公开(公告)号：US20170173933A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：US15223505

申请日：2016-07-29

申请人： ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE

发明人： Yong Hee KIM ,  Sang-Don JUNG

IPC分类号： B32B37/12 ,  B32B38/10 ,  C25D3/56 ,  B32B37/26 ,  C23F1/02 ,  B32B37/14

CPC分类号： C23F1/02 ,  C23F1/00 ,  C23F1/18 ,  C23F1/44 ,  C25D3/56 ,  C25D3/62 ,  C25D3/64 ,  C25D5/48

摘要： A method for adhering a metal layer and a polymer layer includes forming a metal layer, forming a nanoporous metal structure on the metal layer, and compressing a polymer layer on the nanoporous metal structure such that a polymer is infiltrated into the nanoporous metal structure.

公开(公告)号：US09576693B2

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：US14346025

申请日：2012-09-10

申请人： Yoshitaka Shibuya ,  Kazuhiko Fukamachi ,  Atsushi Kodama

发明人： Yoshitaka Shibuya ,  Kazuhiko Fukamachi ,  Atsushi Kodama

IPC分类号： B32B15/00 ,  H01B1/02 ,  B32B15/01 ,  C25D5/10 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C5/10 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C13/00 ,  C22C19/03 ,  C22C19/07 ,  C22C22/00 ,  C22C27/06 ,  C22C38/00 ,  C22C13/02 ,  H05K3/24 ,  C25D5/50 ,  C25D5/12 ,  C23C18/16 ,  H05K1/11 ,  H01R13/03 ,  C25D3/12 ,  C25D3/20 ,  C25D3/30 ,  C25D3/38 ,  C25D3/46 ,  C25D3/50 ,  C25D3/56 ,  C25D3/62 ,  C25D3/64

CPC分类号： H01B1/02 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C5/10 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  C22C19/03 ,  C22C19/07 ,  C22C22/00 ,  C22C27/06 ,  C22C38/00 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1692 ,  C25D3/12 ,  C25D3/20 ,  C25D3/30 ,  C25D3/38 ,  C25D3/46 ,  C25D3/50 ,  C25D3/567 ,  C25D3/62 ,  C25D3/64 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D5/505 ,  H01R13/03 ,  H05K1/117 ,  H05K1/118 ,  H05K3/244 ,  H05K2201/0341 ,  Y10T428/12681 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715 ,  Y10T428/12722

摘要： There are provided a metal material for electronic component which has low insertability/extractability, low whisker formability, and high durability, and a method for manufacturing the metal material. The metal material 10 for electronic components has a base material 11, an A layer 14 constituting a surface layer on the base material 11 and formed of Sn, In or an alloy thereof, and a B layer 13 constituting a middle layer provided between the base material 11 and the A layer 14 and formed of Ag, Au, Pt, Pd, Ru, Rh, Os, Ir or an alloy thereof, wherein the surface layer (A layer) 14 has a thickness of 0.002 to 0.2 μm, and the middle layer (B layer) 13 has a thickness of 0.001 to 0.3 μm.

摘要翻译： 提供了具有低插入性/提取性，低晶须成形性和高耐久性的电子部件用金属材料以及金属材料的制造方法。 用于电子部件的金属材料10具有基材11，构成基材11的表层的A层14，其由Sn，In或其合金形成，B层13构成中间层， 材料11和A层14，由Ag，Au，Pt，Pd，Ru，Rh，Os，Ir或其合金形成，其中表面层（A层）14的厚度为0.002〜0.2μm， 中间层（B层）13的厚度为0.001〜0.3μm。

公开(公告)号：US09563233B2

公开(公告)日：2017-02-07

申请号：US14460286

申请日：2014-08-14

申请人： MICROSOFT TECHNOLOGY LICENSING, LLC

发明人： Mark Thomas McCormack ,  Anthony Allen Fischer ,  Raj Master ,  Farah Shariff ,  Dennis Tom ,  Zulfiqar Alam

IPC分类号： H01R9/00 ,  H02B1/04 ,  G06F1/16 ,  C25D7/00 ,  C25D3/50 ,  C25D3/62 ,  C25D5/10 ,  H01R13/03

CPC分类号： G06F1/163 ,  C25D3/50 ,  C25D3/62 ,  C25D5/10 ,  C25D7/00 ,  G06F1/1684 ,  H01R13/03

摘要： An electronic device includes an electronic component configured to receive electric current and a plated contact electrically coupled to the electronic component and configured to carry the electric current to the electronic component from a system external to the device. The plated contact includes a copper-alloy layer, a platinum-group metal (PGM) layer plated over the copper-alloy layer, and a gold-alloy layer plated over the PGM layer.

摘要翻译： 电子设备包括被配置为接收电流的电子部件和电耦合到电子部件并被配置为将电流从设备外部的系统传送到电子部件的电镀触点。 电镀触点包括铜合金层，镀在铜合金层上的铂族金属（PGM）层和镀在PGM层上的金合金层。

公开(公告)号：US20160308100A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：US14689491

申请日：2015-04-17

申请人： CHIPMOS TECHNOLOGIES INC

发明人： TUNG BAO LU ,  HENG-SHENG WANG ,  TZU-HAN HSU

IPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/48 ,  H01L23/00 ,  H01L33/40

CPC分类号： H01L24/11 ,  C23C18/1653 ,  C25D3/60 ,  C25D3/62 ,  C25D5/02 ,  C25D5/505 ,  C25D7/123 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/324 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2924/0665

摘要： A semiconductor package comprises a semiconductor chip having an active surface with a conductive pad thereon; an electroplated Au—Sn alloy bump over the active surface; and a (glass) substrate comprising conductive traces electrically coupling with the electroplated Au—Sn alloy bump, wherein the electroplated Au—Sn alloy bump has a composition from about Au0.85Sn0.15 to about Au0.75Sn0.25 in weight percent uniformly distributed from an end in proximity to the active surface to an end in proximity to the substrate. A method of manufacturing a semiconductor package comprises forming patterns of conductive pads on an active surface of a semiconductor chip; electroplating Au—Sn alloy bump over the conductive pads; and bonding the semiconductor chip on a corresponding conductive trace on a substrate by a reflow operation or a thermal press operation.

摘要翻译： 半导体封装包括其上具有导电焊盘的活性表面的半导体芯片; 在活性表面上的电镀Au-Sn合金凸块; 和包括与电镀的Au-Sn合金凸块电耦合的导电迹线的（玻璃）衬底，其中所述电镀Au-Sn合金凸块具有以重量百分比计均匀分布的约Au0.85Sn0.15至约Au0.75Sn0.25的组成 从靠近活性表面的一端到靠近基底的一端。 制造半导体封装的方法包括在半导体芯片的有源表面上形成导电焊盘的图案; 在导电焊盘上电镀Au-Sn合金凸块; 以及通过回流操作或热压操作将半导体芯片接合在衬底上的相应导电迹线上。

公开(公告)号：US20160168741A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：US14904926

申请日：2014-07-04

申请人： HARTING KGAA

发明人： Alexander Meyerovich ,  Frank Brode

IPC分类号： C25D5/12 ,  C25D5/34 ,  C25D5/36 ,  C25D7/00 ,  H01B13/00 ,  B32B15/01 ,  H01B1/02 ,  C25D5/18 ,  C25D3/62 ,  C25D5/10 ,  C25F1/00

CPC分类号： C25D5/12 ,  B32B15/013 ,  B32B15/018 ,  C25D3/62 ,  C25D5/10 ,  C25D5/18 ,  C25D5/34 ,  C25D5/36 ,  C25D7/00 ,  C25F1/00 ,  H01B1/02 ,  H01B1/026 ,  H01B13/00

摘要： The invention relates to a method for producing an electric contact element, the base of the contact element being made of a metal substrate which undergoes the following method steps in the listed order: a. a cold and/or hot and/or electrolytic degreasing of the substrate, b. an activation of the surface of the substrate i. in a nickel strike bath or ii. in a fluoride-containing activation solution or iii. in a fluoride-free activation solution, c. a galvanic deposition of an intermediate layer i., wherein a galvanically deposited nickel layer or ii. a nickel alloy layer, or iii. a copper alloy layer is applied as the intermediate layer, and d. an electrolytic deposition of a gold alloy layer in a direct and/or pulse current method in which the current density ranges from 0.3 to 0.6 A/dm2.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造电接触元件的方法，该接触元件的基底由金属基底制成，其按以下顺序进行以下方法步骤：a。 b）基材的冷和/或热和/或电解脱脂，b。 基板表面的激活i。 在镍罢工浴或ii。 在含氟化物的活化溶液中或iii。 在无氟化物的活化溶液中，c。 中间层i的电沉积，其中电镀镍层或ii。 镍合金层，或iii。 应用铜合金层作为中间层，d。 电流密度范围为0.3〜0.6A / dm 2的直接和/或脉冲电流法中的金合金层的电解沉积。

公开(公告)号：US09297087B2

公开(公告)日：2016-03-29

申请号：US13292733

申请日：2011-11-09

申请人： Yutaka Morii ,  Masanori Orihashi

发明人： Yutaka Morii ,  Masanori Orihashi

IPC分类号： C23C28/00 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D3/62

CPC分类号： C25D3/62 ,  C25D5/12

摘要： A gold alloy plating solution and plating method thereof that provides a gold plating solution with high deposition selectivity by using a gold plating solution that contains gold cyanide, cobalt ions, hexamethylene tetramine, and specific glossing agents.

公开(公告)号：US09220169B2

公开(公告)日：2015-12-22

申请号：US11821327

申请日：2007-06-21

申请人： Dao Min Zhou ,  James Singleton Little ,  Robert J. Greenberg

发明人： Dao Min Zhou ,  James Singleton Little ,  Robert J. Greenberg

IPC分类号： A61N1/36 ,  H05K3/36 ,  A61N1/02 ,  C25D3/62 ,  C25D5/02 ,  C25D5/18 ,  C25D5/56 ,  H05K3/32 ,  C25D3/56

CPC分类号： H05K3/361 ,  A61N1/02 ,  A61N1/36046 ,  C25D3/567 ,  C25D3/62 ,  C25D5/02 ,  C25D5/18 ,  C25D5/56 ,  H05K3/32 ,  H05K2203/0723

摘要： Device is a hermetically sealed electronics package bonded to an electrode or flexible circuit that is suitable for implantation such as for a retinal or cortical electrode array. The hermetically sealed electronics package is bonded to the electrode or flexible circuit by electroplating a biocompatible material, such as platinum or gold, forming a plated connection, bonding the flexible circuit to the electronics package. The resulting electronic device is biocompatible and is suitable for long-term implantation. The device comprises a substrate containing a contact, a flexible assembly containing a pad, and electroplated bonding between said contact and said pad that bonds said substrate and said flexible assembly together.

摘要翻译： 器件是密封的电子封装，其结合到适合于植入的电极或柔性电路，例如用于视网膜或皮质电极阵列。 电气密封的电子封装通过电镀生物相容性材料（例如铂或金）而结合到电极或柔性电路上，形成电镀连接，将柔性电路接合到电子封装。 所得到的电子器件是生物相容的并且适用于长期植入。 该装置包括含有接触件的基板，包含焊盘的柔性组件以及在所述接触件和所述焊盘之间的电镀接合，将所述基板和所述柔性组件接合在一起。

公开(公告)号：US20150345039A1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：US14812134

申请日：2015-07-29

申请人： NATIONAL INSTITUTE OF STANDARDS AND TECHNOLOGY

发明人： Daneil JOSELL ,  Thomas MOFFAT

IPC分类号： C25D3/38 ,  C25D5/04 ,  C25D21/12

CPC分类号： C25D3/38 ,  C25D3/12 ,  C25D3/46 ,  C25D3/48 ,  C25D3/54 ,  C25D3/562 ,  C25D3/58 ,  C25D3/62 ,  C25D3/64 ,  C25D5/003 ,  C25D5/04 ,  C25D7/123 ,  C25D21/10 ,  C25D21/12

摘要： A composition includes a solvent; a metal ion disposed in the solvent; an accelerator disposed in the solvent; and a suppressor disposed in the solvent, a pH of the composition being alkaline and effective to form a superconformation comprising a damascene deposit that includes an electrochemically reduced form of the metal ion. A process for forming a superconformation includes: contacting a substrate with a composition, the composition including: a solvent; a metal ion disposed in the solvent; an accelerator disposed in the solvent; and a suppressor disposed in the solvent; controlling a pH of the composition to be alkaline; and producing a damascene deposit on the substrate to form the superconformation, the damascene deposit including an electrochemically reduced form of the metal ion.

摘要翻译： 组合物包括溶剂; 设置在溶剂中的金属离子; 设置在溶剂中的促进剂; 和设置在溶剂中的抑制剂，所述组合物的pH为碱性并且有效地形成超结构，其包含包含电化学还原形式的金属离子的镶嵌沉积物。 形成超结构的方法包括：使基底与组合物接触，所述组合物包括：溶剂; 设置在溶剂中的金属离子; 设置在溶剂中的加速剂; 和设置在溶剂中的抑制剂; 控制组合物的pH为碱性; 并在基底上产生镶嵌沉积物以形成超结构，镶嵌沉积物包括电化学还原形式的金属离子。

公开(公告)号：US20150284866A1

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：US14430364

申请日：2013-07-31

申请人： HARTING KGAA

发明人： Alexander Meyerovich ,  Frank Brode

IPC分类号： C25D5/14 ,  C25D3/48 ,  C25D7/00 ,  C25D3/56 ,  H01R43/16 ,  C25D5/34 ,  C25D5/48 ,  B32B15/01 ,  H01R13/03 ,  C25D3/12 ,  C25D3/62

CPC分类号： C25D5/14 ,  B32B15/01 ,  C22C1/02 ,  C22C5/02 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C19/03 ,  C23C28/021 ,  C23C28/023 ,  C25D3/12 ,  C25D3/48 ,  C25D3/562 ,  C25D3/62 ,  C25D5/34 ,  C25D5/36 ,  C25D5/48 ,  C25D7/00 ,  H01R13/03 ,  H01R43/16

摘要： The invention relates to a method for manufacturing electrical contact elements, wherein the contact element is substantially made from a base body, wherein the base body is subjected to the following method steps in the order listed: a. degreasing the surface, for example by cold degreasing and/or hot degreasing and/or electrolytic degreasing, b. washing in order to remove any present chemical residues, c. activating the surface, d. depositing a nickel layer, e. further washing in order to remove any present chemical residues, f. depositing a nickel layer, g. further washing in order to remove any present chemical residues, h. depositing a gold layer or a gold alloy.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造电接触元件的方法，其中接触元件基本上由基体制成，其中基体按照所列顺序进行以下方法步骤：a。 例如通过冷脱脂和/或热脱脂和/或电解脱脂来脱脂表面，b。 洗涤以除去任何现有的化学残留物，c。 激活表面，d。 沉积镍层， 进一步洗涤以除去任何目前的化学残留物，f。 沉积镍层， 进一步洗涤以除去任何存在的化学残留物，h。 沉积金层或金合金。

公开(公告)号：US20150112180A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：US14288213

申请日：2014-05-27

申请人： Electronics and Telecommunications Research Institute

发明人： Yong Hee KIM ,  Nam Seob BAEK ,  Sang Don JUNG

IPC分类号： A61B5/04 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12

CPC分类号： C25D13/02 ,  A61B5/0478 ,  C25D3/62 ,  C25D7/00

摘要： A mesoporous neuronal electrode using a surfactant and a method of making the same are disclosed. A mesoporous neuronal electrode according to an exemplary embodiment includes a first metal nanoparticle, a second metal nanoparticle or both of the first and second metal nanoparticles on a surface of the electrode.

摘要翻译： 公开了使用表面活性剂的介孔神经元电极及其制备方法。 根据示例性实施方案的介孔神经元电极在电极的表面上包括第一金属纳米颗粒，第二金属纳米颗粒或第一和第二金属纳米颗粒两者。