公开(公告)号：WO2013161891A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/JP2013/062100

申请日：2013-04-24

Applicant: 須賀 唯知 ,  ボンドテック株式会社

Inventor： 須賀　唯知 ,  山内　朗

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L25/0652 ,  B23K31/02 ,  B23K37/00 ,  B23K37/0408 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/10 ,  H01L23/10 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/74 ,  H01L24/742 ,  H01L24/743 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/0615 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27009 ,  H01L2224/2755 ,  H01L2224/27823 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/75842 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/8022 ,  H01L2224/8023 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/83234 ,  H01L2224/83355 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】接合界面に樹脂などの望ましくない残存物を残さないようにして、チップとウエハとの間又は積層された複数のチップ間の電気的接続を確立し機械的強度を上げる、ウエハ上にチップを効率よく接合する技術を提供すること。 【解決手段】金属領域を有するチップ側接合面を有する複数のチップを、複数の接合部を有する基板に接合する方法が、チップ側接合面の金属領域を、表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ１）と、基板の接合部を表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ２）と、表面活性化処理されかつ親水化処理された複数のチップを、それぞれ、チップの金属領域が基板の接合部に接触するように、表面活性化処理されかつ親水化処理された基板の対応する接合部上に取り付けるステップ（Ｓ３）と、基板と基板上に取り付けられた複数のチップとを含む構造体を加熱するステップ（Ｓ４）とを備える。

Abstract translation: [问题]提供一种用于将晶片高效地接合到晶片而不在接合界面上留下不需要的残留物（例如树脂）的技术，建立芯片和晶片之间或多个分层芯片之间的电连接并增加机械强度。 [解决方案]本发明的用于将包含金属区域的芯片侧接合表面的多个芯片接合到包括多个接合部分的基板的本发明的方法具有以下步骤：（S1）其中芯片的金属区域 接合表面进行表面活化处理和亲水化处理; 步骤（S2），其中对所述基板的接合部进行表面活化处理和亲水化处理; 已经进行表面活化处理和亲水化处理的多个芯片中的每一个被附着到已进行了表面活化处理和亲水化处理的基板上的相应接合部分的步骤（S3） 处理，使得芯片的金属区域与基板的接合部分接触; 以及步骤（S4），其中包括基板和附接到基板的多个芯片的结构被加热。

公开(公告)号：WO2015000527A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：PCT/EP2013/064239

申请日：2013-07-05

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： REBHAN, Bernhard

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L22/12 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/2781 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29028 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83026 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/05552

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten zumindest teilweise metallischen Kontaktfläche eines ersten Substrats (1, 1') mit einer zweiten zumindest teilweise metallischen Kontaktfläche eines zweiten Substrats mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Aufbringen einer in dem Material mindestens einer der Kontaktflächen zumindest teilweise, insbesondere überwiegend, lösbaren Opferschicht (4) auf mindestens eine der Kontaktflächen, - Bonden der Kontaktflächen unter zumindest teilweisem Lösen der Opferschicht (4) in mindestens einer der Kontaktflächen. Die Kontaktflächen können vollflächig an einem Bondbereich (3) angeordnet sein. Alternativ können die Kontaktflächen aus mehreren Bondbereichen (3') ausgebildet sein, die von Bulkmaterial (5) umgeben oder in Substratkavitäten (2) angeordnet sind. Zur Erzeugung eines Pre-Bonds zwischen den Substraten kann eine Flüssigkeit (z.B. Wasser) verwendet werden.

Abstract translation: 本发明涉及下列序列接合第一基片（1，1“）的第一至少部分是金属的接触表面具有以下步骤的第二基板的在第二至少部分金属接触表面，特别的方法： - 在至少一个的材料施加 接触表面至少部分地，在接触表面中的至少一个，特别是主要释放牺牲层（4） - 键合的接触面的与所述接触表面中的至少一个上的至少所述牺牲层（4）的部分溶解。 接触表面可以在粘合区域（3）被布置在整个表面上。 替代地，多个键合部（3“）的接触表面可以被形成，或者通过（2）被布置在Substratkavitäten散装材料（5）环绕。 为了制备底物之间的预定键可以是液体（例如，水）被使用。

公开(公告)号：WO2015128399A2

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：PCT/EP2015053984

申请日：2015-02-26

Applicant: COMMISSARIAT L ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

Inventor： GONDCHARTON PAUL ,  BENAISSA LAMINE ,  IMBERT BRUNO ,  MORICEAU HUBERT

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/98 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/185 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/2755 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/80055 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8092 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/00012

Abstract: Process for producing a structure by direct adhesive bonding of two elements comprising the production of the elements to be assembled and the assembly of said elements, in which the production of the elements to be assembled comprises the steps: - deposition on a substrate of a TiN layer by physical vapour deposition, - deposition of a copper layer on the TiN layer, and in which the assembly of said elements comprises the steps: - polishing the surfaces of the copper layers intended to come into contact so that they have a roughness of less than 1 nm RMS and hydrophilic properties, - bringing said surfaces into contact, - storing said structure at atmospheric pressure and at ambient temperature.

Abstract translation: 用于通过直接粘合两种元件来生产结构的方法，包括要组装的元件的生产和所述元件的组装，其中要组装的元件的生产包括以下步骤： - 沉积在TiN的基底上 层，通过物理气相沉积， - 在TiN层上沉积铜层，并且其中所述元件的组件包括以下步骤： - 抛光用于接触的铜层的表面，使得它们具有较小的粗糙度 超过1nm的RMS和亲水性， - 使所述表面接触， - 在大气压和环境温度下储存所述结构。

公开(公告)号：WO2010150912A1

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：PCT/JP2010/061082

申请日：2010-06-23

Applicant: 日本電気株式会社 ,  難波兼二

Inventor： 難波兼二

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27515 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29018 ,  H01L2224/29022 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】特にフリップチップ方式の実装形態において微細ピッチ化、高スループット化に対応すると共に高い接続信頼性の得られる半導体装置、及びその製造方法並びにこれを用いた回路装置を提供する。 【解決手段】本発明に係る半導体装置は、電極と、電極上に開口部を有する絶縁部と、電極上に形成された隆起部と、隆起部の周囲に形成され隆起部を絶縁する保護部と、保護部上に前記隆起部と離間して形成される接着部と有し、隆起部の上面と保護部の上面と接着部の上面とが同一の平面を形成する。

Abstract translation: 公开了一种能够实现细间距，高吞吐量和高连接可靠性的半导体器件，特别是在倒装芯片安装中。 还提供了一种用于制造半导体器件的方法和使用该半导体器件的电路器件。 半导体器件具有：电极; 在所述电极上具有开口的绝缘部; 形成在所述电极上的突出部; 保护部，其形成在突出部的周围，并且使突出部电隔离; 以及通过与所述突出部分间隔开地形成在所述保护部上的接合部。 突出部的上表面，保护部的上表面和接合部的上表面形成相同的平坦面。