公开(公告)号：WO2007015938A3

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：PCT/US2006028194

申请日：2006-07-20

申请人： ADVANCED MICRO DEVICES INC ,  KUECHENMEISTER FRANK ,  PLATZ ALEXANDER ,  JUNGNICKEL GOTTHARD ,  SIURY KERSTIN

发明人： KUECHENMEISTER FRANK ,  PLATZ ALEXANDER ,  JUNGNICKEL GOTTHARD ,  SIURY KERSTIN

IPC分类号： H01L21/60 ,  C25F3/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/485 ,  H05K3/34

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32134 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： By patterning an underbump metallization layer stack (105) on the basis of a dry etch process (111), significant advantages may be achieved compared to conventional techniques involving a highly complex wet chemical etch process. In particular embodiments, a titanium tungsten layer or any other appropriate last layer (105B) of an underbump metallization layer stack (105) may be etched on the basis of a plasma etch process (107) using a fluorine-based chemistry and oxygen as a physical component. Moreover, appropriate cleaning processes (110, 113) may be performed for removing particles (109) and residues (112) prior to and after the plasma-based patterning process (107).

摘要翻译： 通过基于干法蚀刻工艺（111）图案化底部金属化层堆叠（105），与涉及高度复杂的湿化学蚀刻工艺的常规技术相比，可以实现显着的优点。 在特定实施例中，可以基于等离子体蚀刻工艺（107），使用氟基化学和氧气作为蚀刻方法来蚀刻钛钨层或下掺杂金属化层堆叠（105）的任何其它合适的最后层（105B） 物理成分。 此外，可以在等离子体图案化工艺（107）之前和之后进行适当的清洁过程（110,113）以去除颗粒（109）和残余物（112）。

公开(公告)号：WO2018063405A1

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：PCT/US2016/055031

申请日：2016-09-30

申请人： INTEL CORPORATION

发明人： ZELL, Zachary A. ,  GOWRISHANKAR, Shravan ,  HUSSAIN, A H M Shahadat ,  BURK, Jonathan J. ,  SATTIRAJU, Seshu V.

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16221 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： Embodiments of the invention include a microelectronic device that includes a layer dielectric material that includes a feature with a depression. A Nickel barrier layer is formed in the depression of the feature and a first conductive layer is formed in the depression of the feature. The microelectronic device can optionally include a second conductive layer formed below the depression of the feature.

摘要翻译： 本发明的实施例包括微电子器件，其包括层介电材料，其包括具有凹陷的特征。 镍阻挡层形成在特征的凹陷中，并且第一导电层形成在特征的凹陷中。 微电子器件可以可选地包括在特征的凹陷下方形成的第二导电层。

公开(公告)号：WO2015000527A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：PCT/EP2013/064239

申请日：2013-07-05

申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH

发明人： REBHAN, Bernhard

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L22/12 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/2781 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29028 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83026 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/05552

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten zumindest teilweise metallischen Kontaktfläche eines ersten Substrats (1, 1') mit einer zweiten zumindest teilweise metallischen Kontaktfläche eines zweiten Substrats mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Aufbringen einer in dem Material mindestens einer der Kontaktflächen zumindest teilweise, insbesondere überwiegend, lösbaren Opferschicht (4) auf mindestens eine der Kontaktflächen, - Bonden der Kontaktflächen unter zumindest teilweisem Lösen der Opferschicht (4) in mindestens einer der Kontaktflächen. Die Kontaktflächen können vollflächig an einem Bondbereich (3) angeordnet sein. Alternativ können die Kontaktflächen aus mehreren Bondbereichen (3') ausgebildet sein, die von Bulkmaterial (5) umgeben oder in Substratkavitäten (2) angeordnet sind. Zur Erzeugung eines Pre-Bonds zwischen den Substraten kann eine Flüssigkeit (z.B. Wasser) verwendet werden.

摘要翻译： 本发明涉及下列序列接合第一基片（1，1“）的第一至少部分是金属的接触表面具有以下步骤的第二基板的在第二至少部分金属接触表面，特别的方法： - 在至少一个的材料施加 接触表面至少部分地，在接触表面中的至少一个，特别是主要释放牺牲层（4） - 键合的接触面的与所述接触表面中的至少一个上的至少所述牺牲层（4）的部分溶解。 接触表面可以在粘合区域（3）被布置在整个表面上。 替代地，多个键合部（3“）的接触表面可以被形成，或者通过（2）被布置在Substratkavitäten散装材料（5）环绕。 为了制备底物之间的预定键可以是液体（例如，水）被使用。

公开(公告)号：WO2014113148A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：PCT/US2013/073624

申请日：2013-12-06

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： DINSMORE, Robert ,  FORSTER, John C. ,  SUH, Song-Moon ,  TSAI, Cheng Hsiung ,  MORI, Glen T.

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2924/00014

摘要： Embodiments of the present invention generally relate to a method for cleaning a processing chamber during substrate processing. During a first substrate processing step, a plasma is formed from a gas mixture of argon, helium, and hydrogen in the processing chamber. In a second substrate processing step, an argon plasma is formed in the processing chamber.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及在衬底处理期间清洁处理室的方法。 在第一基板处理步骤期间，在处理室中由氩，氦和氢的气体混合物形成等离子体。 在第二基板处理步骤中，在处理室中形成氩等离子体。

公开(公告)号：WO2013149451A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：PCT/CN2012/080858

申请日：2012-08-31

申请人： 天水华天科技股份有限公司 ,  华天科技(西安)有限公司 ,  朱文辉 ,  慕蔚 ,  徐召明 ,  李习周 ,  郭小伟

发明人： 朱文辉 ,  慕蔚 ,  徐召明 ,  李习周 ,  郭小伟

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/49524 ,  H01L21/4832 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/03 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/43847 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/43

摘要： 公开了一种四边扁平无引脚封装件及其生产方法。所述封装件包括由载体凹坑（14）和环绕载体凹坑（14）设置的三圈引脚组成的引线框架载体（1），该三圈引脚分别由多个互不相连的引脚组成，载体凹坑（14）内粘贴有集成电路芯片（3），所有引脚上均镀有内引脚化学镀镍钯金层（11）；内引脚化学镀镍钯金层（11）与集成电路芯片（3）同向设置，集成电路芯片（3）与内引脚化学镀镍钯金层（11）之间通过键合线（8）相连接；集成电路芯片（3）、所有引脚镀有内引脚化学镀镍钯金层（11）的一端和键合线（8）均封装于塑封体（15）内。

公开(公告)号：WO2012050812A8

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/US2011053294

申请日：2011-09-26

申请人： INVENSAS CORP ,  BARRIE KEITH LAKE ,  PANGRLE SUZETTE K ,  VILLAVICENCIO GRANT ,  LEAL JEFFREY S

发明人： BARRIE KEITH LAKE ,  PANGRLE SUZETTE K ,  VILLAVICENCIO GRANT ,  LEAL JEFFREY S

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/05 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13313 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/244 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/24992 ,  H01L2224/24997 ,  H01L2224/25175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/82009 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/831 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A die has interconnect pads on an interconnect side near an interconnect edge and has at least a portion of the interconnect side covered by a conformal dielectric coating, in which an interconnect trace over the dielectric coating forms a high interface angle with the surface of the dielectric coating. Because the traces have a high interface angle, a tendency for the interconnect materials to "bleed" laterally is mitigated and contact or overlap of adjacent traces is avoided. The interconnect trace includes a curable electrically conductive interconnect material; that is, it includes a material that can be applied in a flowable form, and thereafter cured or allowed to cure to form the conductive traces. Also, a method includes, prior to forming the traces, subjecting the surface of the conformal dielectric coating with a CF4 plasma treatment.

摘要翻译： 裸片在互连端附近在互连边缘附近具有互连焊盘，并且互连面的至少一部分由保形电介质涂层覆盖，其中在电介质涂层上的互连迹线与电介质的表面形成高界面角 涂层。 由于迹线具有较高的界面角度，因此互连材料横向“渗出”的趋势得到缓解，避免了相邻迹线的接触或重叠。 互连迹线包括可固化的导电互连材料; 也就是说，它包括可以以可流动形式施加的材料，然后固化或允许其固化以形成导电迹线。 此外，一种方法包括在形成迹线之前，用CF 4等离子体处理对保形电介质涂层的表面进行处理。

公开(公告)号：WO2012060022A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：PCT/JP2010/073262

申请日：2010-12-16

申请人： ホライゾン技術研究所株式会社 ,  石川 久雄 ,  横山 正徳

发明人： 石川　久雄 ,  横山　正徳

IPC分类号： H05K3/34 ,  H01L21/60 ,  H01L23/14 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L21/4853 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3601 ,  B23K35/362 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03442 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/00012

摘要： 　電子回路基板又は電子部品の微小面積の電極パッド又は狭ピッチのリード表面に錫またははんだ皮膜を形成する方法において、パッドまたはリード以外の表面がソルダーレジスト膜で保護され、パッドまたはリードのみが露出している電子回路基板または電子部品連結体（以下、ワークという）の清浄化された前記パッドまたは前記リード表面に、錫またははんだ微粒子を搭載させる第１ステップと、前記錫またははんだ微粒子を核として前記パッドまたは前記リード表面に融着させて錫またははんだ皮膜を形成させる第２ステップと、前記錫またははんだ皮膜表面に高温の有機脂肪酸溶液を吹付けて余剰に付着した前記錫またははんだを吹き落し除去する第３ステップとにより、前記パッドまたは前記リードに厚さ２～２０ μ ｍで、かつ厚さのばらつきが±３ μ ｍ以下の均一な錫またははんだ皮膜を形成させる。

摘要翻译： 一种用于在电子电路基板或电子部件上的小电极焊盘或窄间距的引线表面上形成锡或焊料涂层的方法，所述方法包括：将锡或焊料颗粒放置在 清洁的焊盘或暴露在电子电路基板或电子部件组件（以下称为“工件”）上的清洁的引线表面，其中除焊盘或引线之外的表面被阻焊膜覆盖; 第二步，作为芯，将锡或焊料颗粒熔合在焊盘或引线表面上以形成锡或焊料涂层膜; 以及在锡或焊剂涂膜的表面上喷洒高温有机脂肪酸溶液以吹除过量附着的锡或焊料的第三步骤。 因此，在焊盘或引线上形成厚度变化为±3μm以下的厚度为2〜20μm的均匀的锡或焊料涂膜。

公开(公告)号：WO2010038186A2

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：PCT/IB2009/054242

申请日：2009-09-28

申请人： NXP B.V. ,  VREEBURG, Kees ,  SOUTHWORTH, Paul ,  HOCHSTENBACH, Hendrik, Pieter

发明人： VREEBURG, Kees ,  SOUTHWORTH, Paul ,  HOCHSTENBACH, Hendrik, Pieter

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： Semiconductor chip (2) having a first main side (10) and an integrated circuit structure (3) integrated on a semiconductor substrate (9) at the first main side (10). The semiconductor chip (2) further has a contact pad (4A) and an under-bump metallization layer portion (6) being electrically connected to the contact pad (4A). The contact pad (4A) is formed by a part of the integrated circuit structure. The semiconductor chip (2) further has a lead-free solder bump (12) on the under-bump metallization layer portion (6) at the first main side (10) and has an inter-metallic compound layer formed on the under-bump metallization layer portion (6) out of the lead-free solder bump (12). The inter-metallic compound layer contains crystals that have an aspect ratio larger than two, preferably larger than five, and more preferably larger than ten.

摘要翻译： 具有在第一主侧（10）上集成在半导体衬底（9）上的第一主侧（10）和集成电路结构（3）的半导体芯片（2）。 半导体芯片（2）还具有与接触焊盘（4A）电连接的接触焊盘（4A）和凸起下金属化层部分（6）。 接触焊盘（4A）由集成电路结构的一部分形成。 半导体芯片（2）还在第一主侧（10）处在凸块下金属化层部分（6）上具有无铅焊料凸块（12），并且在凸块下方形成金属间化合物层 金属化层部分（6）从无铅焊料凸块（12）出来。 金属间化合物层含有纵横比大于2，优选大于5，更优选大于10的晶体。

公开(公告)号：WO2007015938A2

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：PCT/US2006/028194

申请日：2006-07-20

申请人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  KUECHENMEISTER, Frank ,  PLATZ, Alexander ,  JUNGNICKEL, Gotthard ,  SIURY, Kerstin

发明人： KUECHENMEISTER, Frank ,  PLATZ, Alexander ,  JUNGNICKEL, Gotthard ,  SIURY, Kerstin

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H05K3/34 ,  H01L21/3213 ,  C25F3/02

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32134 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： By patterning an underbump metallization layer stack (105) on the basis of a dry etch process (111), significant advantages may be achieved compared to conventional techniques involving a highly complex wet chemical etch process. In particular embodiments, a titanium tungsten layer or any other appropriate last layer (105B) of an underbump metallization layer stack (105) may be etched on the basis of a plasma etch process (107) using a fluorine-based chemistry and oxygen as a physical component. Moreover, appropriate cleaning processes (110, 113) may be performed for removing particles (109) and residues (112) prior to and after the plasma-based patterning process (107).

摘要翻译： 通过基于干法蚀刻工艺（111）图案化底部金属化层堆叠（105），与涉及高度复杂的湿化学蚀刻工艺的常规技术相比，可以实现显着的优点。 在特定实施例中，可以基于等离子体蚀刻工艺（107），使用氟基化学和氧气作为蚀刻方法来蚀刻钛钨层或下掺杂金属化层堆叠（105）的任何其它合适的最后层（105B） 物理成分。 此外，可以在等离子体图案化工艺（107）之前和之后进行适当的清洁过程（110,113）以去除颗粒（109）和残余物（112）。

公开(公告)号：WO2017021231A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：PCT/EP2016/067827

申请日：2016-07-26

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： FOURNEL, Frank ,  BAILLIN, Xavier ,  CHERAMY, Séverine ,  LEDUC, Patrick ,  SANCHEZ, Loic

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80205 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/95146 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442

摘要： Procédé de collage direct d'une puce électronique (100) sur un substrat (102) ou sur une autre puce électronique, comportant les étapes de : - traitement hydrophile d'une partie (105) d'une face de la puce électronique et d'une partie (110) d'une face (108) du substrat ou de l'autre puce électronique; - dépôt d'un fluide aqueux (112) sur la partie de la face du substrat ou de la deuxième puce électronique; - dépôt de la partie de la face de la puce électronique sur le fluide aqueux; - séchage du fluide aqueux jusqu'à une solidarisation de la partie de la face de la puce électronique avec la partie de la face du substrat ou de l'autre puce électronique; et comportant en outre, pendant au moins une partie du séchage du fluide aqueux, une émission d'ultrasons dans le fluide aqueux à travers le substrat ou l'autre puce électronique.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于将电子芯片（100）直接接合到基板（102）或另一电子芯片上的方法，所述方法包括以下步骤：对表面的一部分（105）进行亲水处理 所述电子芯片和所述基板或所述另一个电子芯片的表面（108）的一部分（110） 将水性流体（112）沉积在所述基底或所述第二电子芯片的所述表面的所述部分上; 将所述电子芯片的所述表面的所述部分沉积在所述水性流体上; 干燥含水流体直到电子芯片的表面部分刚性地连接到基板或另一个电子芯片表面的部分; 所述方法还在水性流体的至少部分干燥过程中还包括通过基底或其它电子芯片将超声发射到水性流体中。