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公开(公告)号:CN105102567B
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201480009458.1
申请日:2014-02-14
申请人: 迪睿合株式会社
CPC分类号: C09J11/00 , C08K7/16 , C08K9/00 , C09J9/02 , C23C14/025 , C23C14/205 , C23C14/223 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2929 , H01L2224/2939 , H01L2224/29413 , H01L2224/29439 , H01L2224/29455 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81192 , H01L2224/81903 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/05599
摘要: 本发明提供放射光强度高的发光装置。将在360nm以上且500nm以下的范围内具有发射光的峰的蓝色LED芯片20通过各向异性导电粘接剂12粘接于电极基板11。在各向异性导电粘接剂12中所含的导电粒子1的表面,形成银合金的光反射层,对于蓝色光的反射率高。光反射层为,将Ag、Bi、Nd的总量记为100重量%时,将以0.1重量%以上且3.0重量%以下的值含有Bi、以0.1重量%以上且2.0重量%以下的值含有Nd的溅射靶溅射来形成,对于迁移的耐性高。
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公开(公告)号:CN104037144B
公开(公告)日:2017-01-11
申请号:CN201410081689.5
申请日:2014-03-06
申请人: 精材科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/05 , H01L21/78 , H01L23/3185 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L2224/02371 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/94 , H01L2924/10156 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2924/00014
摘要: 一种半导体结构及其制作方法,该半导体结构包含晶片、至少一非金属氧化层、焊垫、保护层、绝缘层与导电层。晶片具有彼此平行的第一表面、第二表面、第三表面、第一段差面及第二段差面。第一段差面连接于第二表面与第三表面之间,第二段差面连接于第一表面与第三表面之间。非金属氧化层位于晶片的第一表面上。焊垫位于非金属氧化层上,且电性连接晶片。保护层位于非金属氧化层上。绝缘层位于保护层、非金属氧化层、晶片的第一表面、第二表面、第三表面、第一段差面与第二段差面上。导电层位于绝缘层上,且电性接触焊垫。本发明的半导体结构不会因为焊垫上方覆盖外盖而影响其信号传输效果,而其厚度不会受限于导线。
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公开(公告)号:CN103814439B
公开(公告)日:2016-10-19
申请号:CN201280043670.0
申请日:2012-09-03
申请人: 株式会社村田制作所
发明人: 水白雅章
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56
CPC分类号: H05K1/0296 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/00 , H01L23/12 , H01L23/3121 , H01L23/48 , H01L23/49811 , H01L23/52 , H01L24/16 , H01L25/04 , H01L25/18 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/97 , H01L2225/06548 , H01L2924/12042 , H05K1/185 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655
摘要: 本发明提供一种模块基板,该基板具有如下特点:不仅在基板的周缘部,而且在所安装的多个电子元器件之间也设置多个柱状连接端子,以此抑制基板中央附近的绝缘树脂顶面的凹陷。基板(5)的一个表面安装有多个电子元器件(4、4h),并且用绝缘树脂(3)密封。多个柱状连接端子(2、7)设置在基板(5)的周缘部以及一个或多个小区域(8)内,一个或多个小区域(8)设置于除了基板(5)的周缘部以外的基板(5)上的、没有安装多个电子元器件(4、4h)的位置。
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公开(公告)号:CN103262236B
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201180051984.0
申请日:2011-09-26
申请人: 吉林克斯公司
IPC分类号: H01L23/498
CPC分类号: H01L23/49866 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要: 一种半导体元件,其包括:一半导体晶片(306);多个无铅焊料凸块(308),其设置在该半导体晶片之表面上;一基板(310),其包括多个金属层(318)与多个介电层(317),该金属层之一者包含多个接触垫(312),以对应于该多个无铅焊料凸块,且该介电层之一者为外部介电层,其具有用于该接触垫之各多个开口;各多个铜柱(302),其设置在该接触垫上。用于各该接触垫之各该铜柱,从该接触垫经由用于该接触垫之各该开口而延伸。该半导体晶片安装于该基板上,而具有在该多个无铅焊料凸块与该多个铜柱间之连接。
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公开(公告)号:CN102270315B
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201110104531.1
申请日:2006-03-23
申请人: 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号: G06K19/077 , H01Q1/22 , H01Q9/04 , H01Q23/00
CPC分类号: H01Q9/0407 , G06K19/07745 , G06K19/07749 , G06K19/07786 , H01L23/66 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L27/088 , H01L2223/6677 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16265 , H01L2224/32225 , H01L2224/32265 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01M10/0436 , H01M10/465 , H01M2220/30 , H01Q1/2208 , H01Q1/2283 , H01Q23/00 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要: 本发明涉及无线芯片以及具有无线芯片的电子设备。本发明提供一种能够增加机械强度的无线芯片,和一种具有高耐用性的无线芯片。无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线和连接芯片和天线的导电层。另外,无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、传感器装置、连接芯片和天线的导电层、以及连接芯片和传感器装置的导电层。另外,无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、电池、连接芯片和天线的导电层以及连接芯片和电池的导电层。
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公开(公告)号:CN105514073A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201510621969.5
申请日:2015-09-25
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L23/48 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/481 , H01L21/2885 , H01L21/76847 , H01L21/7685 , H01L21/76885 , H01L21/76898 , H01L23/525 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L29/43 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03616 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05005 , H01L2224/05018 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05099 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05541 , H01L2224/05552 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/0568 , H01L2224/05681 , H01L2224/1131 , H01L2224/1134 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2924/00 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/207 , H01L2224/0346 , H01L2224/05599 , H01L2224/05684
摘要: 本发明公开了一种互连结构和用于提供互连结构的方法,该互连结构包括具有减小的形貌变化的导电部件。互连结构包括设置在衬底上方的接触焊盘。接触焊盘包括第一导电材料的第一层和位于第一层上方的第二导电材料的第二层。第一导电材料和第二导电材料由基本相同的材料制成并且具有第一平均晶粒尺寸和第二平均晶粒尺寸,第二平均晶粒尺寸小于第一平均晶粒尺寸。互连结构还包括覆盖衬底和接触焊盘的钝化层,并且钝化层具有暴露出接触焊盘的开口。本发明还涉及具有限制层的互连结构。
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公开(公告)号:CN105280578A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201410443444.2
申请日:2014-09-03
申请人: 力智电子股份有限公司
CPC分类号: H01L23/562 , H01L21/56 , H01L23/3171 , H01L23/492 , H01L23/585 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2021/6027 , H01L2224/0401 , H01L2224/05014 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05554 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/06155 , H01L2224/08113 , H01L2224/13023 , H01L2224/13027 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13164 , H01L2224/14155 , H01L2224/16227 , H01L2224/32104 , H01L2224/32221 , H01L2224/81193 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
摘要: 本发明公开一种可携式装置及其集成电路的封装结构、封装体与封装方法。封装结构包括集成电路的封装体与载板。封装体包括晶粒与冶金层。晶粒具有接触部、切割边界保留部与密封环。密封环位于接触部与切割边界保留部之间。冶金层设置于接触部上且冶金层至少部分设置于密封环之上。冶金层包括涂布有锡膏的可焊层。载板包括焊垫。焊垫耦接涂布有锡膏的可焊层。
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公开(公告)号:CN103650063B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201280033707.1
申请日:2012-07-25
申请人: 积水化学工业株式会社
CPC分类号: H01R4/04 , H01B1/22 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0568 , H01L2224/05684 , H01L2224/2929 , H01L2224/294 , H01L2224/29455 , H01L2224/29484 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/83851 , H01L2224/83855 , H01L2924/00014 , H01L2924/15788 , H01L2924/01005 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 本发明的目的在于提供能够抑制多个导电性粒子发生凝聚、并且在用于电极间的连接时能够降低电极间的接触电阻的导电性粒子,以及使用了该导电性粒子的导电材料。本发明的导电性粒子(1)具有基体材料粒子(2)和导电层(3),该导电层(3)设置于基体材料粒子(2)的表面上,且包含钨和钼中的至少一种金属成分以及镍、硼。
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公开(公告)号:CN105140139A
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201510411275.9
申请日:2015-05-29
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/03 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/82 , H01L24/05 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/0312 , H01L2224/0345 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0361 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/05016 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05082 , H01L2224/05084 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05562 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05583 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/05672 , H01L2224/80203 , H01L2224/80825 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2224/05624 , H01L24/81
摘要: 本发明涉及厚金属焊盘的处理。在本发明的实施例中,形成半导体器件的方法包括提供包含第一芯片区和第二芯片区的半导体衬底。在所述第一芯片区之上形成第一接触焊盘并在所述第二芯片区之上形成第二接触焊盘。所述第一和第二接触焊盘至少与所述半导体衬底一样厚。该方法进一步包括在所述第一和第二接触焊盘之间切割穿过该半导体衬底。所述切割从包括所述第一接触焊盘和第二接触焊盘的半导体衬底一侧执行。在所述第一和第二接触焊盘以及通过切割暴露的半导体衬底的侧壁之上形成导电衬垫。
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公开(公告)号:CN105027280A
公开(公告)日:2015-11-04
申请号:CN201480012133.9
申请日:2014-01-10
申请人: 美光科技公司
IPC分类号: H01L23/48
CPC分类号: H01L25/105 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/566 , H01L21/82 , H01L23/3128 , H01L23/3142 , H01L23/495 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/02377 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/06177 , H01L2224/1012 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/12105 , H01L2224/1301 , H01L2224/13014 , H01L2224/13017 , H01L2224/13024 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14051 , H01L2224/16055 , H01L2224/16057 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16238 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73207 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/85 , H01L2224/92163 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/0652 , H01L2225/06565 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2224/83
摘要: 本文揭示用于制造半导体装置的方法。一种根据特定实施例配置的方法包含在囊封剂上形成间隔件材料使得所述囊封剂将所述间隔件材料与半导体装置的作用表面及突出远离所述作用表面的至少一个互连分离。所述方法进一步包含模制所述囊封剂使得所述互连的至少部分延伸通过所述囊封剂且延伸到所述间隔件材料中。所述互连可包含与所述半导体装置的所述作用表面实质上共面以提供与所述半导体装置的电连接的接触表面。
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