公开(公告)号：CN102543927B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110104459.2

申请日：2011-04-21

申请人： 欣兴电子股份有限公司 ,  苏州群策科技有限公司

发明人： 胡玉山 ,  胡迪群 ,  曾子章

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/16267 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10515 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制法制造方法。所述嵌埋穿孔中介层的封装基板包括：具有相对的第一表面及第二表面的模封层、嵌埋于该模封层中且与第二表面齐平的穿孔中介层、嵌埋于该模封层中且设于该穿孔中介层上以外露于该第一表面的线路重布层、以及设于该模封层的第二表面上且电性连接该穿孔中介层的增层结构。由该穿孔中介层嵌埋于该模封层中及于该模封层的第二表面上形成增层结构，以省略使用核心板，故可降低整体结构的厚度，并且此穿孔中介层的热膨胀系数与硅晶圆接近或者相同，可提高封装后热循环测试的信赖度。

公开(公告)号：CN102867783B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201110344851.4

申请日：2011-11-03

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王忠裕 ,  叶宫辰 ,  吴志伟 ,  卢思维 ,  林俊成

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/486 ,  H01L21/673 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了用于在晶圆插入件上实施切割管芯的方法和装置。公开了方法，包括：接收包括一个或多个集成电路管芯的插入组件，该一个或多个集成电路管芯被安装在插入衬底的管芯侧面上，并且具有限定在集成电路管芯之间的空间中的划线区域，该插入件具有用于接收外部连接件的相对侧面；将插入组件的管芯侧面安装在胶带组件上，胶带组件包括胶带和预成形隔离件，该预成形隔离件位于集成电路管芯之间并且填充集成电路管芯之间的间隙；通过在划线区域中切割插入件的相对侧面切割插入组件，从而使切口穿过插入件，这些切口将插入件分离为位于晶圆组件上的一个或多个管芯。公开了该方法使用的装置。

公开(公告)号：CN103187372A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210567748.0

申请日：2012-12-24

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 张景尧 ,  张道智 ,  黄昱玮 ,  林育民 ,  黄馨仪

IPC分类号： H01L23/42 ,  H01L23/38 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/38 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15786 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明公开一种芯片封装结构，其包括载板、第一、二芯片、凸块、第一、二菊链线路、异质热电元件对、第一、二散热元件与封装胶体。第一芯片配置于载板上。第一芯片的第一背面朝向载板的第一表面，第一芯片的第一有源面上具有第一接垫。第二芯片配置于第一芯片上并与载板电连接。第二芯片的第二有源面朝向第一有源面且具有第二接垫。凸块连接第一、二接垫。第一、二菊链线路分别配置于第一、二有源面上。异质热电元件对通过第一、二菊链线路串联连接且与外部元件构成封闭回路。第一、二散热元件分别配置于载板的第二表面与第二芯片的第二背面上。

公开(公告)号：CN103137602A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210448059.8

申请日：2012-11-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭丰维 ,  李惠宇 ,  陈焕能 ,  陈妍臻 ,  林佑霖 ,  周淳朴

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/64 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/642 ,  H01L23/66 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/014

摘要： 提供用于隔离和抑制半导体封装件中的诸如EM辐射的电子噪声的中介层和半导体封装件实施例。在各个实施例中，中介层包括屏蔽结构，该屏蔽结构将来自噪声源的电噪声与其他电信号或器件阻隔开。在一些实施例中，屏蔽件包括实心结构，而在其他实施例中其包括去耦电容器。连接结构包括包含在带中的多个焊球行，该多个焊球行连接部件并且包围和包含电噪声源。本发明提供了带有抑噪部件的中介层以及半导体封装件。

公开(公告)号：CN101887879B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200910165917.6

申请日：2009-08-11

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 黄士辅 ,  苏洹漳 ,  陈嘉成 ,  陈家庆

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/498 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/28 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85664 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 一种单层金属层基板结构，应用于一封装件，其基板结构包括一第一图案化介电层(first patterned dielectric layer)、一图案化金属层(patterned metal layer)和一第二图案化介电层(second patterned dielectric layer)。图案化金属层内埋于第一图案化介电层，且图案化金属层的上表面与第一图案化介电层的上表面为一共平面，其中第一图案化介电层的下表面至少暴露出部分图案化金属层，以形成下方对外电性连接的数个第一接点。第二图案化介电层位于图案化金属层和第一图案化介电层的上方，且第二图案化介电层至少暴露出图案化金属层的部分上表面，以形成上方对外电性连接的数个第二接点。封装件结构则包括至少一晶粒(die)与上述基板的第二接点电性连接，和覆盖第一图案化介电层、图案化金属层、第二图案化介电层和晶粒的胶体(Molding Compound)。

公开(公告)号：CN102544101A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110419164.4

申请日：2011-12-14

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 张恕铭 ,  何彦仕 ,  姚皓然

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种晶片封装体及其制作方法，晶片封装体包括一半导体基底，具有相反的一第一表面与一第二表面，且第一表面具有一凹槽；一漏极电极，配置于第一表面上并覆盖凹槽；一源极电极，配置于第二表面上，且与覆盖凹槽的漏极电极对应设置；以及一栅极电极，配置于第二表面上。本发明可提升导电效能，并提供足够的结构强度，以避免在传送半导体基底的过程中产生破片等情况，且在封装制程中，半导体基底可维持一定的平整度而不会因为厚度过薄而有边缘翘曲等情况产生。

公开(公告)号：CN102543965A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110218310.7

申请日：2011-08-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 金俊德 ,  陈美秀 ,  叶子祯

IPC分类号： H01L23/66

CPC分类号： H01L23/645 ,  H01F19/04 ,  H01L23/48 ,  H01L23/642 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14211 ,  H01L2924/14215 ,  H01L2924/1422 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15786 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19107

摘要： 一种器件，包括：中介层和射频(RF)器件，射频(RF)器件接合到中介层的第一侧。中介层包括第一侧和第二侧，第二侧相对于第一侧。中介层中没有形成中介层通孔。第一无源器件形成在中介层的第一侧上，并且电连接到RF器件。第二无源器件形成在中介层的第二侧上。第一无源器件和第二无源器件配置为在第一无源器件和第二无源器件之间无线传输信号。本发明还提供了一种具有减小的RF损耗的射频封装。

公开(公告)号：CN102422403A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080021256.0

申请日：2010-07-20

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 北浦秀敏 ,  古泽彰男 ,  酒谷茂昭 ,  中村太一 ,  松尾隆广

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27472 ,  H01L2224/2901 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10375 ,  H01L2924/10376 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明的半导体元器件(100)包括：半导体元件(101)；以及接合层(102)，该接合层(102)形成于半导体元件(101)的一个面上，包含以Bi为主要成分的接合材料，在接合层(102)的与半导体元件(101)相接的面的相反一侧的面上形成有凸部(103)。使用该半导体元器件(100)，使其与被配置成与接合层(102)彼此相对的电极(201)接合，从而能够抑制空隙的产生。

公开(公告)号：CN102290357A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110162200.3

申请日：2011-06-16

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 迈克尔·罗瑟

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/27 ,  H01L24/31 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15747 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 本申请公开了一种键合封装及其方法。本发明实现了用于制造电路的无铅或者实质上无铅结构及其相关方法。根据各种示例实施例，使用铜-锡(Cu-Sn)合金结合电路部件，所述Cu-Sn合金熔化且用于形成具有比Cu-Sn合金更高熔点的Cu-Sn化合物，并且将电路部件物理和电学地连接在一起。

公开(公告)号：CN101307475B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200710144197.6

申请日：2007-12-17

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： E·佐克斯 ,  F·J·施瓦格 ,  T·加伊斯克 ,  N·E·布雷斯 ,  M·P·托本

IPC分类号： C25D3/54 ,  C25D3/56

CPC分类号： C25D3/54 ,  C25D3/56 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了含有一种或多种铟离子源和一种或多种表卤代醇共聚物的铟组合物和在基体上由所述组合物电化学沉积金属铟的方法。还公开了由铟组合物制备的制品。