公开(公告)号：WO2015118790A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：PCT/JP2014/084497

申请日：2014-12-26

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 山▲崎▼　浩次

IPC分类号： B23K35/30 ,  B23K20/00 ,  C22C5/06 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H05K3/34

CPC分类号： H01L24/29 ,  B23K20/00 ,  B23K20/026 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/06 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22F1/14 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/2003 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/3463 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/84

摘要： 本発明は、耐熱性と応力緩和性を両立させた接合を得ることを目的とし、接合対象である金属部材（例えば、表面層（２ｆ）、（３ｆ））に接触させた状態で加熱することにより、金属部材（例えば、材料として金、銀、銅）の中に固相拡散反応による銀の拡散層（Ｌｄ２）、（Ｌｄ３）を形成し、金属部材と接合される、ビスマスと銀の合金で構成された板状の接合材（１）であって、ビスマスを１質量％以上、５質量％以下含有する構成とした。

摘要翻译： 本发明的目的是实现在耐热性和应力松弛之间具有良好平衡的粘合。 一种由铋和银合金构成并与作为金属（由金，银或铜等材料形成的构件）的金属构成的被接合物接合的板状接合材料（1），通过形成扩散 在与金属部件（例如，表面层（2f，3f））保持接触的同时通过加热固相扩散反应在金属部件中的银层（Ld2，Ld3）。 该接合材料（1）构成为含有1质量％〜5质量％（以下）的铋。

公开(公告)号：WO2015033197A3

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：PCT/IB2014001646

申请日：2014-08-29

申请人： TOYOTA MOTOR CO LTD ,  DENSO CORP

发明人： KADOGUCHI TAKUYA ,  HIRANO TAKAHIRO ,  KAWASHIMA TAKANORI ,  OKUMURA TOMOMI ,  NISHIHATA MASAYOSHI

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/051 ,  H01L23/492 ,  H01L23/495 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L23/49568 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/2612 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device (20) includes: opposed first (36, 56) and second (34, 54) metal plates; a plurality of semiconductor elements (26, 28, 30, 32, 206, 208, 210, 212, 306, 308, 310, 312) each interposed between the first metal plate (36, 56) and the second metal plate (34, 54); a metal block (44, 50, 314, 316) interposed between the first metal plate (36, 56) and each of the semiconductor elements (26, 28, 30, 32, 206, 208, 210, 212, 306, 308, 310, 312); a solder member (46, 52) interposed between the first metal plate (36, 56) and the metal block (44, 50, 314, 316) and connecting the first metal plate (36, 56) to the metal block (44, 50, 314, 316); and a resin moulding (74) sealing the semiconductor elements (26, 28, 30, 32, 206, 208, 210, 212, 306, 308, 310, 312) and the metal block (44, 50, 314, 316). A face of the first metal plate (36, 56), which is on an opposite side of a face of the first metal plate (36, 56) to which the metal block (44, 50, 314, 316) is connected via the solder member (46, 52), is exposed from the resin moulding (74). The first metal plate (36, 56) has a groove (70, 72) formed along an outer periphery of a region in which the solder member(s) (46, 52) is(are) provided, the groove (70, 72) collectively surrounding the solder member(s) (46, 52) so as to prevent spreading of the solder members (46, 52) on a bonding face of the first metal plate (36, 56). Each of the semiconductor elements (26, 30, 206, 210, 306, 310) may be a power semiconductor switching element, such as an insulated gate bipolar transistor (IGBT), that undergoes switching operation at the time of converting electric power and each of the semiconductor elements (28, 32, 208, 212, 308, 312) may be a reflux diode that is required in order to circulate current at the time of interrupting a corresponding one of the semiconductor elements (26, 30, 206, 210, 306, 310).

摘要翻译： 半导体器件（20）包括：相对的第一（36,56）和第二（34,54）金属板; 每个插入在第一金属板（36,56）和第二金属板（34）之间的半导体元件（26,28,30,32,26,28,210,212,306,308,310,312） 54）; 插入在第一金属板（36,56）和每个半导体元件（26,28,30,32,36,208,210,212,306,308,316）之间的金属块（44,45,314,316） 310,312）; 插入在第一金属板（36,56）和金属块（44,45,314,316）之间并将第一金属板（36,56）连接到金属块（44）的焊料构件（46,52） 50,314,316）; 以及密封半导体元件（26,28,30,32,26,208,210,212,306,308,310,312）和金属块（44,50,314,316）的树脂模制件（74）。 第一金属板（36,56）的与第一金属板（36,56）的与金属块（44,50,214,316）连接的面的相对侧上的表面经由 焊料构件（46,52）从树脂成形体（74）露出。 第一金属板（36,56）具有沿着设置有焊料部件（46,52）的区域的外周形成的槽（70,72），槽（70,72） ）共同围绕焊料部件（46,52），以防止焊料部件（46,52）在第一金属板（36,56）的接合面上的扩散。 每个半导体元件（26,30,306,210,306,310）可以是功率半导体开关元件，例如绝缘栅双极晶体管（IGBT）），其在转换电力时经历开关操作，并且每个 半导体元件（28,32，208,212,308,312）可以是回流二极管，其是为了在中断相应的一个半导体元件（26,30,306,210）期间循环电流所需的 ，306,310）。

公开(公告)号：WO2015111622A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：PCT/JP2015/051542

申请日：2015-01-21

申请人： オリンパス株式会社

发明人： 伊藤　寛 ,  塩谷　浩一

IPC分类号： H04R17/10 ,  A61B18/00 ,  B06B1/06 ,  H01L21/607 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/277 ,  H04R17/00

CPC分类号： B06B1/0611 ,  A61B17/320068 ,  A61B2018/00607 ,  A61N2007/0078 ,  B06B3/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/50 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/277 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047

摘要： 　積層型超音波振動デバイスは、２つのマス材４２，４３の間に複数の圧電体６１が設けられており、２つのマス材４２，４３および複数の圧電体６１よりも弾性定数が小さなろう材７３，７６を用いて、同種材料接合部となる複数の圧電体６１間を第１の厚さｄ１を有した第１の金属接合層によって接合し、異種材料接合部となる複数の圧電体６１とマス材４２，４３との間を第１の厚さｄ１よりも厚い第２の厚さｄ２を有した第２の金属接合層によって接合した。

摘要翻译： 一种叠层超声波振动装置，其特征在于，使用具有比所述两个质量部件（42,43）小的弹性常数的钎焊材料（73,76），在两个质量部件（42,43）之间设置多个压电体（61） ）和多个压电体（61）之间，通过具有第一厚度（d1）的第一金属接合层和多个压电体（61）之间的接合进行多个压电体（61）之间的接合以形成均匀的材料接合， 通过具有比第一厚度（d1）厚的第二厚度（d2）的第二金属接合层进行主体（61）和质量构件（42,43）以形成非均质材料接合。

公开(公告)号：WO2015111202A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：PCT/JP2014/051602

申请日：2014-01-27

申请人： 株式会社日立製作所

发明人： 宝蔵寺　裕之 ,  紺野　哲豊

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/3675 ,  H01L23/051 ,  H01L23/142 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/4006 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L25/115 ,  H01L25/18 ,  H01L2023/4031 ,  H01L2023/405 ,  H01L2023/4062 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/37599

摘要： 　本発明は半導体素子から冷却体への熱放散性が向上可能な半導体モジュールを提供することを目的とする。本発明の半導体モジュール１００は、複数の樹脂モールド型の半導体装置１が１枚の金属ベース２に搭載され、これらが電気的に接続されて構成され、複数の半導体装置１は、絶縁基板３の半導体素子搭載面とは反対側の面に形成された金属放熱板４が樹脂モールド１１から露出した構造であり、金属ベース２に設けられた開口部２１に半導体装置の金属放熱板４がはめ込まれ、金属放熱板４の裏面が冷却体への設置面となることを特徴とする。

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种半导体模块，其中从半导体元件到冷却体的散热得到改善。 本发明的半导体模块（100）的特征在于：半导体模块通过将多个树脂模具型半导体器件（1）安装在一个金属基体（2）上并电连接半导体器件而构成; 每个半导体器件（1）具有其中散热金属板（4）从树脂模具（11）露出的结构，所述散热金属板形成在绝缘基板（3）表面的相反侧上 半导体元件安装面; 每个半导体器件的散热金属板（4）装配在设置在金属基底（2）中的开口（21）中; 并且散热金属板（4）的后表面将成为冷却体的配置表面。

公开(公告)号：WO2015108025A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：PCT/JP2015/050619

申请日：2015-01-13

申请人： デクセリアルズ株式会社

发明人： 篠原　誠一郎

IPC分类号： H01R11/01 ,  H01B1/20 ,  H01B5/16 ,  H01L21/60 ,  H01R43/00

CPC分类号： G02F1/13452 ,  H01B1/22 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29486 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81488 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1426 ,  H01L2924/381 ,  H05K1/181 ,  H05K3/323 ,  H05K3/325 ,  H05K2201/0221 ,  H05K2201/0233 ,  H05K2201/10734 ,  H05K2203/166 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/069 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/0615

摘要： 　回路基板の配線ピッチや電子部品の電極端子がファインピッチ化されても、電子部品と回路基板との導通性を確保するとともに、電子部品の電極端子間におけるショートを防止する。　回路基板（１２）上に異方性導電接着剤（１）を介して電子部品（１８）が接続された接続体（１０）において、異方性導電接着剤（１）は、導電性粒子（４）が規則的に配置され、導電性粒子（４）の粒子径が、電子部品（１８）の接続電極（１９）の高さの１／２以下である。

摘要翻译： 本发明的目的是确保当电路基板或电子部件的电极端子的布线间距被赋予更细的间距并且防止在电极之间发生短路时，在电子部件和电路基板之间存在导电性 电子元件的端子。 本发明提供了一种连接体（10），其具有通过各向异性导电粘合剂（1）设置在电路基板（12）上的电子部件（18），其中各向异性导电粘合剂（1）具有规则地设置在其中的导电颗粒（4） 导电粒子（4）的粒径为电子部件（18）的连接电极（19）的高度的1/2，或更小。

公开(公告)号：WO2015107849A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：PCT/JP2014/084252

申请日：2014-12-25

申请人： 株式会社フジクラ

发明人： 和田　英之

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00 ,  H01L27/14 ,  H01L31/02 ,  H01L31/10

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L27/14618 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1416 ,  H01L2224/14166 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/73 ,  H01L2924/014

摘要： 　本発明の半導体装置は、デバイス（１）に実装される半導体装置（２）であって、第１面（１４）を有する基板（２０）と、前記基板（２０）の前記第１面（１４）に形成され、前記デバイス（１）に接続される端子（１３）と、前記基板（２０）の前記第１面（１４）に形成され、前記端子（１３）に導通する第１配線（２１）と、前記第１配線（２１）の少なくとも一部を覆う誘電体層（２２）とを備える。前記基板（２０）の第１面（１４）は、前記誘電体層（２２）が形成されていない非形成領域（２４）を有し、前記非形成領域（２４）は、前記端子（１３）の位置から前記基板（２０）のエッジ（２０ａ）の位置まで連続している。

摘要翻译： 该半导体器件是安装在器件（1）上并具有：具有第一表面（14）的衬底（20）的半导体器件（2）。 形成在基板（20）的第一表面（14）上并连接到装置（1）的端子（13）; 第一布线（21），其形成在所述基板（20）的所述第一表面（14）上并与所述端子（13）电连接; 以及覆盖所述第一布线（21）的至少一部分的电介质层（22）。 衬底（20）的第一表面（14）具有未形成电介质层（22）的非形成区域（24），并且非形成区域（24）从端子的位置 13）到基板（20）的边缘（20a）。

公开(公告)号：WO2014070534A3

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：PCT/US2013066266

申请日：2013-10-23

申请人： RAYTHEON CO

发明人： GOOCH ROLAND ,  DIEP BUU ,  KOCIAN THOMAS ALLAN ,  BLACK STEPHEN H ,  KENNEDY ADAM M

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： B81B7/0041 ,  B81B7/007 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L23/053 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83141 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： A method of forming a wafer level packaged circuit device includes forming a device wafer, the device wafer including a first group of one or more material layers left remaining in a first region of a substrate of the device wafer; and forming a cap wafer configured to be attached to the device wafer, the cap wafer including a second group of one or more material layers left remaining in a second region of a substrate of the cap wafer; wherein a combined thickness of the first and second groups of one or more material layers defines an integrated bond gap control structure upon bonding of the device wafer and the cap wafer.

摘要翻译： 一种形成晶片级封装电路器件的方法包括形成器件晶片，器件晶片包括残留在器件晶片的衬底的第一区域中的第一组一个或多个材料层; 以及形成被配置为附接到所述器件晶片的盖晶片，所述盖晶片包括留在所述盖晶片的衬底的第二区域中的第二组一个或多个材料层; 其中一个或多个材料层的所述第一和第二组的组合厚度在所述器件晶片和所述盖晶片接合时限定了整合的接合间隙控制结构。

公开(公告)号：WO2015096946A2

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：PCT/EP2014/075518

申请日：2014-11-25

申请人： PAC TECH - PACKAGING TECHNOLOGIES GMBH

发明人： AZDASHT, Ghassem ,  TEUTSCH, Thorsten ,  GEELHAAR, Ricardo

IPC分类号： H01L21/48

CPC分类号： H01L24/27 ,  H01L21/4832 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/11 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2924/00

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls (90) mit einem Trägersubstrat und zumindest einem auf dem Trägersubstrat angeordneten Chip sowie einer Kontaktleiteranordnung (45) zur Verbindung von Chipanschlussflächen mit auf einer Kontaktseite (56) des Chipmoduls angeordneten Anschlusskontakten (69, 70, 71), bei dem der Chip mit seiner mit den Chipanschlussflächen versehenen Frontseite auf dem Trägersubstrat fixiert wird und nachfolgend die Ausbildung der Kontaktleiteranordnung durch eine Strukturierung einer Kontaktmateriallage des Trägersubstrats erfolgt.

摘要翻译： 本发明涉及一种方法，用于生产具有载体基片和至少一个设置在所述载体基片的芯片和接触导体装置（45）上，用于与设置在端子触头（69，70中的芯片模块的接触侧（56），其连接芯片焊盘，71芯片模块（90） 在这与其设置有芯片焊盘前侧被固定在载体衬底上，并随后在芯片需要通过构造载体衬底的接触材料层）放置在接触导体配置的形成。

公开(公告)号：WO2015043969A3

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：PCT/EP2014069368

申请日：2014-09-11

申请人： SIEMENS AG

发明人： STROGIES JÖRG ,  WILKE KLAUS

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H05K3/341 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29034 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/3011 ,  H01L2224/30131 ,  H01L2224/30134 ,  H01L2224/30177 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32221 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/33107 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H05K1/11 ,  H05K1/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： The invention relates to a diffusion soldering method in which an electronic component (13) is placed on a substrate (12). The joining surfaces are designed such that cavities (20, 27) are formed in the region of the joining gap (21). The formation of said cavities can be ensured for example by providing depressions in the mounting surface (18) of the component (13) and/or in the contact surface (14) of the substrate (12), the depressions (27) being cup-shaped or advantageously being in the form of channels (20) that surround columnar structural elements (22), the end faces of said structural elements (22) forming the mounting surface (18) or the contact surface (14) for the connection. The cavities (20, 27) are advantageous in that solder material (19) can leak into the cavities when the component (13) is placed on the contact surface (14) of the substrate (12) in order to achieve the required width of the joining gap (21). Thus, the joining gap (21) can be selected so as to have a width so narrow that the joining gap is formed with a diffusion zone (24) which bridges the joining gap (21) upon soldering. In this manner, a diffusion solder connection is produced in an advantageous manner even when using standard solder. The invention further relates to an electronic assembly (11) which has been produced in the aforementioned manner.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于扩散硬钎焊的方法，其中电子元件（13）被放置在基板（12）上。 接合面被设计成使得腔（20，27）中的接合间隙（21）的区域中形成。 这可以，例如，通过在部件的安装表面（18）提供的凹部（13）和/或在基片（12）的接触表面（14）能够确保，其中，所述凹部（27）是杯形或有利地在通道的形式（ 20）已经包围柱状结构元件（22），其特征在于，形成用于连接所述安装表面（18）或所述接触表面（14）中的结构元件（22）的端面上。 腔（20,27）具有焊接材料19的接触表面上放置在空腔中衬底（12）的组件13（14）当优势（20，27）可以逃逸到的所需的宽度 到达接合间隙（21）。 因此，接合间隙（21）可以被选择为使得其窄与接合间隙（21）扩散区域（24）的形式，其例如由金属间化合物的焊接期间这个桥接。 因此，扩散焊接，有利地，使用标准焊料即使形成。 此外，本发明还涉及一种电子组件（11），其对所描述的路径制备。

公开(公告)号：WO2015093090A1

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：PCT/JP2014/070519

申请日：2014-08-04

申请人： トヨタ自動車株式会社 ,  深見 武志

发明人： 深見　武志

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/02165 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/26125 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0483 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014

摘要： 　半導体装置１は、半導体層２と、半導体層２上に配置された電極層３と、半導体層２の上側に配置されたクラック起点層１０と、電極層３およびクラック起点層１０に接触するはんだ層４とを備えている。はんだ層４とクラック起点層１０との接合力がはんだ層４と電極層３との接合力より小さい。

摘要翻译： 半导体器件（1）设置有半导体层（2），设置在半导体层（2）上的电极层（3），设置在半导体层（2）的上侧的裂纹源层（10） 以及与电极层（3）和裂纹源层（10）接触的焊料层（4）。 焊料层（4）与裂纹产生层（10）之间的接合力小于焊料层（4）和电极层（3）之间的结合力。