公开(公告)号：WO2012106223A2

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：PCT/US2012/023068

申请日：2012-01-30

申请人： HENKEL CORPORATION ,  HOANG, Gina ,  KIM, YounSang ,  GUINO, Rose

发明人： HOANG, Gina ,  KIM, YounSang ,  GUINO, Rose

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L21/02002 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/304 ,  H01L2221/68368 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68381

摘要： A method for preparing a semiconductor with preapplied underfill comprises (a) providing a thinned silicon semiconductor wafer having a plurality of metallic bumps on its active face and, optionally, through-silica-vias vertically through the silicon semiconductor wafer; (b) providing an underfill material on a dicing support tape, in which the underfill material is precut to the shape of the semiconductor wafer; (c) aligning the underfill material on the dicing support tape with the semiconductor wafer and laminating the underfill material to the semiconductor wafer.

摘要翻译： 用于制备具有预先施加的底部填充物的半导体的方法包括：（a）在其有源面上提供具有多个金属凸块的薄化硅半导体晶片，以及可选地通过二氧化硅通孔穿过硅半导体晶片; （b）在切割支撑带上提供底部填充材料，其中底部填充材料预先切割成半导体晶片的形状; （c）将切割支撑带上的底部填充材料与半导体晶片对准，并将底部填充材料层压到半导体晶片。

公开(公告)号：WO2012106183A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：PCT/US2012/022801

申请日：2012-01-26

申请人： MEGICA CORPORATION ,  LIN, Mou-Shiung ,  YANG, Ping-Jung ,  LO, Hsin-Jung ,  LIU, Te-Sheng ,  LEE, Jin-Yuan

发明人： LIN, Mou-Shiung ,  YANG, Ping-Jung ,  LO, Hsin-Jung ,  LIU, Te-Sheng ,  LEE, Jin-Yuan

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L21/683 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/1441 ,  H01L2924/1451 ,  H01L2924/14511 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

摘要： Multichip packages or multichip modules may include stacked chips and through silicon/substrate vias (TSVs) formed using enclosure-first technology. Enclosure-first technology may include forming an isolation enclosure associated with a TSV early in the fabrication process, without actually forming the associated TSV. The TSV associated with the isolation enclosure is formed later in the fabrication process. The enclosure-first technology allows the isolation enclosures to be used as alignment marks for stacking additional chips. The stacked chips can be connected to each other or to an external circuit such that data input is provided through the bottom-most (or topmost) chip, data is output from the bottom-most (or topmost) chip. The multichip package may provide a serial data connection, and a parallel connection, to each of the stacked chips.

摘要翻译： 多芯片封装或多芯片模块可以包括堆叠芯片和通过使用封装第一技术形成的硅/衬底通孔（TSV）。 外壳首先技术可以包括在制造过程的早期形成与TSV相关联的隔离外壳，而不实际形成相关的TSV。 与隔离罩相关联的TSV在制造过程中稍后形成。 封装第一技术允许隔离外壳用作堆叠附加芯片的对准标记。 堆叠的芯片可以彼此连接或连接到外部电路，使得通过最底部（或最上面）芯片提供数据输入，数据从最底部（或最顶端）的芯片输出。 多芯片封装可以向每个堆叠的芯片提供串行数据连接和并联连接。

公开(公告)号：WO2012061199A3

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：PCT/US2011058080

申请日：2011-10-27

申请人： TESSERA INC ,  HABA BELGACEM ,  MOHAMMED ILYAS ,  CHAU ELLIS ,  LEE SANG II ,  DESAI KISHOR

发明人： HABA BELGACEM ,  MOHAMMED ILYAS ,  CHAU ELLIS ,  LEE SANG II ,  DESAI KISHOR

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/1605 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8349 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A method for making a microelectronic assembly includes providing a microelectronic element 30 with first conductive elements and a dielectric element 50 with second conductive elements. At least some of either the first conductive elements or the second conductive elements may be conductive posts 40 and other of the first or second conductive elements may include a bond metal 10 disposed between some of the conductive posts 40. An underfill layer 60 may overly some of the first or second conductive elements. At least one of the first conductive elements may be moved towards the other of the second conductive elements so that the posts pierce the underfill layer 60 and at least deform the bond metal 10. The microelectronic element 30 and the dielectric element 50 can be heated to join them together. The height of the posts 40 above the surface may be at least forty percent of a distance between surfaces of the microelectronic element 30 and dielectric element 50.

摘要翻译： 制造微电子组件的方法包括：将微电子元件30提供有第一导电元件和具有第二导电元件的电介质元件50。 第一导电元件或第二导电元件中的至少一些可以是导电柱40，并且第一或第二导电元件中的另一个可以包括设置在一些导电柱40之间的接合金属10.底部填充层60可能过度一些 的第一或第二导电元件。 第一导电元件中的至少一个可以朝向第二导电元件中的另一个移动，使得支柱刺穿底部填充层60并且至少使接合金属10变形。微电子元件30和电介质元件50可被加热到 一起加入 表面上方的柱40的高度可以是微电子元件30和电介质元件50的表面之间的距离的至少40％。

公开(公告)号：WO2012081771A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：PCT/KR2011/002069

申请日：2011-03-25

申请人： 제일모직 주식회사 ,  편아람 ,  어동선 ,  송기태 ,  조재현 ,  김인환

发明人： 편아람 ,  어동선 ,  송기태 ,  조재현 ,  김인환

IPC分类号： C09J11/06 ,  C09J7/02 ,  C09J163/00 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L24/83 ,  C08K5/09 ,  C09J7/10 ,  C09J9/02 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J2203/326 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 본 발명은 특정 구조를 갖는 플럭스 활성 경화제를 포함하며, 범프 Chip간 전기적 접속 신뢰성을 만족하고 범프 Chip간 접착층으로써 Cu Bump와 Solder의 산화막을 제거하는 Flux공정이 가능하며, 가열 압착에 따른 Chip Bonding시 Bump와 Solder가 충분히 서로 접속하게 하는 고유동의 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지를 제공한다.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体用高流动性粘合剂组合物，其中，所述组合物含有具有特定结构的助熔剂固化剂; 允许满足凸块芯片电连接可靠性要求的焊剂工艺，并且去除焊料上的任何氧化膜和Cu凸块作为凸块芯片接触层; 并且通过热压接在芯片接合期间确保焊料和凸块之间充分的相互接触。 还提供了包含该组合物的粘合剂膜和使用该组合物的半导体封装。

公开(公告)号：WO2012074570A2

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：PCT/US2011/029394

申请日：2011-03-22

申请人： TESSERA, INC ,  OGANESIAN, Vage ,  HABA, Belgacem ,  MOHAMMED, Ilyas ,  MITCHELL, Craig ,  SAVALIA, Piyush

发明人： OGANESIAN, Vage ,  HABA, Belgacem ,  MOHAMMED, Ilyas ,  MITCHELL, Craig ,  SAVALIA, Piyush

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/145 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A microelectronic assembly 100 is provided which includes a first element 110 consisting essentially of at least one of semiconductor or inorganic dielectric material having a surface 103 facing and attached to a major surface 104 of a microelectronic element 102 at which a plurality of conductive pads 106 are exposed, the microelectronic element 102 having active semiconductor devices therein. A first opening 111 extends from an exposed surface 118 of the first element 110 towards the surface 103 attached to the microelectronic element 102, and a second opening 113 extends from the first opening 111 to a first one of the conductive pads 106, wherein where the first and second openings meet, interior surfaces 121, 123 of the first and second openings extend at different angles relative to the major surface 104 of the microelectronic element 102. A conductive element 114 extends within the first and second openings 111, 113 and contacts the at least one conductive pad 106.

摘要翻译： 提供微电子组件100，其包括基本上由半导体或无机电介质材料中的至少一种组成的第一元件110，其具有面向103并附着到微电子元件102的主表面104的表面103，多个导电焊盘106 微电子元件102在其中具有有源半导体器件。 第一开口111从第一元件110的暴露表面118延伸到附接到微电子元件102的表面103，并且第二开口113从第一开口111延伸到导电焊盘106中的第一开口111，其中 第一和第二开口相交，第一和第二开口的内表面121,123相对于微电子元件102的主表面104以不同的角度延伸。导电元件114在第一和第二开口111,113内延伸并接触 至少一个导电垫106。

公开(公告)号：WO2012039114A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：PCT/JP2011/005209

申请日：2011-09-15

申请人： オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド ,  柴崎 孝 ,  西塔 秀史 ,  牧野 高久 ,  清水 勝徳 ,  佐々木 大輔

发明人： 柴崎　孝 ,  西塔　秀史 ,  牧野　高久 ,  清水　勝徳 ,  佐々木　大輔

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC分类号： H05K1/18 ,  H01L23/049 ,  H01L23/24 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/072 ,  H01L31/02021 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 大電流のスイッチングを行う半導体素子が内蔵された小型の回路装置を提供する。 本発明の混成集積回路装置１０は、回路基板１２と、回路基板１２の上面に配置された複数のセラミック基板２２Ａ－２２Ｇと、このセラミック基板２２Ａ－２２Ｇの上面に実装されたトランジスタ等の回路素子と、この回路素子と接続されて外部に露出するリード２９等を備えている。更に本形態では、回路基板１２の中央部付近にリード２８、３０、３１Ａ－３１Ｃが重畳して配置されており、このリードが重畳する領域に接近してＩＧＢＴ等の回路素子が配置されて電気的に接続されている。ＩＧＢＴにより変換された交流電流は、リード３１Ａ等を経由して外部に出力される。

摘要翻译： 提供一种嵌入了高电流切换的半导体元件的紧凑型电路装置。 混合集成电路装置（10）具有：电路板（12）; 设置在所述电路板（12）的顶表面上的多个陶瓷基板（22A-22G）。 电路元件，例如安装在陶瓷基板（22A-22G）的顶表面上的晶体管; 以及连接到电路元件并暴露于外部的引线（29）等。 此外，在本实施方式中，引线（28,30,31A-31C）重叠配置在电路基板（12）的中心附近，并且电路元件（例如IGBT）被布置并电连接接近该区域 引线叠加在其上。 由IGBT变换的交流电经由引线（31A等）向外部输出。

公开(公告)号：WO2012012321A2

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：PCT/US2011/044342

申请日：2011-07-18

申请人： TESSERA, INC. ,  HABA, Belgacem

发明人： HABA, Belgacem

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/66 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/45099

摘要： A microelectronic package (290) having a (substrate 230), a microelectronic element (170), e.g., a chip, and terminals (240) can have conductive elements (238) electrically connected with element contacts of the chip and contacts of the substrate. Conductive elements can be electrically insulated from one another for simultaneously carrying different electric potentials. An encapsulant (201) can overlie the first surface (136) of the substrate and at least a portion of a face (672) of the microelectronic element remote from the substrate, and may have a major surface (200) above the microelectronic element. A plurality of package contacts (120, 220, 408, 410, 427) can overlie a face (672) of the microelectronic element remote from the substrate. The package contacts, e.g., conductive masses (410), substantially rigid posts (120, 220), can be electrically interconnected with terminals (240) of the substrate (230), such as through the conductive elements. The package contacts can have top surfaces (121) at least partially exposed at the major (surface 200) of the encapsulant (201).

摘要翻译： 具有（衬底230），微电子元件（170），例如芯片和端子（240）的微电子封装（290）可以具有与芯片的元件触点和衬底的触点电连接的导电元件（238） 。 导电元件可以彼此电绝缘以同时承载不同的电位。 密封剂（201）可以覆盖在衬底的第一表面（136）上，并且微电子元件的面（672）的至少一部分远离衬底，并且可以在微电子元件上方具有主表面（200）。 多个封装触点（120,220,408,410,427）可以覆盖远离衬底的微电子元件的面（672）。 诸如导电块（410），基本上刚性的柱（120,220）的封装接触可以例如通过导电元件与衬底（230）的端子（240）电互连。 封装接触件可以具有至少部分地暴露在密封剂（201）的主表面（200）处的顶表面（121）。

公开(公告)号：WO2011152424A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：PCT/JP2011/062536

申请日：2011-05-31

申请人： 三洋電機株式会社 ,  柳瀬 康行 ,  臼井 良輔

发明人： 柳瀬　康行 ,  臼井　良輔

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81379 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83379 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】半導体モジュールを製造する際に構成部材のハンドリングを容易にし、半導体モジュールの製造プロセスを簡略化する。 【解決手段】銅板を接着層３１０により基材３００に保持した状態で、銅板を選択的に除去して突起電極３２および配線層３０を形成する。続いて、配線層３０、突起電極３２および接着層３１０の上にＡｕ／Ｎｉ層３４が露出するように絶縁樹脂層２０を積層して素子搭載用基板を形成する。基材３００に保持された素子搭載用基板と半導体素子とを仮圧着した後、基材３００および接着層３１０を除去し、素子搭載用基板と半導体素子とを本圧着する。

摘要翻译： 当制造半导体模块时，构成部件的处理变得更容易，并且简化了半导体模块的制造工艺。 具体地，通过接合层（310）将铜板保持在​​基体（300）上，然后选择性地去除，从而形成突出电极（32）和布线层（30）。 接着，在布线层（30），突出电极（32）和接合层（310）上设置绝缘树脂层（20），使Au / Ni层（34）露出，从而形成 元件安装用基板。 在暂时压接保持在基座（300）上的元件安装用基板（300）和半导体元件之后，移除基体（300）和接合层（310），将元件安装用基板和半导体元件 永久地压接在一起。

公开(公告)号：WO2011119932A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：PCT/US2011/029955

申请日：2011-03-25

申请人： QUALCOMM Incorporated ,  KIM, Jonghae ,  GOUSEV, Evgeni P. ,  NOWAK, Matthew Michael

发明人： KIM, Jonghae ,  GOUSEV, Evgeni P. ,  NOWAK, Matthew Michael

IPC分类号： H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0655 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/18 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16137 ,  H01L2224/16195 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/92227 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： A heterogeneous integrated circuit having at least one tier made of multiple technologies and a method of making the heterogeneous integrated circuit. The heterogeneous integrated circuit includes a package substrate, a first die of a first technology, and a second die of a second technology, where the two dies are located in the same tier. One die can surround the other die. The heterogeneous integrated circuit can also include a wire-bond and/or horizontal micro-bump coupling the two dies. The heterogeneous integrated circuit can also include a wire bond or vertical micro-bump coupling one of the dies to the package substrate. The vertical micro-bump coupling can include a through-via. The two technologies can be any of various technologies including CMOS, glass, sapphire and quartz. One die can also be adjacent to the other die on the same tier and the two dies coupled using a horizontal micro-bump.

摘要翻译： 具有由多种技术制成的至少一层的异质集成电路以及制造异质集成电路的方法。 异质集成电路包括封装衬底，第一技术的第一裸片和第二技术的第二裸片，其中两个裸片位于同一层。 一个模具可以围绕另一个模具。 异质集成电路还可以包括耦合两个管芯的引线接合和/或水平微凸块。 异质集成电路还可以包括引线接合或将一个管芯耦合到封装衬底的垂直微突起。 垂直微凸块耦合可以包括通孔。 这两种技术可以是包括CMOS，玻璃，蓝宝石和石英在内的各种技术。 一个管芯也可以在同一层上与另一个管芯相邻，并且两个管芯使用水平微型焊盘进行耦合。

公开(公告)号：WO2011004542A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：PCT/JP2010/003538

申请日：2010-05-26

申请人： パナソニック株式会社 ,  本村耕治 ,  吉永誠一 ,  境忠彦

发明人： 本村耕治 ,  吉永誠一 ,  境忠彦

IPC分类号： H05K3/34 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H05K1/18

CPC分类号： H05K3/305 ,  H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06151 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17135 ,  H01L2224/17179 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32052 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33179 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8159 ,  H01L2224/81599 ,  H01L2224/81609 ,  H01L2224/81611 ,  H01L2224/81613 ,  H01L2224/81616 ,  H01L2224/81639 ,  H01L2224/81644 ,  H01L2224/81647 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81855 ,  H01L2224/81905 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/8359 ,  H01L2224/83599 ,  H01L2224/83609 ,  H01L2224/83611 ,  H01L2224/83613 ,  H01L2224/83616 ,  H01L2224/83639 ,  H01L2224/83644 ,  H01L2224/83647 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H05K3/225 ,  H05K3/3436 ,  H05K2203/0425 ,  H05K2203/176 ,  Y02P70/613 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

摘要： 　本発明の課題は、電子部品と回路基板の間の接合強度の向上を図りつつ電子部品又は回路基板に熱的ダメージを与えることなくリペア作業を行うことができるようにした電子部品ユニット及び補強用接着剤を提供することである。　下面に複数の接続端子（１２）を備えた電子部品（２）と、上面に接続端子（１２）に対応する複数の電極（２２）を備えた回路基板（３）とを有し、接続端子（１２）と電極（２２）とが半田バンプ（２３）によって接合されるとともに、電子部品（２）と回路基板（３）が部分的に熱硬化性樹脂の熱硬化物から成る樹脂接合部（２４）によって接合された電子部品ユニット（１）において、樹脂接合部（２４）の内部に金属粉（２５）が分散状態で含まれている。金属粉（２５）は、電子部品（２）を回路基板（３）から除去する作業（リペア作業）を行う際に樹脂接合部（２４）を加熱する温度よりも低い融点を有する。

摘要翻译： 公开了一种电子部件单元和增强粘合剂，其中电子部件和电路板之间的接合强度增加，并且可以执行修复工作而不会对电子部件或电路板造成热损伤。 具体公开了一种电子部件单元（1），其包括在其下表面设置有多个连接端子（12）的电子部件（2）和设置有多个电极（22）的电路板（3） 在与上述连接端子（12）对应的上表面上，通过使用焊锡凸块（23）将上述连接端子（12）与上述电极（22）接合，并将上述电子部件（2） （3）使用包含由热固性树脂形成的热固性材料的树脂接头（24），其中金属粉末（25）以分散状态包含在树脂接头（24）的内部。 当进行从电路板（3）移除电子部件（2）的工作（修理工作）时，金属粉末25的熔点低于树脂接头24被加热的温度。