公开(公告)号：WO2015048621A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：PCT/US2014/058000

申请日：2014-09-29

申请人： HENKEL IP & HOLDING GMBH ,  ZHU, Pukun ,  HOANG, Gina V. ,  GUPTA, Shashi K. ,  LAIB, Andrew

发明人： ZHU, Pukun ,  HOANG, Gina V. ,  GUPTA, Shashi K. ,  LAIB, Andrew

IPC分类号： C08L63/10 ,  C09J163/10 ,  H01B1/24 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L24/32 ,  C08G59/34 ,  C08K3/08 ,  C08K3/10 ,  C08K2003/0806 ,  C08K2201/001 ,  C08L63/00 ,  C08L63/10 ,  C08L79/08 ,  C08L79/085 ,  C08L2205/02 ,  C09J163/10 ,  H01B1/22 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0645 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/069 ,  H01L2924/0695 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/07 ,  H01L2924/095 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012

摘要： Provided herein are conductive die attach films having advantageous properties for use in a variety of applications, e.g., for the preparation of large die semiconductor packages. Also provided are formulations useful for the preparation of such films, as well as methods for making such formulations. In additional aspects of the present invention, there are provided conductive networks prepared from compositions according to the present invention. In additional aspects, the invention further relates to articles comprising such conductive die attach films adhered to a suitable substrate therefor.

摘要翻译： 本文提供了具有用于各种应用的有利性质的导电芯片附着膜，例如用于制备大型芯片半导体封装。 还提供了可用于制备这种膜的制剂，以及制备这种制剂的方法。 在本发明的另外的方面，提供了由根据本发明的组合物制备的导电网络。 在另外的方面，本发明还涉及包含粘附到合适的基底上的这种导电管芯附着膜的制品。

公开(公告)号：WO2015046082A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：PCT/JP2014/074919

申请日：2014-09-19

申请人： 日東電工株式会社

发明人： 福井　章洋 ,  高本　尚英 ,  花園　博行

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2021/60135 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29398 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83211 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/095 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/27 ,  H01L21/304 ,  H01L2221/68368 ,  H01L21/78

摘要： 　半導体チップのバンプ形成面にシート状樹脂組成物が貼り付けられたシート状樹脂組成物付きチップを準備する工程Ａと、電極が形成された実装用基板を準備する工程Ｂと、実装用基板に、シート状樹脂組成物付きチップを、シート状樹脂組成物を貼り合わせ面にして貼り付けて、半導体チップに形成されたバンプと実装用基板に形成された電極とを対向させる工程Ｃと、工程Ｃの後に、シート状樹脂組成物を加熱して半硬化させる工程Ｄと、工程Ｄの後に、工程Ｄにおける加熱よりも高温で加熱し、バンプと電極とを接合するとともに、シート状組成物を硬化させる工程Ｅとを含む半導体装置の製造方法。

摘要翻译： 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：将片状树脂组合物粘合到半导体芯片的凸块形成面上而制备具有片状树脂组合物的芯片的工序（A） 步骤（B），用于制备其上形成有电极的安装基板; 使用片状树脂组合物作为粘合面，将装载了片状树脂组合物的芯片粘贴到安装基板上的步骤（C），并使形成在半导体芯片上的凸块和形成在安装件上的电极 底物相互面对; 步骤（D），用于在步骤（C）之后加热和半固化片状树脂组合物; 和步骤（D）之后的步骤（D），使得片状树脂组合物固化，并且通过加热将凸起和电极接合到比步骤（D）中的加热期间所使用的温度更高的温度。

公开(公告)号：WO2015045877A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：PCT/JP2014/073965

申请日：2014-09-10

申请人： デクセリアルズ株式会社

发明人： 森山　浩伸

IPC分类号： H01L21/60 ,  C08G59/18

CPC分类号： H01L23/293 ,  C08G59/18 ,  C08G59/24 ,  C08G59/4207 ,  C08G59/686 ,  C08K5/14 ,  C08L33/10 ,  C08L63/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/921 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00

摘要： 　ボイドレス実装及び良好なハンダ接合性を実現するアンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。エポキシ樹脂と、硬化剤とを含有し、示差走査熱量計を用いた小沢法により算出された２４０℃での反応率の２０％に到達する時間が、２．０ｓｅｃ以下であり、該反応率の６０％に到達する時間が、３．０ｓｅｃ以上であるアンダーフィル材を用いる。これにより、ボイドレス実装及び良好なハンダ接合性を実現することができる。

摘要翻译： 本发明提供：底部填充材料，其允许无空间安装和良好的焊接性能; 以及使用所述底部填充材料制造半导体器件的方法。 所述底部填充材料含有环氧树脂和硬化剂。 通过使用差示扫描量热计的Ozawa方法在240℃下所述底部填充材料的反应速率最多为2.0s，达到20％和至少3.0s，达到60％。 使用所述底部填充材料允许无空隙安装和良好的焊接性能。

公开(公告)号：WO2014078138A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：PCT/US2013/068630

申请日：2013-11-06

申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

发明人： SYLVESTRE, Julien

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L21/50 ,  H01L21/563 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/29286 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/182 ,  H01L2924/3701 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/11

摘要： A method of assembling a semiconductor chip (10) to a substrate (14) wherein at least one of the semiconductor chip (10) and substrate (14) comprise solder bumps (12, 18). The method includes aligning the semiconductor chip (10) with the substrate (14); applying a compression force to the semiconductor chip (10) to cause the solder bumps (12, 18) to deform between the semiconductor chip pads (11) and the substrate pads (20), the compression force being applied while the semiconductor chip (10) and substrate (14) are held at a temperature above room temperature and below a temperature at which any liquid will form in at least one of the solder bumps (12, 18); then applying an underfill material (26) to fill the gap between the chip (10) and substrate (14); and then heating the assembled semiconductor chip (10) and substrate (14) to an elevated temperature to cause the solder bumps (12, 18) to melt and reflow and form a metallurgical bond between the semiconductor chip pads (11) and the substrate pads (20).

摘要翻译： 一种将半导体芯片（10）组装到衬底（14）的方法，其中半导体芯片（10）和衬底（14）中的至少一个包括焊料凸块（12,18）。 该方法包括使半导体芯片（10）与衬底（14）对准; 对半导体芯片（10）施加压缩力，使得焊料凸块（12,18）在半导体芯片焊盘（11）和衬底焊盘（20）之间变形，在半导体芯片（10） ）和衬底（14）保持在高于室温并且低于在至少一个焊料凸块（12,18）中将形成任何液体的温度的温度）。 然后施加底部填充材料（26）以填充所述芯片（10）和所述基板（14）之间的间隙; 然后将组装的半导体芯片（10）和衬底（14）加热到升高的温度，以使焊料凸点（12,18）熔化和回流并在半导体芯片焊盘（11）和衬底焊盘之间形成冶金结合 （20）。

公开(公告)号：WO2014041601A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：PCT/JP2012/073204

申请日：2012-09-11

申请人： 株式会社メイコー ,  八巻 晃 ,  小林 竜也 ,  戸田 光昭

发明人： 八巻　晃 ,  小林　竜也 ,  戸田　光昭

IPC分类号： H05K3/46 ,  H05K1/02 ,  H05K3/34

CPC分类号： H05K3/0008 ,  C25D7/0607 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/544 ,  H01L24/19 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82132 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/0269 ,  H05K1/09 ,  H05K1/185 ,  H05K1/188 ,  H05K3/305 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/403 ,  H05K3/4038 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4655 ,  H05K3/4658 ,  H05K3/4661 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0293 ,  H05K2201/09063 ,  H05K2201/09472 ,  H05K2201/09918 ,  H05K2203/0353 ,  H05K2203/0361 ,  H05K2203/063 ,  H01L2924/00

摘要： 　本発明の部品内蔵基板の製造方法は、銅層（４）に形成されたマーク（１２）であって、銅のエッチングに用いられる銅エッチング剤に対して、銅よりもエッチングされ難い材料からなるマーク（１２）を基準にして電子部品（１４）を位置決めし、銅層（４）上に接着層（１８）を介在させて電子部品（１４）を搭載した後、電子部品（１４）及びマーク（１２）を絶縁基板（３４）内に埋設し、その後、銅層（４）の一部をエッチング除去してマーク（１２）を露出させるウィンドウ（Ｗ１）を形成し、露出したマーク（１２）を基準にして電子部品（１４）の端子（２０）まで到達するＬＶＨ（４６）を形成し、このＬＶＨ（４６）に銅めっきを施して形成した導通ビア（４７）を介して端子（２０）と銅層（４）とを電気的に接続し、その後、銅層（４）を配線パターン（５０）に形成する。

摘要翻译： 在该嵌入式部件基板的制造方法中，使用以铜层（4）形成的标记（12）作为基准来定位电子部件（14），这些标记包含比铜更耐铜的材料 刻蚀剂用于蚀刻铜。 电子部件（14）以其间插入有粘接层（18）的方式安装在铜层（4）上，之后将电子部件（14）和标记（12）嵌入绝缘基板（34）。 然后，通过蚀刻去除铜层（4）的一部分以形成窗口（W1），从而露出到达电子部件（14）的端子（20）的标记（12）和LVH（46）是 使用曝光标记（12）作为基准形成，并且端子（20）和铜层（4）通过通过镀铜LVH（46）形成的导电通孔（47）电连接，之后铜 层（4）形成为布线图案（50）。

公开(公告)号：WO2014024849A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：PCT/JP2013/071167

申请日：2013-08-05

申请人： 積水化学工業株式会社

发明人： 脇岡　さやか ,  中川　弘章 ,  西村　善雄 ,  定永　周治郎

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/29 ,  C08K9/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76841 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00012

摘要： 本発明は、ボイドを抑制して高い信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、該半導体装置の製造方法に用いられるフリップチップ実装用接着剤を提供することを目的とする。本発明は、半田からなる先端部を有する突起電極が形成された半導体チップを、接着剤を介して基板上に位置合わせする工程１と、前記半導体チップを半田溶融点以上の温度に加熱して、前記半導体チップの突起電極と前記基板の電極部とを溶融接合させるとともに、前記接着剤を仮接着させる工程２と、前記接着剤を加圧雰囲気下で加熱してボイドを除去する工程３とを有し、前記接着剤は、示差走査熱量測定及び小澤法によって求めた活性化エネルギーΔＥが１００ｋＪ／ｍｏｌ以下、２６０℃２秒後における反応率が２０％以下、２６０℃４秒後における反応率が４０％以下である半導体装置の製造方法である。

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种能够抑制空隙并实现高可靠性的半导体器件的制造方法。 本发明的另一个目的是提供一种用于安装倒装芯片并用于制造半导体器件的方法中的粘合剂。 半导体器件的制造方法具有：通过粘合剂在基板上形成有在其上形成有具有由焊料形成的前端部的突出电极的半导体芯片的步骤1; 用于将半导体芯片加热到焊料熔点以上的温度的步骤2，将半导体芯片的突出电极和基板的电极部分熔合，并且还与粘合剂暂时接合; 以及通过在加压气氛中加热粘合剂来消除空隙的步骤3。 粘合剂具有通过差示扫描量热法和Ozawa法测定的活化能DeltaE为100kJ / mol以下，在260℃下2秒后的反应速度为20％以上，4℃以后的反应率为40％以下 秒在260°C。

公开(公告)号：WO2013165324A2

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：PCT/TH2013000017

申请日：2013-04-05

申请人： MEKTEC MFG CORP THAILAND LTD ,  CHULALONGKORN UNIVERSITY

发明人： JITJONGGRUCK SATHID ,  SOMWANGTHANARAOJ ANONGNAT

IPC分类号： C09D163/04

CPC分类号： H01L23/293 ,  C09D163/04 ,  H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： The present disclosure relates generally to encapsulant materials, a method of making thereof and the use thereof for maintaining the electrical and mechanical integrity of solder connections between electronic devices and substrates. More specifically, the present disclosure relates to reflow encapsulant materials with fluxing properties and a method of making thereof. The present disclosure further relates to a method of manufacturing flip-chip assemblies using the reflow encapsulant materials of the present disclosure wherein only one heating cycle is utilized.

摘要翻译： 本公开一般涉及密封剂材料，其制备方法及其用于维持电子器件和基底之间的焊料连接的电气和机械完整性的用途。 更具体地，本公开涉及具有助熔性质的回流密封材料及其制造方法。 本公开还涉及使用本公开的回流封装材料制造倒装芯片组件的方法，其中仅使用一个加热循环。

公开(公告)号：WO2013157197A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：PCT/JP2013/001785

申请日：2013-03-15

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 永福　秀喜

IPC分类号： H05K3/34 ,  H01L21/60

CPC分类号： H05K3/341 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/75611 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92143 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15787 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3494 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/1189 ,  Y02P70/613 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/53174 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 　第１電極（１２）が形成された主面を有する電子部品（２）を、第１電極（１２）に対応する第２電極（１１）が形成された主面を有する回路部材（１）に、第１電極と第２電極との間に熱硬化性樹脂を含む接合材（３）およびはんだ（１３）を介在させて搭載する工程と、電子部品（２）を回路部材（１）に対して押圧しながら、はんだの融点よりも低い温度で熱硬化性樹脂を第１加熱して硬化させ、その後、押圧の圧力を解除する工程、押圧の圧力が解除された状態で、第１電極（１２）と第２電極（１１）との間に介在するはんだを第２加熱して溶融させ、第１電極（１２）と第２電極（１１）とを電気的に接続する工程と、を有する、電子部品実装方法。

摘要翻译： 一种电子部件安装方法，包括：将具有形成有第一电极（12）的主表面的电子部件（2）安装在具有形成有第二电极（11）的主表面的电路部件（1）上的步骤， 对应于第一电极（12），通过在第一电极和第二电极之间插入具有热固性树脂的接合材料（3）和焊料（13）; 同时在低于焊料的熔点的温度下通过第一次加热固化热固性树脂，然后释放压力的压力，将电子部件（2）压靠在电路部件（1）上; 以及在释放压力的状态下通过第二次加热来熔化插入在第一电极（12）和第二电极（11）之间的焊料的步骤，并将第一电极（12）与第二电极 电极（11）。

公开(公告)号：WO2013146141A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：PCT/JP2013/056123

申请日：2013-03-06

申请人： デクセリアルズ株式会社 ,  森山 浩伸

发明人： 森山　浩伸

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L21/78 ,  C09J7/00 ,  C09J7/10 ,  C09J2201/134 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81855 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  Y10T403/479 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0532

摘要： 　対向する電極との良好な接合を得ることができる回路接続材料、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。半導体チップ（１０）側に接着される第１の接着剤層（２１）と、第１の接着剤層（２１）の最低溶融粘度到達温度よりも高い最低溶融粘度到達温度を有する第２の接着剤層（２２）とが積層された回路接続材料（２０）を用いる。この回路接続材料（２０）が貼り付けられた半導体チップ（１０）を回路基板（３０）に搭載した際、第１の接着剤層（２１）の厚みＨｂ１が下記式（１）を満たす範囲であることにより、対向する電極との良好な接合を得ることができる。

摘要翻译： 提供一种电路连接材料，从而可以获得与面对电极的良好接合，以及使用电路连接材料的半导体器件制造方法。 本发明使用其中与半导体芯片（10）侧接合的第一粘合剂层（21）的电路连接材料（20）和具有最高熔融粘度温度的第二粘合剂层（22） 的第一粘合剂层（21）。 当将具有电路连接材料（20）的半导体芯片（10）安装在电路板（30）上时，第一粘合层（21）的厚度（Hb1）在满足公式（1）的范围内， 从而获得与面对电极的良好的接合。

公开(公告)号：WO2013045345A2

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/EP2012068570

申请日：2012-09-20

申请人： BOSCH GMBH ROBERT ,  WOLDE-GIORGIS DANIEL

发明人： WOLDE-GIORGIS DANIEL

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L21/60 ,  H01L23/373 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/29 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/30 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/27 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/29224 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/0461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

摘要： The present invention relates to a layer composite (10), more particularly for connecting electronic components (11, 12) comprising at least one compensation layer (40), at least two linking layers (30) and at least two connection layers (20), wherein the compensation layer (40) is formed from aluminium or molybdenum, an aluminium or molybdenum alloy, from a metal-matrix material composed of aluminium and silicon carbide or composed of aluminium and copper-carbon, or from a copper-molybdenum alloy, wherein a linking layer (30) composed of silver is in each case applied on at least two opposite sides of the compensation layer (40), and wherein a connection layer (20) is in each case applied on the linking layers (30), wherein the connection layers (20) are formed from sinterable and/or sintered metal powder. The invention furthermore relates to a method for forming a layer composite (10) according to the invention, and to a circuit arrangement (100) containing a layer composite (10) according to the invention.

摘要翻译： 本发明是一种层状复合材料（10），尤其是用于连接包括至少一个补偿层（40）的电子元件（11，12），至少两个连接层（30）和至少两个连接层（20），其中所述平衡的铝层（40） 或钼，铝或钼合金，所述平衡层（40）的至少两个相对侧的铝和硅或铝和铜的羧酸，或铜 - 钼合金的金属基体材料的形成，每一个都具有 连接层（30）沉积的银，并且其中所述互连层（20）被烧结和/或烧结的金属粉末构成的连接层（30）每个都具有连接层（20）施加。 本发明还涉及一种用于形成本发明复合材料（10），并且包括根据本发明（10）的层复合电路组件（100）的层的方法。