公开(公告)号：WO2015175557A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：PCT/US2015/030413

申请日：2015-05-12

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： UZOH, Cyprian, Emeka ,  KATKAR, Rajesh

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/98 ,  H01L25/10 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/0266 ,  B23K35/22 ,  B23K2201/40 ,  B32B15/01 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/03318 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0333 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05294 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05794 ,  H01L2224/05839 ,  H01L2224/05844 ,  H01L2224/05847 ,  H01L2224/05855 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11001 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17505 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/2401 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81138 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841

摘要： In some embodiments, to increase the height-to-pitch ratio of a solder connection that connects different structures with one or more solder balls, only a portion (510) of a solder ball's (140) surface is melted when the connection is formed on one structure (110) and/or when the connection is being attached to another structure (HOB). The structure (110) may be an integrated circuit, an interposer, a rigid or flexible wiring substrate, a printed circuit board, some other packaging substrate, or an integrated circuit package. In some embodiments, solder balls (140.1, 140.2) are joined by an intermediate solder ball (140i), upon melting of the latter only. Any of the solder balls (140, 140i) may have a non-solder central core (140C) coated by solder shell (140S). Some of the molten or softened solder may be squeezed out, to form a "squeeze-out" region (520, 520A, 520B, 520.1, 520.2). In some embodiments, a solder connection (210) such as discussed above, on a structure (110A), may be surrounded by a dielectric layer (1210), and may be recessed in a hole (1230) in that layer (1210), to help in aligning a post (1240) of a structure (HOB) with the connection (210) during attachment of the structures (110A, HOB). The dielectric layer (1210) may be formed by moulding. The dielectric layer may comprise a number of layers (1210.1, 1210.2), "shaved" (partially removed) to expose the solder connection (210). Alternatively, the recessed solder connections (210) may be formed using a sublimating or vapourisable material (1250), placed on top of the solder (210) before formation of the dielectric layer (1210) or coating solder balls (140); in the latter case, the solder (140C) sinks within the dielectric material (1210) upon removal of the material (1250) and subsequent reflow. In some embodiments, the solder connections (210) may also be formed in openings (2220) in a dielectric layer (2210) (photoimageable polymer or inorganic) by solder paste printing and/or solder ball jet placement followed by reflow to let the solder sink to the bottom of the openings (2220), with possible repetition of the process and possible use of different solders in the different steps. The solder connections (210, 210.1, 210.2) may be used for bonding one or more structures (HOB, HOC) (e.g. an integrated circuit die or wafer, a packaging substrate or a package) to a structure (110A) (a wiring substrate) on which a die (HOB) is flip-chip connected. The solder connections (210, 210.1, 210.2) may differ from each other, in particular in height, which can be used for attaching a structure (HOB) with posts (1240) of different heights or for attaching two structures (HOB, HOC) in the case of a stepped form of the dielectric layer, one of the structures (HOC) being possibly placed higher than the other structure (HOB). In some embodiments, the structure (HOA) may be removed after bonding to the structures (HOB, HOC) and a redistribution layer (3210) may be formed to provide connecting lines (3220) connecting the solder connections (210) to contact pads (120R) and possibly interconnecting between the solder connections (210) and/or between the contact pads (120R).

摘要翻译： 在一些实施例中，为了增加将不同结构与一个或多个焊球连接的焊料连接的高度与间距比，当焊接球（140）表面的一部分（510）形成在 一个结构（110）和/或当连接被附接到另一个结构（HOB）时。 结构（110）可以是集成电路，插入器，刚性或柔性布线基板，印刷电路板，一些其它封装基板或集成电路封装。 在一些实施例中，焊料球（140.1,140.2）仅在熔化时被中间焊球（140i）连接。 任何焊球（140,140i）可以具有由焊料壳（140S）涂覆的非焊料中心芯（140C）。 一些熔融或软化的焊料可能被挤出，以形成“挤出”区域（520,520A，520B，520.1,520.2）。 在一些实施例中，在结构（110A）上的如上所述的焊料连接（210）可被电介质层（1210）包围，并且可以凹入该层（1210）中的孔（1230）中， 以在结构（110A，110B）的附接期间帮助将结构的柱（1240）与连接件（210）对齐。 电介质层（1210）可以通过模制形成。 介电层可以包括多个层（1210.1,1212.2），“剃光”（部分去除）以暴露焊料连接（210）。 或者，可以在形成电介质层（1210）或涂覆焊球（140）之前使用升华或蒸发的材料（1250）形成凹陷的焊料连接（210），放置在焊料（210）的顶部上。 在后一种情况下，当去除材料（1250）和随后的回流时，焊料（140C）在电介质材料（1210）内下沉。 在一些实施例中，焊料连接（210）还可以通过焊膏印刷和/或焊球喷射放置形成在电介质层（2210）（可光成像的聚合物或无机）中的开口（2220）中，然后回流以使焊料 沉入开口（2220）的底部，可能重复该过程并可能在不同步骤中使用不同的焊料。 焊接连接（210,210.1,210.2）可以用于将一个或多个结构（HOB，HOC）（例如，集成电路管芯或晶片，封装衬底或封装）结合到结构（110A）（布线基板 ），其上晶片（HOB）被倒装连接。 焊接连接（210,210.1,210.2）可以彼此不同，特别是在高度上可以不同，其可用于将结构（HOB）与不同高度的柱（1240）连接或用于附接两个结构（HOB，HOC） 在阶梯形状的电介质层的情况下，结构（HOC）中的一个可能被放置得高于其他结构（HOB）。 在一些实施例中，可以在结合到结构（HOB，HOC）之后去除结构（HOA），并且可以形成再分布层（3210），以提供将焊接连接（210）连接到接触焊盘的连接线（3220） 120R），并且可能在焊料连接（210）和/或接触焊盘（120R）之间互连。

公开(公告)号：WO2013161254A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/JP2013/002685

申请日：2013-04-22

申请人： 株式会社デンソー

发明人： 富坂　学 ,  岡部　好文 ,  鈴木　幹昌

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/288 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03332 ,  H01L2224/03442 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05255 ,  H01L2224/05355 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05855 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 　半導体装置は、半導体基板（１０）と、半導体基板の上に形成された金属膜（２０）を備えている。金属膜（２０）は、Ｎｉの母体（２１）と、Ｎｉよりも凝集エネルギーが高い材料（２２）と、を含んで構成されている。半導体装置の製造方法では、半導体基板（１０）と、ＮｉにＰを溶融して形成したターゲットと、を用意し、半導体基板（１０）のうち金属膜（２０）が形成される部分の温度を２８０℃以上８７０℃以下に加熱しつつターゲットを用いたスパッタリングを行う。

摘要翻译： 一种半导体器件，设置有形成在半导体衬底上的半导体衬底（10）和金属膜（20）。 金属膜（20）被构造为包括Ni基（21）和具有比Ni更高的内聚能的材料（22）。 在半导体装置的制造方法中，准备将P与Ni融合而形成的半导体基板（10）和靶，并且在加热半导体基板（10）的部分的同时进行溅射， （20）形成为280〜870℃的温度。