公开(公告)号：US20130260535A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13476340

申请日：2012-05-21

申请人： Meng-Tse CHEN ,  Hui-Min HUANG ,  Chun-Cheng LIN ,  Chih-Chun CHIU ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU

发明人： Meng-Tse CHEN ,  Hui-Min HUANG ,  Chun-Cheng LIN ,  Chih-Chun CHIU ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L21/78 ,  B29C53/16

CPC分类号： B29C53/18 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/566 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/75 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： Embodiments of mechanisms for flattening a packaged structure are provided. The mechanisms involve a flattening apparatus and the utilization of protection layer(s) between the packaged structure and the surface(s) of the flattening apparatus. The protection layer(s) is made of a soft and non-sticking material to allow protecting exposed fragile elements of the packaged structure and easy separation after processing. The embodiments of flattening process involve flattening the warped packaged structure by pressure under elevated processing temperature. Processing under elevated temperature allows the package structure to be flattened within a reasonable processing time.

摘要翻译： 提供了用于使封装结构平坦化的机构的实施例。 这些机构涉及压平装置以及在封装结构和平坦化装置的表面之间利用保护层。 保护层由柔软和不粘的材料制成，以保护封装结构的暴露的易碎元件并且在加工之后易于分离。 扁平化过程的实施例涉及在升高的加工温度下通过压力使翘曲的包装结构变平。 在高温下进行处理可使包装结构在合理的处理时间内变平。

公开(公告)号：US20140001652A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13539136

申请日：2012-06-29

申请人： Meng-Tse CHEN ,  Yu-Chih LIU ,  Hui-Min HUANG ,  Wei-Hung LIN ,  Jing Ruei LU ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU

发明人： Meng-Tse CHEN ,  Yu-Chih LIU ,  Hui-Min HUANG ,  Wei-Hung LIN ,  Jing Ruei LU ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/00 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/562 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/15311

摘要： A package on package structure providing mechanical strength and warpage control includes a first package component, a second package component, and a first set of conductive elements coupling the first package component to the second package component. A first polymer-comprising material is molded on the first package component and surrounds the first set of conductive elements. The first polymer-comprising material has an opening therein exposing a top surface of the second package component. A third package component and a second set of conductive elements couples the second package component to the third package component.

摘要翻译： 提供机械强度和翘曲控制的封装结构的封装包括第一封装元件，第二封装元件和将第一封装元件连接到第二封装元件的第一组导电元件。 第一含聚合物的材料被模制在第一包装部件上并包围第一组导电元件。 第一含聚合物的材料在其中具有露出第二包装部件的顶表面的开口。 第三包装部件和第二组导电元件将第二包装部件耦合到第三包装部件。

公开(公告)号：US20130285238A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：US13460412

申请日：2012-04-30

申请人： Meng-Tse CHEN ,  Hsiu-Jen LIN ,  Chih-Wei LIN ,  Cheng-Ting CHEN ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU

发明人： Meng-Tse CHEN ,  Hsiu-Jen LIN ,  Chih-Wei LIN ,  Cheng-Ting CHEN ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor package structure comprises a substrate, a die bonded to the substrate, and one or more stud bump structures connecting the die to the substrate, wherein each of the stud bump structures having a stud bump and a solder ball encapsulating the stud bump to enhance thermal dissipation and reduce high stress concentrations in the semiconductor package structure.

摘要翻译： 半导体封装结构包括衬底，与衬底结合的管芯，以及将管芯连接到衬底的一个或多个柱塞凸块结构，其中每个凸起凸块结构具有柱形凸起和封装凸起凸起的焊球，以增强 散热并减少半导体封装结构中的高应力集中。

公开(公告)号：US20130270700A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：US13526073

申请日：2012-06-18

申请人： Chen-Hua YU ,  Mirng-Ji LII ,  Chung-Shi LIU ,  Meng-Tse CHEN ,  Wei-Hung LIN ,  Ming-Da CHENG

发明人： Chen-Hua YU ,  Mirng-Ji LII ,  Chung-Shi LIU ,  Meng-Tse CHEN ,  Wei-Hung LIN ,  Ming-Da CHENG

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L24/05 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/22 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3613 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08113 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1355 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： The described embodiments of mechanisms of forming a package on package (PoP) structure involve bonding with connectors with non-solder metal balls to a packaging substrate. The non-solder metal balls may include a solder coating layer. The connectors with non-solder metal balls can maintain substantially the shape of the connectors and control the height of the bonding structures between upper and lower packages. The connectors with non-solder metal balls are also less likely to result in bridging between connectors or disconnection (or cold joint) of bonded connectors. As a result, the pitch of the connectors with non-solder metal balls can be kept small.

摘要翻译： 形成封装封装（PoP）结构的机构的所述实施例包括将具有非焊料金属球的连接器与包装衬底结合。 非焊接金属球可以包括焊料涂层。 具有非焊接金属球的连接器可以基本保持连接器的形状并控制上部和下部封装之间的结合结构的高度。 具有非焊接金属球的连接器也不太可能导致连接器之间的桥接或接合连接器的断开（或冷接头）。 结果，可以将具有非焊接金属球的连接器的间距保持较小。

公开(公告)号：US20130307140A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：US13475674

申请日：2012-05-18

申请人： Hui-Min HUANG ,  Yen-Chang HU ,  Chih-Wei LIN ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU ,  Chen-Shien CHEN

发明人： Hui-Min HUANG ,  Yen-Chang HU ,  Chih-Wei LIN ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU ,  Chen-Shien CHEN

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/19 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： The mechanisms of using an interposer frame to package a semiconductor die enables fan-out structures and reduces form factor for the packaged semiconductor die. The mechanisms involve using a molding compound to attach the semiconductor die to the interposer frame and forming a redistribution layer on one or both sides of the semiconductor die. The redistribution layer(s) in the package enables fan-out connections and formation of external connection structures. Conductive columns in the interposer frame assist in thermal management.

摘要翻译： 使用插入器框架来封装半导体管芯的机构能够实现扇出结构并减小封装半导体管芯的外形尺寸。 这些机构涉及使用模制化合物将半导体管芯附接到插入器框架并在半导体管芯的一侧或两侧上形成再分布层。 封装中的再分配层可以进行扇出连接并形成外部连接结构。 插入式框架中的导电柱有助于热管理。

公开(公告)号：US20130309621A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：US13475790

申请日：2012-05-18

申请人： Hui-Min HUANG ,  Chih-Wei LIN ,  Wen-Hsiung LU ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU

发明人： Hui-Min HUANG ,  Chih-Wei LIN ,  Wen-Hsiung LU ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L21/687 ,  F27D19/00 ,  F27D5/00

CPC分类号： H01L21/67288 ,  H01L21/6838

摘要： A method for adjusting the warpage of a wafer, includes providing a wafer having a center portion and edge portions and providing a holding table having a holding area thereon for holding the wafer. The wafer is placed onto the holding table with the center portion higher than the edge portions and thereafter pressed onto the holding area such that the wafer is attracted to and held onto the holding table by self-suction force. The wafer is heated at a predetermined temperature and for a predetermined time in accordance with an amount of warpage of the wafer in order to achieve a substantially flat wafer or a predetermined wafer level.

摘要翻译： 一种用于调整晶片翘曲的方法，包括提供具有中心部分和边缘部分的晶片，并提供其上具有用于保持晶片的保持区域的保持台。 将晶片放置在保持台上，其中心部分高​​于边缘部分，然后按压到保持区域上，使得晶片通过自吸力被吸引并保持在保持台上。 根据晶片的翘曲量将晶片在预定温度下加热预定时间，以便实现基本上平坦的晶片或预定的晶片级。

公开(公告)号：US20130099370A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13277575

申请日：2011-10-20

申请人： Ming-Da CHENG ,  Chih-Wei LIN ,  Kuei-Wei HUANG ,  Yu-Peng TSAI ,  Chun-Cheng LIN ,  Chung-Shi LIU

发明人： Ming-Da CHENG ,  Chih-Wei LIN ,  Kuei-Wei HUANG ,  Yu-Peng TSAI ,  Chun-Cheng LIN ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor package includes a workpiece with a conductive trace and a chip with a conductive pillar. The chip is attached to the workpiece and a solder joint region is formed between the conductive pillar and the conductive trace. The distance between the conductive pillar and the conductive trace is less than or equal to about 16 μm.

摘要翻译： 半导体封装包括具有导电迹线的工件和具有导电柱的芯片。 芯片附着在工件上，并且在导电柱和导电迹线之间形成焊点区域。 导电柱和导电迹线之间的距离小于或等于约16μm。

公开(公告)号：US20130143364A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13312395

申请日：2011-12-06

申请人： Hsiu-Jen LIN ,  Chung-Shi LIU ,  Ming-Da CHENG ,  Chun-Cheng LIN ,  Yu-Peng TSAI ,  Cheng-Ting CHEN

发明人： Hsiu-Jen LIN ,  Chung-Shi LIU ,  Ming-Da CHENG ,  Chun-Cheng LIN ,  Yu-Peng TSAI ,  Cheng-Ting CHEN

IPC分类号： H01L21/58

摘要： A method includes vacuum annealing on a substrate having at least one solder bump to reduce voids at an interface of the at least one solder bump. A die is mounted over the substrate.

摘要翻译： 一种方法包括在具有至少一个焊料凸块的衬底上进行真空退火以减少在至少一个焊料凸块的界面处的空隙。 模具安装在基板上。

公开(公告)号：US20120267781A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US13543438

申请日：2012-07-06

申请人： Wen-Hsiung LU ,  Ming-Da CHENG ,  Chih-Wei LIN ,  Chung-Shi LIU

发明人： Wen-Hsiung LU ,  Ming-Da CHENG ,  Chih-Wei LIN ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L21/2885 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D17/12 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： This disclosure relates to a bump structure on a substrate including a copper layer, wherein the copper layer fills an opening created in a dielectric layer and a polymer layer. The bump structure further includes an under-bump-metallurgy (UBM) layer lines the opening and the copper layer is deposited over the UBM layer. The bump structure further includes a surface of the copper layer facing away from the substrate is curved. This disclosure also relates to two bump structures with different heights on a substrate where a thickness of the first bump structure is different than a thickness of the second bump structure. This disclosure also relates to a semiconductor device including a bump structure.

摘要翻译： 本公开涉及包括铜层的基板上的凸块结构，其中铜层填充在电介质层和聚合物层中形成的开口。 凸块结构还包括凸起下冶金（UBM）层，该开口划线并且铜层沉积在UBM层上。 凸起结构还包括铜层背离衬底的表面是弯曲的。 本公开还涉及在基板上具有不同高度的两个凸块结构，其中第一凸块结构的厚度不同于第二凸块结构的厚度。 本公开还涉及包括凸块结构的半导体器件。

公开(公告)号：US20120091574A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US12904506

申请日：2010-10-14

申请人： Chih-Wei LIN ,  Ming-Da CHENG ,  Wen-Hsiung LU ,  Meng-Wei CHOU ,  Hung-Jui KUO ,  Chung-Shi LIU

发明人： Chih-Wei LIN ,  Ming-Da CHENG ,  Wen-Hsiung LU ,  Meng-Wei CHOU ,  Hung-Jui KUO ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0341 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： The invention relates to a bump structure of a semiconductor device. An exemplary structure for a semiconductor device comprises a substrate; a contact pad over the substrate; a passivation layer extending over the substrate having an opening over the contact pad; and a conductive pillar over the opening of the passivation layer, wherein the conductive pillar comprises an upper portion substantially perpendicular to a surface of the substrate and a lower portion having tapered sidewalls.

摘要翻译： 本发明涉及半导体器件的凸块结构。 半导体器件的示例性结构包括衬底; 衬底上的接触垫; 钝化层，其在所述衬底上延伸，在所述接触焊盘上具有开口; 以及在所述钝化层的开口上的导电柱，其中所述导电柱包括基本上垂直于所述衬底的表面的上部和具有锥形侧壁的下部。