公开(公告)号：CN104425413A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410450708.7

申请日：2014-09-05

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： G.比尔 ,  I.埃舍尔-珀佩尔 ,  J.赫格尔 ,  O.霍尔费尔德 ,  P.坎沙特

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/10 ,  H01L23/28 ,  H01L21/58 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/566 ,  H01L21/568 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L24/24 ,  H01L24/33 ,  H01L24/72 ,  H01L24/82 ,  H01L24/90 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/072 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造和运行方法和制造半导体组件的方法。该半导体装置包括上和下接触板以及多个芯片组件。每个芯片组件具有半导体芯片，其具有半导体本体，半导体本体具有上侧和与上侧对置的在垂直方向上隔开的下侧。在上侧上分别布置有单独的上主电极和控制电极。芯片组件分别具有独立的布置在有关的芯片组件的半导体芯片的下侧上的下主电极或在每个芯片组件中布置在该芯片组件的半导体本体的下侧上的共同的下主电极。在每个芯片组件中借助其控制电极能够控制在上主电极与下主电极之间的电流。芯片组件通过介电填料以材料决定的方式彼此连接成固定复合体。嵌入复合体中的控制电极互连结构将芯片组件的控制电极彼此导电连接。

公开(公告)号：CN104269384A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410478552.3

申请日：2014-09-18

申请人： 珠海越亚封装基板技术股份有限公司

发明人： 卓尔·赫尔维茨 ,  黄士辅

IPC分类号： H01L23/31

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/145 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/45099

摘要： 一种结构，包括嵌入在聚合物基质中并被所述基质包围的至少一个芯片，并且所述结构还包括从围绕所述芯片外周的所述聚合物基质中穿过的至少一个通孔，其中所述至少一个通孔典型地暴露出两个端部，其中所述芯片被第一聚合物基质的框架所包围，所述至少一个通孔穿过所述框架；所述芯片设置为具有在下表面上的端子，使得所述芯片的下表面与所述框架的下表面共面，所述框架比所述芯片厚，并且其中所述芯片在除下表面以外的所有表面上被具有第二聚合物基质的封装材料所包围。

公开(公告)号：CN104263291A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410528209.5

申请日：2008-07-29

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 伊泽弘行 ,  白坂敏明 ,  加藤木茂树 ,  工藤直 ,  富泽惠子

IPC分类号： C09J133/04 ,  C09J163/00 ,  C09J171/12 ,  C09J175/14 ,  C09J175/06 ,  C09J9/02 ,  C09J7/02 ,  H05K3/32 ,  H01L23/488

CPC分类号： H05K3/323 ,  C08G77/442 ,  C08L83/00 ,  C09J133/04 ,  C09J183/10 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/10349 ,  H01L2924/19042 ,  H05K2201/0212 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

摘要： 本发明提供粘接剂组合物、膜状粘接剂和电路部件的连接结构。本发明涉及的粘接剂组合物，其特征在于，含有(a)包含从(甲基)丙烯酸烷基酯-丁二烯-苯乙烯共聚物或复合物和有机硅-(甲基)丙烯酸共聚物或复合物组成的组中选出的至少一种物质的有机微粒、(b)自由基聚合性化合物、(c)自由基聚合引发剂和(h)导电性粒子，以粘接剂组合物的固体成分总体积为基准，所述(h)导电性粒子的含量为0.1～30体积％。

公开(公告)号：CN102543927B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110104459.2

申请日：2011-04-21

申请人： 欣兴电子股份有限公司 ,  苏州群策科技有限公司

发明人： 胡玉山 ,  胡迪群 ,  曾子章

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/16267 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10515 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制法制造方法。所述嵌埋穿孔中介层的封装基板包括：具有相对的第一表面及第二表面的模封层、嵌埋于该模封层中且与第二表面齐平的穿孔中介层、嵌埋于该模封层中且设于该穿孔中介层上以外露于该第一表面的线路重布层、以及设于该模封层的第二表面上且电性连接该穿孔中介层的增层结构。由该穿孔中介层嵌埋于该模封层中及于该模封层的第二表面上形成增层结构，以省略使用核心板，故可降低整体结构的厚度，并且此穿孔中介层的热膨胀系数与硅晶圆接近或者相同，可提高封装后热循环测试的信赖度。

公开(公告)号：CN104183555A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201310213682.X

申请日：2013-05-31

申请人： 矽品精密工业股份有限公司

发明人： 邱志贤 ,  蔡宗贤 ,  杨超雅 ,  陈嘉扬 ,  郑志铭 ,  朱育德

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件，包括：线路板、设于该线路板上的承载件、设于该承载件上的射频芯片、电性连接该电极垫与该线路板的多个高位焊线、以及包覆该承载件、高位焊线与射频芯片的绝缘层。藉由架高该射频芯片，以利于在该线路板上置放组件及高频布线，而达到高度整合无线系统级封装模块的目的。

公开(公告)号：CN102807836B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201210284584.0

申请日：2006-03-15

申请人： 日立化成株式会社

发明人： 加藤木茂树 ,  伊泽弘行 ,  须藤朋子 ,  汤佐正己 ,  藤绳贡

IPC分类号： C09J175/16

CPC分类号： C08G18/672 ,  C08G18/3212 ,  C08G18/44 ,  C08G18/73 ,  C08L75/16 ,  C08L2666/20 ,  C09J133/066 ,  C09J133/14 ,  C09J175/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/10349 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19042 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/0129 ,  C08G18/664 ,  C08G18/6674 ,  C08G18/6607 ,  C08G18/48 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明是粘接剂组合物、电路连接材料、电路构件的连接结构及半导体装置。本发明的粘接剂组合物是包含自由基产生剂、热塑性树脂、分子内具有2个以上的自由基聚合性基团且重均分子量为3000～30000的聚氨酯（甲基）丙烯酸酯。

公开(公告)号：CN104067389A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201280053715.2

申请日：2012-04-26

申请人： 晟碟半导体(上海)有限公司 ,  晟碟信息科技(上海)有限公司

发明人： 黄大成 ,  白晔 ,  钱开友 ,  邱进添

IPC分类号： H01L23/552 ,  H05K9/00 ,  H05K1/02 ,  H05K3/46 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/552 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0218 ,  H05K1/0298 ,  H05K3/3452 ,  H05K2201/0215 ,  H05K2201/083 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 公开了一种半导体装置，该半导体装置包括用于吸收EMI和/或RFI的材料。该装置包括：衬底(202)；一个或更多个半导体裸芯(224、225)；以及围绕所述一个或更多个半导体裸芯(224、225)的模塑料。用于吸收EMI和/或RFI的所述材料可设置在所述衬底(202)上的阻焊膜层(210)内或上。该装置还包括围绕所述模塑料并且与衬底上的EMI/RFI吸收材料相接触的EMI/RFI吸收材料，以将所述一个或更多个半导体裸芯(224、225)完全包覆在EMI/RFI吸收材料中。

公开(公告)号：CN104051413A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410097337.9

申请日：2014-03-14

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 袁少宁 ,  卢跃康 ,  林耀庆 ,  陈元文 ,  谢素云

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具有积体被动组件的设备，提出多种半导体设备及形成半导体设备的方法。该半导体设备含有包含晶粒衬底的晶粒，该晶粒衬底具有第一及第二主表面。该半导体设备包含配置于该晶粒衬底的该第二主表面下的被动组件。该被动组件通过多个硅通孔(TSV)接触件电性耦合至该晶粒。

公开(公告)号：CN102157475B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201110047069.6

申请日：2008-08-19

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 田中秀一

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/13 ,  G02F1/1345 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

摘要： 本发明提供一种即便发生温度变化也可以良好地保持导电接触状态并防止恶化的电子器件及电子设备。电子器件(100)具有：半导体装置(1)，其包括形成了电极的半导体芯片(10)、在半导体芯片(10)的形成了所述电极的面上形成为突条的树脂突起(20)、和包含在树脂突起(20)上排列的多个电连接部(32)并与所述电极电连接的布线；和布线基板(2)，其具有布线图案(44)；半导体装置(1)搭载于布线基板(2)上，通过使电连接部(32)与布线图案(44)相接触而电连接，与布线图案(44)相接触的多个电连接部(32)形成为包含向树脂突起(20)的长度方向突出的弯曲或折曲形状。

公开(公告)号：CN103943620A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310047475.1

申请日：2013-02-06

申请人： 矽品精密工业股份有限公司

发明人： 蔡宗贤 ,  朱恒正 ,  林建成 ,  邱志贤 ,  钟兴隆 ,  朱育德

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/64 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L28/00 ,  H01L2223/6661 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件包括：一表面上形成有多个电性连接垫与多个围绕该等电性连接垫的打线垫的基板；多个设置于该基板的电性连接垫上的被动组件；形成于该基板的该表面上的绝缘层，令部份该被动组件嵌埋于其中；设于该绝缘层的顶面上的半导体芯片，该半导体芯片在垂直基板方向的投影区域部分涵盖最外侧的该被动组件；多个电性连接该半导体芯片与该打线垫的焊线；形成于该基板的该表面上的封装胶体，使该绝缘层、焊线及半导体芯片嵌埋于其中。本发明通过将半导体芯片设置于嵌埋有被动组件的绝缘层上，能有效提升被动组件的设置密度。