公开(公告)号：US08841773B2

公开(公告)日：2014-09-23

申请号：US13608456

申请日：2012-09-10

申请人： Hung-Pin Chang ,  Chien-Ming Chiu ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Shau-Lin Shue ,  Chen-Hua Yu

发明人： Hung-Pin Chang ,  Chien-Ming Chiu ,  Tsang-Jiuh Wu ,  Shau-Lin Shue ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/683 ,  H01L23/00 ,  H01L23/525

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/525 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A multi-layer interconnect structure for stacked die configurations is provided. Through-substrate vias are formed in a semiconductor substrate. A backside of the semiconductor substrate is thinned to expose the through-substrate vias. An isolation film is formed over the backside of the semiconductor substrate and the exposed portion of the through-substrate vias. A first conductive element is formed electrically coupled to respective ones of the through-substrate vias and extending over the isolation film. One or more additional layers of isolation films and conductive elements may be formed, with connection elements such as solder balls being electrically coupled to the uppermost conductive elements.

摘要翻译： 提供了用于堆叠管芯配置的多层互连结构。 在半导体衬底中形成贯通衬底通孔。 将半导体衬底的背面变薄以暴露通过衬底的通孔。 在半导体衬底的背面和贯通衬底通孔的暴露部分之后形成隔离膜。 第一导电元件被形成为电耦合到贯穿衬底通孔中的相应通孔并且在隔离膜上延伸。 可以形成一个或多个附加层的隔离膜和导电元件，其中诸如焊球的连接元件电耦合到最上面的导电元件。

公开(公告)号：US08797057B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13025931

申请日：2011-02-11

申请人： Wei-Cheng Wu ,  Hsien-Pin Hu ,  Shang-Yun Hou ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu ,  Chao-Hsiang Yang

发明人： Wei-Cheng Wu ,  Hsien-Pin Hu ,  Shang-Yun Hou ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu ,  Chao-Hsiang Yang

IPC分类号： G01R31/00

CPC分类号： G01R31/2896 ,  G01R1/0416 ,  G01R31/2601 ,  G01R31/2884 ,  G01R31/2886 ,  G01R31/2889 ,  G01R31/2893 ,  H01L22/32 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0614 ,  H01L2224/0616 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014

摘要： Test structures for performing electrical tests of devices under one or more microbumps are provided. Each test structure includes at least one microbump pad and a test pad. The microbump pad is a part of a metal pad connected to an interconnect for a device. A width of the microbump pad is equal to or less than about 50 μm. The test pad is connected to the at least one microbump pad. The test pad has a size large enough to allow circuit probing of the device. The test pad is another part of the metal pad. A width of the test pad is greater than the at least one microbump pad.

摘要翻译： 提供用于对一个或多个微丸下的装置进行电测试的测试结构。 每个测试结构包括至少一个微型块和测试垫。 微型焊盘是与设备的互连件连接的金属焊盘的一部分。 微型焊盘的宽度等于或小于约50μm。 测试垫连接到至少一个微型块。 测试垫的尺寸足够大以允许设备的电路探测。 测试垫是金属垫的另一部分。 测试垫的宽度大于至少一个微小块垫。

公开(公告)号：US08796132B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13539188

申请日：2012-06-29

申请人： Ming-Chung Sung ,  Yung Ching Chen ,  Chien-Hsun Lee ,  Chen-Hua Yu ,  Mirng-Ji Lii

发明人： Ming-Chung Sung ,  Yung Ching Chen ,  Chien-Hsun Lee ,  Chen-Hua Yu ,  Mirng-Ji Lii

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L21/4825 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L24/742 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Disclosed herein is a system and method for mounting semiconductor packages by forming one or more interconnects, optionally, with a wirebonder, and mounting the interconnects to a mounting pad on a target package. Mounting the interconnect may comprise ultrasonically welding the interconnects to the mounting pads, and the interconnect may be mounted via a mounting node on the end of the interconnect, wherein the mounting node may be formed by an electric flame off process. The interconnects may be trimmed to one or more substantially uniform heights, optionally using a laser or contact-type trimming system, and the tails of the interconnects may be supported during trimming. A top package may be bonded on the trimmed ends of the interconnects. During mounting, a support plate may be used to support the package, and a mask maybe used during interconnect mounting.

摘要翻译： 本文公开了一种用于通过形成一个或多个互连件，可选地用引线键合器安装半导体封装以及将互连件安装到目标封装上的安装焊盘来安装半导体封装件的系统和方法。 安装互连可以包括将互连件超声波焊接到安装焊盘，并且互连可以经由互连端部上的安装节点来安装，其中安装节点可以由电火焰熄灭工艺形成。 互连可以被修剪到一个或多个基本均匀的高度，可选地使用激光或接触式修剪系统，并且在修剪期间可以支撑互连的尾部。 顶部封装可以结合在互连件的修剪端上。 在安装期间，可以使用支撑板来支撑封装，并且在互连安装期间可以使用掩模。

公开(公告)号：US08779445B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US12179160

申请日：2008-07-24

申请人： Chen-Hua Yu ,  Hung-Ta Lin ,  Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chia-Lin Yu

发明人： Chen-Hua Yu ,  Hung-Ta Lin ,  Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chia-Lin Yu

IPC分类号： H01L29/18

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12

摘要： A light emitting diodes (LEDs) is presented. The LED includes a stress-alleviation layer on a substrate. Open regions and stress-alleviation layer regions are formed on the substrate. Epitaxial layers are disposed on the substrate, at least in the open regions therein, thereby forming an LED structure. The substrate is diced through at least a first portion of the stress-alleviation regions, thereby forming the plurality of LEDs.

摘要翻译： 提供了发光二极管（LED）。 LED在衬底上包括应力消除层。 在基板上形成开放区域和应力缓和层区域。 外延层至少在其中的开放区域中设置在基板上，从而形成LED结构。 通过应力缓解区域的至少第一部分切割衬底，从而形成多个LED。

公开(公告)号：US08680647B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13464081

申请日：2012-05-04

申请人： Chen-Hua Yu ,  Shang-Yun Hou ,  Der-Chyang Yeh ,  Shuo-Mao Chen ,  Chiung-Han Yeh ,  Yi-Jou Lin

发明人： Chen-Hua Yu ,  Shang-Yun Hou ,  Der-Chyang Yeh ,  Shuo-Mao Chen ,  Chiung-Han Yeh ,  Yi-Jou Lin

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/64

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/64 ,  H01L24/19 ,  H01L27/016 ,  H01L28/00 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/19031 ,  H01L2924/19033 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A device includes a substrate, a metal pad over the substrate, and a passivation layer having a portion over the metal pad. A Post-Passivation Interconnect (PPI) line is disposed over the passivation layer and electrically coupled to the metal pad. An Under-Bump Metallurgy (UBM) is disposed over and electrically coupled to the PPI line. A passive device includes a portion at a same level as the UBM. The portion of the passive device is formed of a same material as the UBM.

摘要翻译： 一种器件包括衬底，衬底上的金属焊盘以及具有在金属焊盘上的部分的钝化层。 后钝化互连（PPI）线设置在钝化层上并电耦合到金属焊盘。 爆炸性冶金（UBM）被布置在电气耦合到PPI线路上。 无源设备包括与UBM处于相同水平的部分。 无源器件的部分由与UBM相同的材料形成。

公开(公告)号：US08664760B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13343582

申请日：2012-01-04

申请人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Cheng-Chieh Hsieh ,  Kuo-Ching Hsu ,  Ying-Ching Shih ,  Po-Hao Tsai ,  Chin-Fu Kao ,  Cheng-Lin Huang ,  Jing-Cheng Lin

发明人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Cheng-Chieh Hsieh ,  Kuo-Ching Hsu ,  Ying-Ching Shih ,  Po-Hao Tsai ,  Chin-Fu Kao ,  Cheng-Lin Huang ,  Jing-Cheng Lin

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/04 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00

摘要： A device includes a top dielectric layer having a top surface. A metal pillar has a portion over the top surface of the top dielectric layer. A non-wetting layer is formed on a sidewall of the metal pillar, wherein the non-wetting layer is not wettable to the molten solder. A solder region is disposed over and electrically coupled to the metal pillar.

公开(公告)号：US08664041B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13445699

申请日：2012-04-12

申请人： Yu-Jen Tseng ,  Guan-Yu Chen ,  Sheng-Yu Wu ,  Chen-Hua Yu ,  Mirng-Ji Lii ,  Chen-Shien Chen ,  Tin-Hao Kuo

发明人： Yu-Jen Tseng ,  Guan-Yu Chen ,  Sheng-Yu Wu ,  Chen-Hua Yu ,  Mirng-Ji Lii ,  Chen-Shien Chen ,  Tin-Hao Kuo

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： G06F17/5068 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/1144

摘要： A method and device for preventing the bridging of adjacent metal traces in a bump-on-trace structure. An embodiment comprises determining the coefficient of thermal expansion (CTE) and process parameters of the package components. The design parameters are then analyzed and the design parameters may be modified based on the CTE and process parameters of the package components.

摘要翻译： 一种用于防止在跟踪轨迹结构中的相邻金属迹线桥接的方法和装置。 一个实施例包括确定包装部件的热膨胀系数（CTE）和工艺参数。 然后分析设计参数，并且可以基于包装部件的CTE和工艺参数来修改设计参数。

公开(公告)号：US08647796B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US13192113

申请日：2011-07-27

申请人： Chen-Hua Yu ,  Chung-Shi Liu ,  Hung-Jui Kuo

发明人： Chen-Hua Yu ,  Chung-Shi Liu ,  Hung-Jui Kuo

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： H01L23/5226 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/095 ,  H01L21/311 ,  H01L21/76804 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/81

摘要： A system and method for forming photoresists over semiconductor substrates is provided. An embodiment comprises a photoresist with a concentration gradient. The concentration gradient may be formed by using a series of dry film photoresists, wherein each separate dry film photoresist has a different concentration. The separate dry film photoresists may be formed separately and then placed onto the semiconductor substrate before being patterned. Once patterned, openings through the photoresist may have a tapered sidewall, allowing for a better coverage of the seed layer and a more uniform process to form conductive materials through the photoresist.

摘要翻译： 提供了一种用于在半导体衬底上形成光致抗蚀剂的系统和方法。 一个实施方案包括具有浓度梯度的光致抗蚀剂。 浓度梯度可以通过使用一系列干膜光致抗蚀剂形成，其中每个单独的干膜光致抗蚀剂具有不同的浓度。 单独的干膜光致抗蚀剂可以单独形成，然后在图案化之前放置在半导体衬底上。 一旦被图案化，通过光致抗蚀剂的开口可以具有锥形侧壁，允许更好地覆盖种子层，以及更均匀的工艺以通过光致抗蚀剂形成导电材料。

公开(公告)号：US20140027872A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US13558063

申请日：2012-07-25

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Jing-Cheng Lin

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Jing-Cheng Lin

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14689 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/02327 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： A device includes a semiconductor substrate, an image sensor at a front surface of the semiconductor substrate, and a plurality of dielectric layers over the image sensor. A color filter and a micro lens are disposed over the plurality of dielectric layers and aligned to the image sensor. A through via penetrates through the semiconductor substrate. A Redistribution Line (RDL) is disposed over the plurality of dielectric layers, wherein the RDL is electrically coupled to the through via. A polymer layer covers the RDL.

摘要翻译： 一种器件包括半导体衬底，在半导体衬底的前表面处的图像传感器和图像传感器上的多个电介质层。 滤色器和微透镜设置在多个介电层上并与图像传感器对准。 穿通通孔穿过半导体衬底。 再分配线（RDL）设置在多个介电层上，其中RDL电连接到通孔。 聚合物层覆盖RDL。

公开(公告)号：US20140015086A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US13546847

申请日：2012-07-11

申请人： Chen-Hua Yu ,  Yung Ching Chen ,  Chien-Hsun Lee ,  Mirng-Ji Lii

发明人： Chen-Hua Yu ,  Yung Ching Chen ,  Chien-Hsun Lee ,  Mirng-Ji Lii

IPC分类号： H01L31/02

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/02002 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A device includes a metal pad at a surface of an image sensor chip, wherein the image sensor chip includes an image sensor. A stud bump is disposed over, and electrically connected to, the metal pad. The stud bump includes a bump region, and a tail region connected to the bump region. The tail region includes a metal wire portion substantially perpendicular to a top surface of the metal pad. The tail region is short enough to support itself against gravity.

摘要翻译： 一种设备包括在图像传感器芯片的表面处的金属焊盘，其中图像传感器芯片包括图像传感器。 螺柱凸块设置在金属垫的上方并电连接到金属垫。 凸起凸块包括凸起区域和连接到凸起区域的尾部区域。 尾部区域包括基本上垂直于金属垫的顶表面的金属线部分。 尾部区域足够短，能够抵抗重力。