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    半導体チップの製造方法
    37.
    发明专利
    半導体チップの製造方法 审中-公开
    一种制造半导体芯片的方法

    公开(公告)号：JPWO2014157329A1

    公开(公告)日：2017-02-16

    申请号：JP2015508586

    申请日：2014-03-26

    申请人： リンテック株式会社

    发明人： 高志 阿久津 ,  高志 阿久津 ,  洋司 若山 ,  洋司 若山

    IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/301

    CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/27001 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/83191

    摘要： 【課題】半導体ウエハの回路面にダイボンディング用接着フィルムを貼付する際に、接着フィルムのバンプへの追従性が向上した半導体チップを製造する方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る半導体チップの製造方法は、表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面に、減圧下でダイボンディング用接着フィルムを貼付する工程、半導体ウエハおよびダイボンディング用接着フィルムを、回路毎に個片化し、回路面にダイボンディング用接着フィルムを有するチップを得る工程を含むことを特徴としている。【選択図】図1

    摘要翻译： 粘贴粘接膜的半导体晶片的电路表面上的管芯接合，提供一种制造半导体芯片的方法的时具有改进的跟随性的粘合膜的凸块。 根据本发明的制造半导体芯片的方法包括，在具有在表面上形成一个电路，在真空粘贴用粘接膜小片接合的工序中，在半导体晶片的粘接薄膜与芯片接合半导体晶片的电路面 和分割用于每个电路，它的特征在于包括：获得一个芯片与所述电路表面上管芯键合粘合膜的步骤。 点域1

    炭化珪素半導体装置の製造方法、半導体基体の製造方法、炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造装置
    38.
    发明专利
    炭化珪素半導体装置の製造方法、半導体基体の製造方法、炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造装置 有权
    制造碳化硅半导体器件中，制造半导体衬底，碳化硅半导体器件和碳化硅半导体器件的制造装置的方法的方法

    公开(公告)号：JP6076548B1

    公开(公告)日：2017-02-08

    申请号：JP2016537032

    申请日：2015-12-11

    申请人： 新電元工業株式会社

    发明人： 福田 祐介 ,  渡部 善之

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/544 ,  H01L29/0619 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L2223/54426 ,  H01L23/3171

    摘要： 炭化珪素半導体装置(100)の製造方法は、炭化珪素ウエハ(10)の表面側に表面電極(30)を形成する工程と、炭化珪素ウエハ(10)を裏面側から薄くして、炭化珪素ウエハ(10)を薄板化する工程と、薄板化された炭化珪素ウエハ(10)の裏面に金属層(21)を設ける工程と、炭化珪素ウエハ(10)及び金属層(21)が平坦化するように外力を加えた状態で、金属層(21)にレーザ光を照射して炭化珪素ウエハ(10)中の炭素と反応したカーバイド層(20)を金属層(21)の裏面側に形成する工程と、カーバイド層(20)の裏面側に裏面電極(40)を形成する工程と、を備える。

    摘要翻译： 用于碳化硅半导体器件（100）的制造方法包括形成在碳化硅晶片（10）的表面侧上的表面电极（30）的从背面，碳化硅晶片的步骤，和薄碳化硅晶片（10） （10）减薄的步骤和减薄的碳化硅晶片（10），碳化硅晶片（10）和金属层（21）的背表面上提供金属层（21）的步骤，以便压平 步骤而施加外力，所述金属层（21）照射的激光束在碳化硅晶片（10），以形成在所述金属层（21）的背面侧的碳化物层（20）中的碳发生反应 时，以及在所述碳化硅层（20）的背面侧的背面电极（40）的步骤。