公开(公告)号：CN102593076B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201110148043.0

申请日：2011-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨庆荣 ,  刘豫文 ,  唐修敏 ,  陈宪伟 ,  杨宗颖 ,  于宗源

IPC: G03F7/20 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。上述半导体装置包括一基板，包括一电路区和一密封环区，上述密封环区围绕上述电路区。一密封环结构，设置于上述密封环区的上方，上述密封环结构具有一第一部分和位于上述第一部分上方的一第二部分，其中上述第一部分具有一宽度W1，上述第二部分具有一宽度W2，且上述宽度W1小于上述宽度W2。本发明可明显地提升封装工艺的良率。

公开(公告)号：CN103035579B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201210193788.3

申请日：2012-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨宗颖 ,  陈宪伟 ,  于宗源 ,  梁世纬

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/3142 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)，包括具有触点焊盘的有源表面和侧面的半导体器件。模件覆盖该半导体器件的侧面。RDL结构包括电连接至触点焊盘并在半导体器件的有源表面上延伸的第一PPI线。UBM层在第一PPI线上方形成并与之电连接。密封环结构围绕模件上的半导体器件的上部外围延伸。该密封环结构包括与第一PPI线和UBM层中的至少一个在相同的水平上延伸的密封层。一种制造WLCSP的方法，包括通过在模制半导体器件上同时形成互连线和密封层，从而形成再布线层压结构。

公开(公告)号：CN102445649B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201110208201.7

申请日：2011-07-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邵栋樑 ,  梁世纬 ,  陈英儒 ,  杨庆荣 ,  陈宪伟 ,  蔡豪益 ,  李明机 ,  余振华

IPC: G01R31/28 ,  G01N27/20 ,  G01N27/24

CPC classification number: G01R31/2648 ,  G01R31/002 ,  G01R31/2644 ,  G01R31/2884 ,  H01L22/34 ,  H01L2224/13

Abstract: 本发明公开一种半导体芯片的测试结构及应用于测量电介质特性的方法，其中该测试结构用于测量一尚未封装的半导体芯片，包括一施力部件与该半导体芯片的一内连线结构耦接，可操控该施力部件以施加一力于该半导体芯片之上；以及第一以及第二测试部分与该内连线结构耦接，该第一以及第二测试部分以测量与该内连线结构中一预定区域相关的一电性效能；其中该第一以及第二测试部分为可操控，于施加该力于该半导体芯片时测量该电性效能。本发明的测试结构可精确的获知裂化发生的时机，并可具有在半导体芯片未封装前即可得知裂化现象的优点。

公开(公告)号：CN104299920A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201310470704.0

申请日：2013-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/14164 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/17135 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了用于形成封装结构的机制的实施例。形成封装结构的方法包括：提供半导体管芯以及在半导体管芯上方形成第一凸块结构和第二凸块结构。第二凸块结构比第一凸块结构更矮和更宽。该方法还包括提供衬底，在衬底上形成有第一接触焊盘和第二接触焊盘。该方法还包括分别在第一接触焊盘和第二接触焊盘上方形成第一焊膏结构和第二焊膏结构。第二焊膏结构比第一焊膏结构更厚。此外，该方法包括将第一凸块结构和第二凸块结构分别与第一焊膏结构和第二焊膏结构回流，以使半导体管芯接合至衬底。

公开(公告)号：CN102456650B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110139294.2

申请日：2011-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈英儒 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体基板的导电结构及其制造方法。该导电结构包括一第一保护层，形成于一基板上方。一连接焊盘，形成于第一保护层上方。一第二保护层，形成于连接焊盘以及第一保护层上方，且第二保护层有一第一开口以及多个第二开口，其中第一开口覆于连接焊盘上方，而第二开口将第一保护层的顶部表面暴露在外。一缓冲层，覆于第二保护层上方并填充于第二开口内部，缓冲层有一第三开口，与第一开口重叠并共同将连接焊盘的一部分暴露在外，其中第一开口与第三开口结合后有侧壁。一下金属层覆盖于第一开口与第三开口结合的侧壁上，并与连接焊盘外露的部分接触。一导电结构位于下金属层上方。此半导体元件的导电结构可防止剥离和改善组装工艺的良率。

公开(公告)号：CN104009007A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201310190559.0

申请日：2013-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/38 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明公开了一种器件，包括封装部件，该封装部件包括形成在封装部件的第一侧上的多个凸块，安装在封装部件的第一侧上的半导体管芯，形成在封装部件的第一侧上方的介电材料，其中封装部件的顶面的四个角部都没有介电材料，以及接合在封装部件的第一侧上的顶部封装件，其中半导体管芯位于顶部封装件和封装部件之间。本发明还公开了模塑料结构。

公开(公告)号：CN102456667B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201110166558.3

申请日：2011-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈英儒 ,  陈宪伟 ,  蔡豪益 ,  李明机

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L22/32 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在半导体晶片中用来进行晶片测试的接合焊盘结构以及具有该接合焊盘结构的晶片。上述接合焊盘结构包括至少两个金属接合焊盘，彼此之间借由在一个或多个绝缘层中的多个导电通孔互相连接。与最底端的金属接合焊盘相接触的多个接触条，其实质上自最底端的金属接合焊盘垂直延伸进入基板。绝缘结构实质上围绕着多个接触条，以便将接合焊盘结构隔离。本发明的工艺控制监测焊盘结构具有的优点如下：借由在裸片单分工艺中降低破裂形成及破裂延伸至裸片的可能性，以及将晶片中的工艺控制监测焊盘结构与其他装置隔绝，避免漏电流，来增加在测试期间的集成电路的可靠度。

公开(公告)号：CN102347319B

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201010558951.2

申请日：2010-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨宗颖 ,  史朝文 ,  蔡豪益 ,  陈宪伟 ,  李明机 ,  刘醇鸿

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/5385 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种半导体装置，包含封装基板，该封装基板包含一延伸至该封装基板顶面上的第一非回焊金属凸块，一位于该封装基板上，且通过多个第一焊接凸块接合至该封装基板的裸片，一位于此裸片上且接合至上述封装基板的封装组件。此封装组件包含一延伸至上述封装基板底面下的第二非回焊金属凸块。上述封装组件大体上是择自由一装置裸片、一额外封装基板及其组合所组成的族群。一焊接凸块将第一非回焊金属凸块接合至第二非回焊金属凸块。本发明的金属凸块间桥接的可能性更小且金属凸块的数量也可增加。

公开(公告)号：CN103579159A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210575914.1

申请日：2012-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/485 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5382 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/09051 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17515 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0295 ,  H05K2201/09954 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种器件，该器件包括第一封装部件，以及位于第一封装部件下面的第二封装部件。第二封装部件包括位于第二封装部件的顶面上的第一电连接件，其中，第一电连接件与第一封装部件相接合。第二封装部件进一步包括位于第二封装部件的顶面上的第二电连接件，其中，没有封装部件位于第二电连接件上且与其相接合。本发明还提供了一种封装组件及其形成方法。

公开(公告)号：CN103311219A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310058749.7

申请日：2013-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡豪益 ,  陈宪伟 ,  郭鸿毅 ,  陈洁 ,  陈英儒 ,  于宗源

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L21/768 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/552 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06515 ,  Y10T29/4902

Abstract: 提供了一种电感器器件和形成电感器器件的方法。在一些实施例中，电感器器件包括所设置的后钝化互连(PPI)层和凸块下金属化(UBM)层，每个都设置在衬底之上。PPI层形成线圈和伪焊盘。伪焊盘设置在线圈的大部分周围，以使线圈免受电磁干扰。UBM层的第一部分电连接至线圈并且被配置成与电连接件相接合。本发明还提供了一种用于后钝化互连的电感器。