公开(公告)号：CN103828041B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201280047577.7

申请日：2012-09-25

申请人： 夏普株式会社

发明人： 濑户刚

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L29/41 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40101 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45016 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 半导体芯片（3）的栅极电极（4）/源极电极（5）通过导电体（11a/11b）分别与栅极端子（7）/源极端子（9）连接，栅极端子（7）的与导电体（11a）的接合部分以与栅极电极（4）接近的方式被配置，源极端子（9）的与导电体（11b）的接合部分以与源极电极（5）接近的方式被配置。

公开(公告)号：CN105702639A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510919458.1

申请日：2015-12-10

申请人： 英飞凌科技美国公司

发明人： 曹应山

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L25/07 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37184 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

摘要： 本公开涉及具有堆叠的单独封装的功率器件的集成功率组件。公开了一种集成功率组件。所述集成功率组件包括具有部分刻蚀段的第一引线框架、配置用于附接到第一引线框架的部分刻蚀段的第一半导体裸片、具有耦合到第一半导体裸片的上表面的无腿导电夹的第二引线框架。集成功率组件还包括在第二引线框架之上并且具有部分刻蚀段的第三引线框架、配置用于附接到第三引线框架的部分刻蚀段而配置的第二半导体裸片，其中第二半导体裸片通过第三引线框架的部分刻蚀段被耦合到第一半导体裸片并且其中第三引线框架的部分刻蚀段位于第二引线框架的无腿导电夹上。

公开(公告)号：CN103503132B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201180070578.9

申请日：2011-06-09

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 大贺琢也 ,  坂元一泰 ,  杉原刚 ,  加藤政纪 ,  中岛大辅 ,  治田刚 ,  多田玄

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L23/4952 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/115 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29201 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40179 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/40249 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84138 ,  H01L2224/84143 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92157 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/37099

摘要： 本发明的目的在于提供一种半导体装置。该半导体装置中，利用第1焊料（51）将第1引线（11）与MOS-FET（21）的下表面电极（23）进行接合，利用第2焊料（52）将MOS-FET的上表面电极（22）与内部引线（31）进行接合，利用第3焊料（53）将内部引线与第2引线的突起部（61）进行接合，并且第1引线、第2引线、MOS-FET以及内部引线通过密封树脂（41）来一体形成，在第1焊料的内部与第2焊料的内部设置支承构件（54）、（55），并通过自对准使内部引线与MOS-FET的位置稳定。

公开(公告)号：CN103378025B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201310093077.3

申请日：2013-03-22

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 村田大辅 ,  菊池正雄

IPC分类号： H01L23/42 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/37099

摘要： 本发明提供能够抑制热应力导致的翘曲、提高可靠性的半导体装置。散热器3a～3f互相离开而配置。晶体管元件1a～1c安装在散热器3a～3c上，其下表面与散热器3a～3c接合。晶体管元件1d～1f安装在散热器3d～3f上，其下表面与散热器3d～3f接合。模制树脂8覆盖散热器3a～3f及晶体管元件1a～1f。具有比模制树脂8高的刚性的增强部件9在模制树脂8内横穿散热器3a～3f之间的区域而设置。

公开(公告)号：CN105474386A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480046107.8

申请日：2014-10-06

申请人： 日本精工株式会社

发明人： 须永崇 ,  金子昇 ,  三好修 ,  铃木良一

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L24/41 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/352 ,  H01L2224/35847 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37013 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37611 ,  H01L2224/4001 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40475 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/4099 ,  H01L2224/4112 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84138 ,  H01L2224/8421 ,  H01L2224/84424 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/84815 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/365 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013

摘要： 提供基于焊锡的电连接的可靠性较高并且廉价的半导体模块。电极接合部(36bb)的与裸芯片FET(35)的栅电极(G)的被接合面对置的接合面以及基板接合部(36bc)的与其他的布线图案(33c)的被接合面对置的接合面具备脱气排出机构，该脱气排出机构使在金属板连接器(36b)的焊接时熔融的焊锡中产生的脱气从介于接合面与被接合面之间的焊锡(34c、34f)排出。

公开(公告)号：CN103314437B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180064783.4

申请日：2011-04-27

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 大前胜彦 ,  渡边守 ,  渡边哲司 ,  浅尾淑人

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/34 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37013 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84138 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明的目的在于提供一种功率半导体模块，该功率半导体模块具有：多个第1金属板，该多个第1金属板配置在同一平面上；功率半导体芯片，该功率半导体芯片装载在该第1金属板上；以及第2金属板，该第2金属板呈拱桥状，由桥框部和支撑该桥框部的脚部构成，且利用该脚部适当地焊接接合功率半导体芯片的电极之间，并适当地焊接接合功率半导体芯片的电极和第1金属板之间，该功率半导体模块由对这些构件以电气绝缘性树脂进行密封的树脂封装构成，脚部的焊接接合部利用弯曲加工形成为平面状，并且设置在比桥框部要低的位置上。

公开(公告)号：CN102867804B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201210236310.4

申请日：2012-07-06

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 拉尔夫·奥特伦巴

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/34 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/35831 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48671 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48771 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48871 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/77272 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92157 ,  H01L2224/92165 ,  H01L2224/92166 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005

摘要： 本发明公开了一种包括具有突出体的接触片的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：具有晶片焊垫和第一引线的引线框、具有第一电极的半导体芯片、以及具有第一接触区和第二接触区的接触片。半导体芯片置于晶片焊垫之上。第一接触区置于第一引线之上，以及第二接触区置于半导体芯片的第一电极之上。多个突出体从各第一接触区和第二接触区延伸，并且每个突出体具有至少5μm的高度。

公开(公告)号：CN102420217B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201110348417.3

申请日：2011-09-23

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 张翠嶶 ,  李德森

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85095 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85469 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/37599

摘要： 多芯片半导体封装体及其组装。描述了半导体封装体以及其制造方法。在一个实施例中，该半导体封装体包括具有第一和第二管芯附着垫的基板。第一管芯设置在第一管芯附着垫之上。第二管芯设置在第二管芯附着垫之上。第三管芯设置在第一管芯和第二管芯之间。第三管芯具有第一、第二和第三部分，以使第一部分设置在第一管芯的一部分之上，第二部分设置在第二管芯的一部分之上，并且第三部分设置在第一管芯和第二管芯之间的区域之上。

公开(公告)号：CN105140205A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510387811.6

申请日：2015-06-30

申请人： 南通富士通微电子股份有限公司

发明人： 石磊

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37599

摘要： 本发明提供了一种双面散热的半导体叠层封装结构。该结构包括：第一金属框架引脚，第一芯片，第一焊线、第一金属片和第二金属框架引脚，第二芯片，第二焊线、第二金属片。第一金属片的上方设置助焊剂，与第二芯片连接。第一芯片通过第一框架的第一引脚和第一金属片形成电路的连通，第二芯片通过第二框架的第一引脚、第二金属片和第一框架的其他引脚形成电路的连通。本发明构成了一种更为实用双面散热的半导体叠层封装结构。缩小了产品尺寸，节省了生产成本，简化了生产流程，提高产品的良率，保证产品的可靠性。在提高产品封装良率、降低生产成本、缩小产品尺寸的同时满足了大功率、高能耗、高散热产品的性能要求。

公开(公告)号：CN105097573A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510244472.6

申请日：2015-05-14

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： D.博洛夫斯基 ,  A.弗勒梅尔特 ,  C.克施廷 ,  C.施塔尔胡特

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： B22F1/0074 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/203 ,  H01L21/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/29026 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及一种半导体模块。本发明涉及一种用于制造电子模块的方法。对此，提供组件（99），该组件具有：电路载体（3），该电路载体具有金属的第一表面区段（311）；第一接合配对件（1），该第一接合配对件借助于第一连接层（41）与金属的第一表面区段（311）以材料决定的方式连接；和金属的第二表面区段（111；312）。在热处理中，将金属的第二表面区段（111；312）不中断地保持在下述温度上，该温度高于至少为300℃的热处理最低温度。此外，提供第二接合配对件（2）。通过将第二接合配对件（2）在对第二表面区段（111；312）进行热处理结束之后以材料决定的方式与组件（99）连接，建立第二接合配对件（2）和组件（99）之间的牢固的连接。