公开(公告)号：US20140015086A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US13546847

申请日：2012-07-11

申请人： Chen-Hua Yu ,  Yung Ching Chen ,  Chien-Hsun Lee ,  Mirng-Ji Lii

发明人： Chen-Hua Yu ,  Yung Ching Chen ,  Chien-Hsun Lee ,  Mirng-Ji Lii

IPC分类号： H01L31/02

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/02002 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A device includes a metal pad at a surface of an image sensor chip, wherein the image sensor chip includes an image sensor. A stud bump is disposed over, and electrically connected to, the metal pad. The stud bump includes a bump region, and a tail region connected to the bump region. The tail region includes a metal wire portion substantially perpendicular to a top surface of the metal pad. The tail region is short enough to support itself against gravity.

摘要翻译： 一种设备包括在图像传感器芯片的表面处的金属焊盘，其中图像传感器芯片包括图像传感器。 螺柱凸块设置在金属垫的上方并电连接到金属垫。 凸起凸块包括凸起区域和连接到凸起区域的尾部区域。 尾部区域包括基本上垂直于金属垫的顶表面的金属线部分。 尾部区域足够短，能够抵抗重力。

公开(公告)号：US08629066B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US13562101

申请日：2012-07-30

申请人： Ching-Yu Lo ,  Hung-Jung Tu ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ching-Yu Lo ,  Hung-Jung Tu ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor substrate; a through-semiconductor via (TSV) opening extending into the semiconductor substrate; and a TSV liner in the TSV opening. The TSV liner includes a sidewall portion on a sidewall of the TSV opening and a bottom portion at a bottom of the TSV opening. The bottom portion of the TSV liner has a bottom height greater than a middle thickness of the sidewall portion of the TSV liner.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体衬底; 贯穿半导体衬底的贯通半导体通孔（TSV）开口; 和TSV开口的TSV衬管。 TSV衬套包括在TSV开口的侧壁上的侧壁部分和TSV开口底部的底部。 TSV衬管的底部部分的底部高度大于TSV衬套的侧壁部分的中间厚度。

公开(公告)号：US20140001645A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13619877

申请日：2012-09-14

申请人： Jing-Cheng Lin ,  Chen-Hua Yu

发明人： Jing-Cheng Lin ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/14144 ,  H01L2224/14154 ,  H01L2224/14164 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665

摘要： A system and method for stacking semiconductor devices in three dimensions is provided. In an embodiment two or more semiconductor dies are attached to a carrier and encapsulated. Connections of the two or more semiconductor dies are exposed, and the two or more semiconductor dies may be thinned to form connections on an opposite side. Additional semiconductor dies may then be placed in either an offset or overhanging position.

摘要翻译： 提供了一种三维堆叠半导体器件的系统和方法。 在一个实施例中，将两个或更多个半导体管芯附着到载体并封装。 两个或更多个半导体管芯的连接被暴露，并且两个或更多个半导体管芯可以被薄化以在相对侧上形成连接。 然后可以将另外的半导体管芯置于偏移或悬垂位置中。

公开(公告)号：US08610285B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US13298046

申请日：2011-11-16

申请人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Kuo-Ching Hsu ,  Cheng-Chieh Hsieh ,  Ying-Ching Shih ,  Po-Hao Tsai ,  Cheng-Lin Huang ,  Jing-Cheng Lin

发明人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Kuo-Ching Hsu ,  Cheng-Chieh Hsieh ,  Ying-Ching Shih ,  Po-Hao Tsai ,  Cheng-Lin Huang ,  Jing-Cheng Lin

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/04 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00

摘要： A package component is free from active devices therein. The package component includes a substrate, a through-via in the substrate, a top dielectric layer over the substrate, and a metal pillar having a top surface over a top surface of the top dielectric layer. The metal pillar is electrically coupled to the through-via. A diffusion barrier is over the top surface of the metal pillar. A solder cap is disposed over the diffusion barrier.

摘要翻译： 封装组件不含其中的有源器件。 封装部件包括衬底，衬底中的通孔，衬底上的顶部电介质层，以及在顶部电介质层的顶表面上方具有顶表面的金属柱。 金属柱电连接到通孔。 扩散阻挡层在金属支柱的上表面之上。 焊料帽设置在扩散阻挡层上。

公开(公告)号：US08581418B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US12840949

申请日：2010-07-21

申请人： Weng-Jin Wu ,  Ying-Ching Shih ,  Wen-Chih Chiou ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

发明人： Weng-Jin Wu ,  Ying-Ching Shih ,  Wen-Chih Chiou ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

摘要： A device includes a first die having a first side and a second side opposite to first side, the first side includes a first region and a second region, and a first metal bump of a first horizontal size formed on the first region of the first side of the first die. A second die is bonded to the first side of the first die through the first metal bump. A dielectric layer is formed over the first side of the first die and includes a first portion directly over the second die, a second portion encircling the second die, and an opening exposing the second region of the first side of the first die. A second metal bump of a second horizontal size is formed on the second region of the first side of the first die and extending into the opening of the dielectric layer. The second horizontal size is greater than the first horizontal size. An electrical component is bonded to the first side of the first die through the second metal bump.

摘要翻译： 一种器件包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的第一管芯，第一侧包括第一区域和第二区域，以及形成在第一侧面的第一区域上的第一水平尺寸的第一金属凸块 的第一个死亡。 通过第一金属凸块将第二模具结合到第一模具的第一侧。 介电层形成在第一管芯的第一侧上，并且包括直接在第二管芯上方的第一部分，环绕第二管芯的第二部分和暴露第一管芯的第一侧的第二区域的开口。 第二水平尺寸的第二金属凸块形成在第一模具的第一侧的第二区域上并且延伸到电介质层的开口中。 第二个水平尺寸大于第一个水平尺寸。 电子部件通过第二金属凸块接合到第一管芯的第一侧。

公开(公告)号：US08569086B2

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：US13216825

申请日：2011-08-24

申请人： Jing-Cheng Lin ,  Chih-Wei Wu ,  Szu Wei Lu ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

发明人： Jing-Cheng Lin ,  Chih-Wei Wu ,  Szu Wei Lu ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L21/563 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A method and apparatus for separating a substrate into individual dies and the resulting structure is provided. A modification layer, such as an amorphous layer, is formed within the substrate. A laser focused within the substrate may be used to create the modification layer. The modification layer creates a relatively weaker region that is more prone to cracking than the surrounding substrate material. As a result, the substrate may be pulled apart into separate sections, causing cracks the substrate along the modification layers. Dice or other components may be attached to the substrate before or after separation.

摘要翻译： 提供了一种用于将基底分离成单个模具的方法和装置，并且提供了所得到的结构。 在衬底内形成诸如非晶层的改性层。 可以使用聚焦在衬底内的激光来产生修饰层。 改性层产生比周围的基材更容易破裂的相对较弱的区域。 结果，衬底可以被拉开到分开的部分中，从而沿着修饰层裂开衬底。 在分离之前或之后，骰子或其它组分可附着于基底。

公开(公告)号：US20130270699A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：US13449078

申请日：2012-04-17

申请人： Tin-Hao Kuo ,  Chen-Shien Chen ,  Mirng-Ji Lii ,  Chen-Hua Yu ,  Sheng-Yu Wu ,  Yao-Chun Chuang

发明人： Tin-Hao Kuo ,  Chen-Shien Chen ,  Mirng-Ji Lii ,  Chen-Hua Yu ,  Sheng-Yu Wu ,  Yao-Chun Chuang

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/11903 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A pillar structure for a substrate is provided. The pillar structure may have one or more tiers, where each tier may have a conical shape or a spherical shape. In an embodiment, the pillar structure is used in a bump-on-trace (BOT) configuration. The pillar structures may have circular shape or an elongated shape in a plan view. The substrate may be coupled to another substrate. In an embodiment, the another substrate may have raised conductive traces onto which the pillar structure may be coupled.

摘要翻译： 提供了一种用于衬底的柱结构。 支柱结构可以具有一个或多个层，其中每个层可以具有圆锥形或球形。 在一个实施例中，柱结构用于跟踪跟踪（BOT）配置。 支柱结构在平面图中可以具有圆形或细长形状。 衬底可以耦合到另一衬底。 在一个实施例中，另一衬底可以具有凸起的导电迹线，柱结构可以联接到该导电迹线上。

公开(公告)号：US08557684B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US13215959

申请日：2011-08-23

申请人： Chih-Wei Wu ,  Szu Wei Lu ,  Jing-Cheng Lin ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

发明人： Chih-Wei Wu ,  Szu Wei Lu ,  Jing-Cheng Lin ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/301

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  Y02P80/30 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A method includes performing a laser grooving to remove a dielectric material in a wafer to form a trench, wherein the trench extends from a top surface of the wafer to stop at an intermediate level between the top surface and a bottom surface of the wafer. The trench is in a scribe line between two neighboring chips in the wafer. A polymer is filled into the trench and then cured. After the step of curing the polymer, a die saw is performed to separate the two neighboring chips, wherein a kerf line of the die saw cuts through a portion of the polymer filled in the trench.

摘要翻译： 一种方法包括执行激光切槽以去除晶片中的电介质材料以形成沟槽，其中沟槽从晶片的顶表面延伸以在晶片的顶表面和底表面之间的中间水平处停止。 沟槽在晶片中的两个相邻芯片之间的划线中。 将聚合物填充到沟槽中，然后固化。 在固化聚合物的步骤之后，执行模锯以分离两个相邻的芯片，其中模具的切口线切割填充在沟槽中的聚合物的一部分。

公开(公告)号：US08525343B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12892409

申请日：2010-09-28

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Ebin Liao ,  Tsang-Jiuh Wu

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Ebin Liao ,  Tsang-Jiuh Wu

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76831 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00

摘要： A device with through-silicon via (TSV) and a method of forming the same includes the formation of an opening in a silicon substrate, the formation of a first insulation layer on the sidewalls and bottom of the opening, the formation of a second insulation layer on the sidewalls and bottom of the opening. A first interface between the first insulation layer and the silicon substrate has an interface roughness with a peak-to-valley height less than 5 nm. A second interface between the second insulation layer and the conductive layer has an interface roughness with a peak-to-valley height less than 5 nm.

摘要翻译： 具有通硅通孔（TSV）的器件及其形成方法包括在硅衬底中形成开口，在开口的侧壁和底部形成第一绝缘层，形成第二绝缘体 层在开口的侧壁和底部。 第一绝缘层和硅衬底之间的第一界面具有峰 - 谷高度小于5nm的界面粗糙度。 第二绝缘层与导电层之间的第二界面具有峰 - 谷高度小于5nm的界面粗糙度。

公开(公告)号：US08519414B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US13237181

申请日：2011-09-20

申请人： Chia-Lin Yu ,  Ding-Yuan Chen ,  Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Chia-Lin Yu ,  Ding-Yuan Chen ,  Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： A semiconductor structure includes a substrate and a conductive carrier-tunneling layer over and contacting the substrate. The conductive carrier-tunneling layer includes first group-III nitride (III-nitride) layers having a first bandgap, wherein the first III-nitride layers have a thickness less than about 5 nm; and second III-nitride layers having a second bandgap lower than the first bandgap, wherein the first III-nitride layers and the second III-nitride layers are stacked in an alternating pattern. The semiconductor structure is free from a III-nitride layer between the substrate and the conductive carrier-tunneling layer. The semiconductor structure further includes an active layer over the conductive carrier-tunneling layer.

摘要翻译： 半导体结构包括衬底和与衬底接触的导电载体隧穿层。 导电载体隧穿层包括具有第一带隙的第一III族氮化物（III族氮化物）层，其中第一III族氮化物层具有小于约5nm的厚度; 和具有比第一带隙低的第二带隙的第二III族氮化物层，其中第一III族氮化物层和第二III族氮化物层以交替图案堆叠。 半导体结构在衬底和导电载体 - 隧穿层之间不含III族氮化物层。 半导体结构还包括在导电载体 - 隧穿层上的有源层。