Patent search ap:("台湾积体电路制造股份有限公司") AND inv:"陈宪伟" Page 15

141.

发明授权
封装器件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN104051332B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410088870.9

申请日：2014-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 , 于宗源 , 郑明达 , 吕文雄

IPC: H01L21/768 , H01L23/528

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明公开了用于半导体器件的封装器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造封装器件的方法包括：在衬底上方形成互连布线，以及在部分互连布线上方形成导电球。在导电球和衬底上方沉积模塑材料，以及从衬底的划线区域上方去除模塑材料的一部分。

142.

发明授权
用于晶圆级封装的方法和装置有权

公开(公告)号：CN104051429B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310294010.6

申请日：2013-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于宗源 , 陈宪伟 , 吕文雄 , 林鸿仁

IPC: H01L23/544 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/78

CPC classification number: H01L21/565 , H01L23/3192 , H01L23/544 , H01L24/03 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2224/0401 , H01L2224/13 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用于晶圆级封装的方法和装置，其中一种半导体器件，包括：衬底、位于衬底上方的接合焊盘、位于衬底上方的保护环、在接合焊盘和保护环之间位于衬底上方的对准标记。该器件可以包括位于衬底上的钝化层、聚合物层、与接合焊盘接触的钝化后互连（PPI）层、以及位于PPI层上的连接件，其中连接件位于接合焊盘和保护环之间，并且对准标记位于连接件和保护环之间。对准标记可以位于PPI层中。可以在不同的层中具有多个对准标记。可以在被保护环环绕的区域的角部附近或边缘处存在器件的多个对准标记。

143.

发明公开
扇出封装件中的离散聚合物有权

公开(公告)号：CN106057787A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610009901.6

申请日：2016-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 , 陈洁

IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L21/98

CPC classification number: H01L25/0652 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/76802 , H01L21/76831 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/3135 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83005 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06572 , H01L2225/06582 , H01L2924/18162 , H01L2224/83 , H01L25/0657 , H01L23/3107

Abstract: 封装件包括第一模制材料、位于第一模制材料中的下层级器件管芯、位于下层级器件管芯和第一模制材料上方的介电层以及延伸至第一介电层以电连接至下层级器件管芯的多条重分布线。该封装件还包括位于介电层上方的上层级器件管芯以及将上层级器件管芯模制在其中的第二模制材料。部分第二模制材料的底面与第一模制材料的顶面接触。本发明的实施例还涉及扇出封装件中的离散聚合物。

144.

发明授权
用于IC封装的应力减小结构有权

公开(公告)号：CN103378049B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310092304.0

申请日：2013-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 , 陈英儒 , 于宗源 , 陈玉芬 , 王宗鼎

IPC: H01L23/498 , H01L21/48

CPC classification number: H01L24/06 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05541 , H01L2224/05548 , H01L2224/05552 , H01L2224/05567 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/06131 , H01L2224/06133 , H01L2224/06179 , H01L2224/1134 , H01L2224/13005 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13166 , H01L2224/13181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16238 , H01L2224/81191 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/207 , H01L2924/206

Abstract: 一种半导体器件包括具有第一和第二导电焊盘的半导体管芯，以及具有第三和第四接合焊盘的衬底。在内部区域的第一导电焊盘相对于第三接合焊盘的宽度比不同于在外部区域的第二导电焊盘相对于第四接合焊盘的宽度比。本发明提供了用于IC封装的应力减小结构。

145.

发明公开
半导体封装件及其形成方法有权

公开(公告)号：CN105390476A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510514578.3

申请日：2015-08-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏安治 , 陈宪伟

IPC: H01L23/528 , H01L21/768

CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/31053 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L23/5383 , H01L23/5389 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/01 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16237 , H01L2224/16265 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32265 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73209 , H01L2224/73217 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2224/83005 , H01L2224/92124 , H01L2224/92244 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19011 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2224/48227 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

Abstract: 根据示例性实施例，提供了半导体封装件。半导体封装件包括：芯片，具有多个连接焊盘；组件，在一侧上具有多个金属盖，并且在另一侧上具有研磨表面，其中，金属盖与芯片的连接焊盘接触。本发明的实施例还提供了半导体封装件的形成方法。

146.

发明授权
带有泄漏电流测试结构的集成电路失效

公开(公告)号：CN102956618B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210289651.8

申请日：2012-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨宗颖 , 陈宪伟

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L21/76895 , H01L22/32 , H01L22/34 , H01L23/564 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

Abstract: 一种集成电路包括围绕着设置在基板上方的电路设置的密封环结构。第一焊盘与该密封环结构电连接。泄漏电流测试结构与该密封环结构相邻地设置。第二焊盘与该泄漏电流测试结构电连接，其中，该泄漏电流测试结构被配置为在密封环结构和泄漏电流测试结构之间提供泄漏电流测试。本发明还公开了一种带有泄漏电流测试结构的集成电路。

147.

发明公开
半导体器件封装件、封装方法和封装的半导体器件有权

公开(公告)号：CN105261609A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510397288.5

申请日：2015-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 , 吴集锡 , 余振华 , 叶德强 , 吴伟诚 , 曾建富

IPC: H01L23/538 , H01L23/58 , H01L21/768 , H01L21/48

CPC classification number: H01L21/568 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/6835 , H01L21/76838 , H01L21/78 , H01L23/12 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L24/06 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2221/68372 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/2518 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/18165 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399

Abstract: 本发明公开了半导体器件封装件、封装方法以及封装的半导体器件。在一些实施例中，用于半导体器件的封装件包括集成电路管芯安装区域和集成电路管芯安装区域周围的模塑料。互连结构位于模塑料和集成电路管芯安装区域上方。保护图案位于互连结构周围的封装件的周边区域中。保护图案包括：第一导电部件，在第二导电部件附近垂直地位于封装件内。第一导电部件具有第一宽度，并且第二导电部件具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。本发明还涉及半导体器件封装件、封装方法和封装的半导体器件。

148.

发明授权
球强度改进的方法以及半导体器件有权

公开(公告)号：CN103094137B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210025465.3

申请日：2012-02-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于宗源 , 陈宪伟 , 陈英儒 , 梁世纬

IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/58

CPC classification number: H01L24/14 , G06F2217/40 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02311 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/1405 , H01L2224/14133 , H01L2224/14517 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/17517 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/1203 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/37001 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01024 , H01L2924/01079 , H01L2924/01028 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

Abstract: 在一种改进半导体器件的球强度的方法中，接收将形成为半导体器件的电连接件的多个连接球的球图案。该图案包括相互交叉的多列和多行。球布置在列和行的交叉点处。球图案的区域中的球布置被修改，使得该区域不包括孤立球。本发明还提供了一种球强度改进的方法以及半导体器件。

149.

发明公开
FINFET密封环有权

公开(公告)号：CN104900641A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201410239158.4

申请日：2014-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于宗源 , 陈宪伟

IPC: H01L27/02 , H01L23/00 , H01L21/77

CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/6681

Abstract: 一种半导体器件包括：位于衬底上的第一前段制程(FEOL)密封环，密封环包括环形鳍状结构；在衬底上形成的集成电路，通过第一密封环限制集成电路；位于密封环和集成电路之间的隔离区，隔离区包括一组鳍结构，每个鳍结构都面向相同的方向。本发明还提供了FINFET密封环。