公开(公告)号：CN101958289A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010265667.6

申请日：2006-07-31

申请人： 米辑电子股份有限公司

发明人： 林茂雄 ,  罗心荣 ,  周秋明 ,  周健康 ,  陈科宏

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/525 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13183 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： 本发明涉及一种半导体组件，其结构在此半导体基底的顶部表面上设有至少一接垫；一保护层(passivation layer)是位于半导体基底的顶部表面上，且位于此保护层内的至少一开口暴露出接垫；及一金属层是堆栈形成在接垫上。

公开(公告)号：CN101937853A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010212898.0

申请日：2010-06-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄宏麟 ,  萧景文 ,  许国经 ,  陈承先

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/013

摘要： 本发明一实施例提供一种集成电路结构的形成方法，包括：提供一半导体晶片，包括一第一刻痕，自该半导体晶片的一边缘延伸进入该半导体晶片；以及将一承载晶片设置于该半导体晶片之上，其中该承载晶片包括一第二刻痕，位于该承载晶片之中，且其中将该承载晶片的设置步骤包括使至少一部分的该第一刻痕与至少一部分的该第二刻痕重叠。本发明通过于承载晶片中形成刻痕，无凸块下金属层会形成于承载晶片的通过半导体晶片中的刻痕所露出的部分。因此，可进行更可靠的对准。由于承载晶片的角落不具有斜面区，可减少凸块下金属层的脱层。再者，由于承载晶片的电阻率被减低，承载晶片可更可靠地固定于静电吸盘上。

公开(公告)号：CN101330025B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200710140731.6

申请日：2007-08-09

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 韩权焕 ,  朴昌濬 ,  徐敏硕 ,  金圣哲 ,  金圣敏 ,  梁胜宅 ,  李升铉 ,  金钟薰 ,  李荷娜

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

摘要： 一种用于封装的半导体芯片的制造方法，包括：在半导体芯片的焊盘外部的一部分中形成槽，在该半导体芯片上表面上具有焊盘；在该槽的侧壁上形成绝缘层；在半导体芯片上形成金属层以填充形成有绝缘层的该槽；刻蚀金属层以同时形成用来填充该槽的穿透硅通道和用来连接穿透硅通道和焊盘的分配层；以及去除半导体芯片的背表面使得穿透硅通道的下表面突出于半导体芯片。本发明还涉及一种半导体封装的制造方法。

公开(公告)号：CN101827782A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200880107351.5

申请日：2008-09-10

申请人： 斯莫特克有限公司

发明人： 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔 ,  安杰·布鲁德

IPC分类号： B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C23C16/22 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/538

CPC分类号： B32B37/12 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  B32B37/16 ,  B32B38/0008 ,  B32B2037/1253 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/302 ,  B32B2307/706 ,  B32B2309/02 ,  B32B2309/12 ,  B32B2310/0831 ,  B32B2313/04 ,  B32B2457/00 ,  B82Y10/00 ,  C09J9/02 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49877 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  Y10T428/24174 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种装置，包括两个导电表面或层、以及粘合到两个导电表面或层的纳米结构组件，从而在两个导电表面或层之间建立电或者热连接，以及一种制备同样组件的方法。

公开(公告)号：CN101785105A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200880103869.1

申请日：2008-08-05

申请人： 美光科技公司

发明人： 马克·S·约翰逊

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明揭示具有减小或消除线路干扰的重新分布结构的微特征裸片。所述微特征裸片可包括衬底(120)，所述衬底具有接合位点(124)及电连接到所述接合位点的集成电路(123)。所述微特征裸片还可包括耦合到所述衬底的重新分布结构(122)。所述重新分布结构可包括：经配置以接纳电耦合器的外部接触(126)位点；电连接到所述外部接触位点及所述接合位点的导电线路(128)；及至少部分地环绕所述导电线路的导电屏蔽(136、142)。

公开(公告)号：CN101740484A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910126308.X

申请日：2009-02-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林全益 ,  李松柏 ,  黄庆坤 ,  林生元

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01029

摘要： 本发明提供了一种形成具有穿透硅通孔(TSV)的半导体器件的方法。包括以下步骤：提供在其上形成有第一电介质层的半导体器件。在该第一电介质层上形成一个或多个电介质层，由此，每一个电介质层具有一个堆叠结构，其中一个或多个电介质层中的堆叠结构的垂直对齐。堆叠结构可能是，例如，金属环。该堆叠结构然后被去除从而形成第一凹口。由第一凹口延伸到到衬底中形成第二凹口。在第二凹口中填充导电物质从而形成TSV。

公开(公告)号：CN101341585B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200780000808.8

申请日：2007-06-04

申请人： 田中贵金属工业株式会社

发明人： 小柏俊典 ,  宫入正幸

IPC分类号： H01L21/52 ,  H05K3/32 ,  H01L21/60 ,  H01B1/22

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11416 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/1155 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/743 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20103

摘要： 本发明提供一种接合方法，即在半导体芯片的芯片键合等中可以在较低的温度下获得具有足够的接合强度的接合部的方法。在半导体芯片(10)上涂布由纯度在99.9重量％以上、平均粒径为0.005μm～1.0μm的选自金粉、银粉、铂粉或钯粉的一种以上的金属粉末和有机溶剂形成的金属糊料(20)。涂布金属糊料(20)后，将其用干燥器真空干燥，将芯片在230℃加热30分钟，将金属糊料烧结，制成粉末金属烧结体(21)。接着，将Ni板(30)置于半导体芯片(10)上，进行加热和加压，从而接合。

公开(公告)号：CN101689746A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880009200.6

申请日：2008-03-18

申请人： 金定洙

发明人： 金定洙

IPC分类号： H01S3/10 ,  G02B27/10

CPC分类号： H01S5/02248 ,  G02B6/29361 ,  G02B6/4206 ,  G02B6/4214 ,  G02B6/4215 ,  G02B6/4246 ,  G02B27/1006 ,  G02B27/1073 ,  G02B27/141 ,  G02B27/145 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/10253 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/02438 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4056 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079

摘要： 本发明涉及自立式平行板分束器及其制作方法和利用此自立式平行板分束器的激光二极管封装体结构。本发明自立式平行板分束器，容易制作，而且为应用于各种形式的激光二极管封装体，制作成可自立的平行板型，从而可利用本发明自立式平行板分束器，容易实现可进行双向通信的激光二极管封装体、具有三工功能的激光二极管封装体、具有波长锁定功能的激光二极管封装体及具备前面监控功能的激光二极管封装体，其利用从激光二极管芯片的前面发射的激光的一部分监控激光二极管芯片的工作状态。

公开(公告)号：CN101611493A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200780050073.X

申请日：2007-12-17

申请人： 泰瑟拉互连材料公司

发明人： K·远藤

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/50 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/188 ,  H05K3/243 ,  H05K3/328 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2203/0369 ,  H05K2203/0384 ,  Y02P70/611 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种多重布线层互联元件(100)包括嵌在互联元件(100)的第一暴露布线层(120)和第二暴露布线层(122)之间的电容器(110)或其它电气部件。内部布线层(124)和(126)设置在相应电容器(110)的暴露表面(112)之间，内部布线层分别通过介电层(114)和(116)与电容器(110)电绝缘。内部布线层(124)、(126)通过内部介电层(130)彼此隔离。导电通路孔(132)提供了两个内部布线层(124、126)之间的导电互联。一种制造多重布线层互联元件的方法也被提供。

公开(公告)号：CN101441992A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810180956.9

申请日：2008-11-20

申请人： 新光电气工业株式会社

发明人： 山野孝治 ,  町田洋弘

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L23/485 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/10 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：制备步骤，制备半导体基板，所述半导体基板包括多个半导体芯片形成区域和设置在所述多个半导体芯片形成区域之间并包括基板切割位置的划线区域；半导体芯片形成步骤，在所述多个半导体芯片形成区域上形成具有电极焊盘的半导体芯片；第一绝缘层形成步骤，在半导体芯片和半导体基板的划线区域上形成第一绝缘层；第二绝缘层形成步骤，在所述第一绝缘层的除与所述基板切割位置相对应的区域以外的部分上形成第二绝缘层；以及切割步骤，在所述基板切割位置处切割所述半导体基板。