公开(公告)号：WO2013161891A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/JP2013/062100

申请日：2013-04-24

Applicant: 須賀 唯知 ,  ボンドテック株式会社

Inventor： 須賀　唯知 ,  山内　朗

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L25/0652 ,  B23K31/02 ,  B23K37/00 ,  B23K37/0408 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/10 ,  H01L23/10 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/74 ,  H01L24/742 ,  H01L24/743 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/0615 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27009 ,  H01L2224/2755 ,  H01L2224/27823 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/75842 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/8022 ,  H01L2224/8023 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/83234 ,  H01L2224/83355 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】接合界面に樹脂などの望ましくない残存物を残さないようにして、チップとウエハとの間又は積層された複数のチップ間の電気的接続を確立し機械的強度を上げる、ウエハ上にチップを効率よく接合する技術を提供すること。 【解決手段】金属領域を有するチップ側接合面を有する複数のチップを、複数の接合部を有する基板に接合する方法が、チップ側接合面の金属領域を、表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ１）と、基板の接合部を表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ２）と、表面活性化処理されかつ親水化処理された複数のチップを、それぞれ、チップの金属領域が基板の接合部に接触するように、表面活性化処理されかつ親水化処理された基板の対応する接合部上に取り付けるステップ（Ｓ３）と、基板と基板上に取り付けられた複数のチップとを含む構造体を加熱するステップ（Ｓ４）とを備える。

Abstract translation: [问题]提供一种用于将晶片高效地接合到晶片而不在接合界面上留下不需要的残留物（例如树脂）的技术，建立芯片和晶片之间或多个分层芯片之间的电连接并增加机械强度。 [解决方案]本发明的用于将包含金属区域的芯片侧接合表面的多个芯片接合到包括多个接合部分的基板的本发明的方法具有以下步骤：（S1）其中芯片的金属区域 接合表面进行表面活化处理和亲水化处理; 步骤（S2），其中对所述基板的接合部进行表面活化处理和亲水化处理; 已经进行表面活化处理和亲水化处理的多个芯片中的每一个被附着到已进行了表面活化处理和亲水化处理的基板上的相应接合部分的步骤（S3） 处理，使得芯片的金属区域与基板的接合部分接触; 以及步骤（S4），其中包括基板和附接到基板的多个芯片的结构被加热。

公开(公告)号：WO2014140811A3

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：PCT/IB2014000828

申请日：2014-03-14

Applicant: COOLEDGE LIGHTING INC

Inventor： TISCHLER MICHAEL A

IPC: H01L33/64 ,  H01L27/15 ,  H01L33/32 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/642 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13186 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

Abstract: In accordance with certain embodiments, heat-dissipating elements are integrated with semiconductor dies and substrates in order to facilitate heat dissipation therefrom during operation.

Abstract translation: 根据某些实施例，散热元件与半导体管芯和衬底集成以便在操作期间促进散热元件的散热。

公开(公告)号：WO2014140811A2

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：PCT/IB2014/000828

申请日：2014-03-14

Applicant: COOLEDGE LIGHTING INC.

Inventor： TISCHLER, Michael, A.

IPC: H01L33/64

CPC classification number: H01L33/642 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13186 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

Abstract: In accordance with certain embodiments, heat-dissipating elements are integrated with semiconductor dies and substrates in order to facilitate heat dissipation therefrom during operation.

Abstract translation: 根据某些实施例，散热元件与半导体管芯和衬底集成，以便于在操作期间散热。

公开(公告)号：WO2012111285A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：PCT/JP2012/000875

申请日：2012-02-09

Applicant: セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー ,  八木 晴好 ,  矢島 学

Inventor： 八木　晴好 ,  矢島　学

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/87 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: ＭＯＳＦＥＴのゲート電極を基板の周囲において引き出すゲート引き出し配線の引き出し部は、素子領域内と同等の効率で機能するＭＯＳＦＥＴのトランジスタセルＣを配置することができない非動作領域となる。つまり、ゲート引き出し配線を、例えばチップの４辺に沿って配置すると、非動作領域が増加し、素子領域の面積拡大や、チップ面積の縮小に限界があった。 ゲート引き出し配線と、ゲート引き出し配線と保護ダイオードとを接続する導電体とを、チップの同一辺に沿って曲折しない一直線状に配置する。又これらの上に重畳して延在し、これらと保護ダイオードを接続する第１ゲート電極層の曲折部を１以下とする。更に保護ダイオードを導電体またはゲート引き出し配線と隣接して配置し、保護ダイオードの一部をゲートパッド部に近接して配置する。

Abstract translation: 在MOSFET中，引出衬底周边的栅电极的栅极引线的引线部分构成非操作区域，其中不可能配置作为内部的有效功能的MOSFET晶体管单元（C） 元素区域。 如果栅极引线布线沿着芯片的四个边缘布置，例如，非操作区域的面积增加，限制了元件区域的表面积可以扩大并且芯片表面积减小的程度。 在本发明中，连接到栅极引线和保护二极管的栅极引线布线和导体以沿着芯片的一个边缘的非弯曲线性构造设置。 此外，叠加在栅极引线和导体上并将栅极引线和导体连接到保护二极管的第一栅极电极层具有不超过一个弯曲部分。 此外，保护二极管被设置为与导体或栅极引线布线相邻，并且保护二极管的一部分设置在栅极焊盘附近。