂絶縁層50と、最下の樹脂絶縁層50の第2面S側に埋まっていて、第1面Fを向いている電極92を有する半導体素子90と、最下の樹脂絶縁層50内に形成されている導体ポスト36と、最下の樹脂絶縁層50の第1面F上に形成されている第1導体層58と、最下の樹脂絶縁層50に形成され、第1導体層58と導体ポスト36を接続する第1ビア導体60(60f)と、第1導体層58と半導体素子90の電極92を接続する第2ビア導体60(60s)とを有する。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6136349B2
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:JP2013032941
申请日:2013-02-22
申请人: セイコーエプソン株式会社
发明人: 青木 信也
CPC分类号: H01L23/48 , G01C19/5628 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15151 , H01L2924/15153 , H01L2924/16195
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公开(公告)号:JP6136061B2
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:JP2012272489
申请日:2012-12-13
申请人: 株式会社村田製作所
发明人: 奥田 敏雄
IPC分类号: H01L23/12
CPC分类号: H01L23/5226 , H01L23/3121 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L23/3677 , H01L24/73 , H01L2924/1531
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公开(公告)号:JP2017092491A
公开(公告)日:2017-05-25
申请号:JP2017006457
申请日:2017-01-18
申请人: アップル インコーポレイテッド , Apple Inc , アップル インコーポレイテッド
发明人: ANTHONY FAI , EVAN R BOYLE , YANG ZHIPING , WU ZHONGHUA
IPC分类号: H01L23/12
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5283 , H01L23/5286 , H01L23/5384 , H01L23/552 , H01L23/60 , H01L24/06 , H01L24/14 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/06151 , H01L2224/06177 , H01L2224/1405 , H01L2224/1414 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06537 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/1443 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15313 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要: 【課題】より小さなデバイスでより多くのNVMを利用することが必要である。これは、データ記憶密度を増大する、創造的な実装の解決策の必要性を生み出す。【解決手段】積層型半導体メモリパッケージのためのシステム及び方法が提示される。それぞれのパッケージは、集積回路(「IC」)パッケージ基板を含むことができ、この基板は、パッケージ内で積み重なるメモリダイに、2つのチャネル上でデータを送信することが可能である。各チャネルは、ICパッケージ基板の片側に位置することができ、各チャネルからの信号は、それぞれの側から、メモリダイに配線することができる。【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2017092464A
公开(公告)日:2017-05-25
申请号:JP2016214727
申请日:2016-11-02
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/78 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/32014 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/78001 , H01L2224/78901 , H01L2224/85181 , H01L2224/859 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要: 【課題】ワイヤーボンディング操作中に、オーバーハングダイ(張り出したダイ)の適用に伴って使用されるワイヤーボンディング・プログラム・パラメータを決定する方法、ワイヤーボンドの形成中、ボンディング位置に適用する最大接合力を決定する方法およびワイヤーボンド形成のためのZ軸定速プロファイルを決定する方法を提供する。【解決手段】ワイヤーボンディング操作中に複数のボンディング位置に適用されるZ軸力プロファイルを提供する方法は、少なくとも1つの基準半導体装置の支持されていない部分における前記複数のボンディング位置の各ボンディング位置についてZ軸力プロファイルを決定する工程と、対象とされる半導体装置の後続ボンディング中に前記Z軸力プロファイルを適用する工程とを含む。【選択図】図6
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公开(公告)号:JP6133093B2
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:JP2013061255
申请日:2013-03-25
申请人: 本田技研工業株式会社
IPC分类号: H02M7/48
CPC分类号: H01L24/13 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/37013 , H01L2224/371 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/75272 , H01L2224/77272 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84138 , H01L2224/84801 , H01L2224/84815 , H01L2224/849 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/75 , H01L24/77 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L2924/00014
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