摘要:
The present invention relates to a method for bonding a first contact area (3) of a first, at least predominantly transparent substrate (1) to a second contact area (4) of a second, at least predominantly transparent substrate (2) wherein an oxide is used at at least one of the contact areas for bonding, from which oxide an at least predominantly transparent connecting layer (14) having: an electrical conductivity of at least 10e1 S/cm2 (measurement: four-point method, relative to temperature of 300K) and an optical transmittance of greater than 0.8 (for a wavelength range of 400 nm to 1500 nm) is formed at the first and second contact areas (3 4).
摘要翻译:本发明涉及一种接合第一接触表面的方法(3)的第一,至少基本上透明的基板(1)具有第二接触表面(4)的第二的,至少基本上透明的基板(2),其中,所述用于接合的接触表面的至少一个 使用氧化物,从其中至少主要透明粘接层(14),包括:至少10E1 S / cm 2的导电性(测量:四点基于的300K温度的方法),和光透射比大于0.8(为一个波长范围内的 400纳米至1500纳米)形成在第一和第二接触表面(3,4)上。
摘要:
In an aspect, a system and method for assembling a semiconductor device on a receiving surface of a destination substrate is disclosed.In another aspect, a system and method for assembling a semiconductor device on a destination substrate with topographic features is disclosed. In another aspect, a gravity-assisted separation system and method for printing semiconductor device is disclosed. In another aspect, various features of a transfer device for printing semiconductor devices are disclosed.
摘要:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein verfahren zum Bonden eines ersten Festkörpersubstrats (1 ) mit einem eine erstes Material enthaltenden zweiten Festkörpersubstrat (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung oder Aufbringung einer ein zweites Material enthaltenden Funktionsschicht (5) auf das zweite Festkörpersubstrat (2), - Kontaktieren des ersten Festkörpersubstrats (1 ) mit dem zweiten Festkörpersubstrat (2) an der Funktionsschicht (5), - Zusammenpressen der Festkörpersubstrate (1, 2) zur Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen dem ersten und dem zweiten Festkörpersubstrat (1, 2), zumindest teilweise verstärkt durch Festkörperdiffusion und/oder Phasenumwandlung des ersten Materials mit dem zweiten Material, wobei eine Volumenvergrößerung an der Funktionsschicht (5) bewirkt wird. Während des Bondens wird die Löslichkeitsgrenze des ersten Materials für das zweite Material nicht oder nur geringfügig überschritten, so dass Ausscheidung von intermetallischen Phasen möglichst weitgehend vermieden wird und dagegen Mischkristall ausgebildet wird. Das erste Material kann Kupfer und das zweite Material kann Zinn sein.
摘要:
Verfahren zum Beschichten und Bonden von Substraten Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten eines ersten Substrats (1) mit einer ersten Diffusionsbondschicht (5) durch Abscheiden eines die erste Diffusionsbondschicht (5) bildenden ersten Materials auf einer ersten Oberfläche (1o) des ersten Substrats (1) derart, dass die erste Diffusionsbondschicht (5) eine Kornoberfläche mit einem mittleren Korndurchmesser H parallel zur ersten Oberfläche (1o) kleiner 1μm ausbildet. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Bonden eines so beschichteten ersten Substrats (1) mit einem eine zweite Diffusionsbondschicht (4) aufweisenden zweiten Substrat (3) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: • - Kontaktieren der ersten Diffusionsbondschicht (5) des ersten Substrats (1) mit der zweiten Diffusionsbondschicht des zweiten Substrats (3), • - Zusammenpressen der Substrate (1, 3) zur Ausbildung eines permanenten Metalldiffusionsbonds zwischen dem ersten und zweiten Substrat (1, 3).
摘要:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten, zumindest überwiegend transparenten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten, zumindest überwiegend transparenten Substrats (2), wobei an mindestens einer der Kontaktflächen zum Bonden ein Oxid verwendet wird, aus dem eine zumindest überwiegend transparente Verbindungsschicht ( 14) mit: einer elektrischen Leitfähigkeit von mindestens 10e1 S/cm 2 (Messung: Vierpunktmethode, bezogen auf Temperatur von 300K) und einem optischen Transmissionsgrad größer 0,8 (für einen Wellenlängenbereich von 400 nm bis 1500 nm) an der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4) ausgebildet wird.
摘要翻译:本发明涉及一种接合第一接触表面的方法(3)的第一,至少基本上透明的基板(1)具有第二接触表面(4)的第二的,至少基本上透明的基板(2),其中,所述用于接合的接触表面的至少一个 使用氧化物,从其中至少主要透明粘接层(14),包括:至少10E1 S / cm 2的导电性(测量:四点基于的300K温度的方法),和光透射比大于0.8(为一个波长范围内的 在第一和第二接触表面(3 400纳米至1500纳米),4形成)。
摘要:
Representative implementations of devices and techniques provide a device and a technique for processing integrated circuit (IC) dies. The device comprises a die tray (such as a pick and place tray, for example) for holding the dies during processing. The die tray may include an array of pockets sized to hold individual dies. The technique can include loading dies on the die tray, cleaning the top and bottom surfaces of the dies, and ashing and activating both surfaces of the dies while on the die tray, eliminating the need to turn the dies over during processing.
摘要:
An appartus and method for assembling a semiconductor device on a destination substrate using micro-transfer-printing is described. A conformable transfer device (102) such as an elastomer or visco-elastomer stamp includes an array of posts (114) for picking up printable semiconductor elements (104) from a native substrate (108) which is used for fabricating the printable semiconductor elements (104) and transferring the printable semiconductor elements (104) to a destination substrate (110). In certain embodiments, the printable semiconductor elements (104) are encapsulated in a polymer layer (106) before they are picked up. In certain embodiments a plasma treatment (e.g. atmospheric plasma) can be performed during micro transfer printing. The plasma can be applied to bottom surfaces of devices that are attached to an elastomer transfer-element. This treatment of bottom surfaces can be used to provide improved bonding between the devices and destination substrate, to clean the bottom surface of devices that have been fabricated using epitaxial lift-off methods, and to remove thin layers of oxides. In certain embodiments, if the devices have a backside metal, the semiconductor elements are printed to a destination substrate with mating metal pads that have been coated with a flux. After transferring the devices, the flux can be reflowed thereby leaving a good metal connection between the pads and the backside metal on the devices. In certain embodiments, the disclosed technology includes transfer devices designed to eliminate or reduce issues related to crowning. In certain embodiments, the crown is cut with a razor so that printable semiconductor elements are not picked up by the crown during a print operation.
摘要:
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten zumindest teilweise metallischen Kontaktfläche eines ersten Substrats (1, 1') mit einer zweiten zumindest teilweise metallischen Kontaktfläche eines zweiten Substrats mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Aufbringen einer in dem Material mindestens einer der Kontaktflächen zumindest teilweise, insbesondere überwiegend, lösbaren Opferschicht (4) auf mindestens eine der Kontaktflächen, - Bonden der Kontaktflächen unter zumindest teilweisem Lösen der Opferschicht (4) in mindestens einer der Kontaktflächen. Die Kontaktflächen können vollflächig an einem Bondbereich (3) angeordnet sein. Alternativ können die Kontaktflächen aus mehreren Bondbereichen (3') ausgebildet sein, die von Bulkmaterial (5) umgeben oder in Substratkavitäten (2) angeordnet sind. Zur Erzeugung eines Pre-Bonds zwischen den Substraten kann eine Flüssigkeit (z.B. Wasser) verwendet werden.