公开(公告)号：WO2013064592A2

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：PCT/EP2012071653

申请日：2012-11-01

Applicant: UNIV EINDHOVEN TECH

Inventor： DUAN PINXIANG ,  SMALBRUGGE ELBERTUS ,  RAZ ODED ,  DORREN HARMEN JOSEPH SEBASTIAAN

IPC: H01L25/065

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/66 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49174 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85007 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/207

Abstract: A method and device for interconnecting stacked die surfaces with electrically conductive traces is provided that includes bonding, using a first layer of a photoresist compound, a second die on top of a first die, heating the first layer above a pyrolyzation point of the photoresist compound, where the photoresist compound transitions to a stable layer, depositing a second layer of the photoresist compound, using lithography, from a top surface of the first die to a top surface of the second die, heating the second photoresist compound layer to a liquid state, where the liquid photoresist compound forms a smooth convex bridge between the first die top surface and the second die top surface, and depositing an electrically conductive layer on the smooth convex bridge, where an electrically conductive trace is formed between the first die top surface and the second die top surface.

Abstract translation: 提供了一种用于将堆叠的裸片表面与导电迹线互连的方法和装置，其包括使用第一层光致抗蚀剂化合物将第二裸片接合在第一裸片的顶部上，将第一层加热到光致抗蚀剂化合物的热解点 ，其中所述光致抗蚀剂化合物转变到稳定层，使用平版印刷法将所述光致抗蚀剂化合物的第二层从所述第一管芯的顶表面沉积到所述第二管芯的顶表面，将所述第二光致抗蚀剂化合物层加热到液态 其中液态光致抗蚀剂化合物在第一模具顶表面和第二模具顶表面之间形成平滑的凸桥，并且在光滑的凸桥上沉积导电层，其中导电迹线形成在第一模具顶表面和 第二个模具顶面。

公开(公告)号：WO2013019310A3

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：PCT/US2012041123

申请日：2012-06-06

Applicant: BRIDGELUX INC ,  CHEN ZHEN

Inventor： CHEN ZHEN

IPC: H01L33/12

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L24/32 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/10 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014

Abstract: A vertical GaN-based blue LED has an n-type GaN layer that was grown over a ZnS layer that in turn was grown directly on a silicon substrate. In one example, the ZnS layer is a transitional buffer layer that is 50nm thick, and the n-type GaN layer is at least 2000nm thick. Growing the n-type GaN layer on the ZnS buffer layer reduces lattice defect density in the n-type layer. The ZnS buffer layer provides a good lattice constant match with the silicon substrate and provides a compound polar template for subsequent GaN growth. After the epitaxial layers of the LED are formed, a conductive carrier is wafer bonded to the structure. The silicon substrate and the ZnS buffer layer are then removed. Electrodes are added and the structure is singulated to form finished LED devices.

Abstract translation: 垂直GaN基蓝色LED具有在ZnS层上生长的n型GaN层，该ZnS层又直接在硅衬底上生长。 在一个实例中，ZnS层是50nm厚的过渡缓冲层，n型GaN层至少为2000nm厚。 在ZnS缓冲层上生长n型GaN层减少n型层中的晶格缺陷密度。 ZnS缓冲层与硅衬底提供良好的晶格常数匹配，并提供用于随后的GaN生长的复合极性模板。 在形成LED的外延层之后，将导电载体晶片结合到该结构上。 然后除去硅衬底和ZnS缓冲层。 添加电极，并将结构单个化以形成成品的LED器件。

公开(公告)号：WO2013052322A2

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：PCT/US2012/057179

申请日：2012-09-26

Applicant: INVENSAS CORPORATION

Inventor： CRISP, Richard, Dewitt ,  ZOHNI, Wael ,  HABA, Belgacem ,  LAMBRECHT, Frank

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/49 ,  H01L23/13 ,  G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  H01L25/10

CPC classification number: G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C5/063 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/09227 ,  H05K2201/10159 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: A microelectronic element (101) having memory storage array function has a front face (105) facing away from a substrate (102) of a microelectronic package (100), and is electrically connected with the substrate (102) through conductive structure (112) extending above the front face (105). First and second sets (114, 124) of first terminals are exposed at a surface (110) of the substrate (102) on respective first and second sides of a theoretical axis (132), each set configured to carry address information usable to determine an addressable memory location of a memory storage array of the microelectronic element. Signal assignments of the first terminals in the first set are a mirror image of the signal assignments of the first terminals in the second set.

Abstract translation: 具有存储器存储阵列功能的微电子元件（101）具有背向微电子封装（100）的衬底（102）的正面（105），并且与衬底（ 102）穿过在正面（105）上方延伸的导电结构（112）。 第一端子的第一组和第二组（114,124）在理论轴线（132）的相应的第一侧​​和第二侧上的基板（102）的表面（110）处暴露，各组被配置为携带可用于确定 微电子元件的存储器存储阵列的可寻址存储器位置。 第一组中第一终端的信号分配是第二组中第一终端的信号分配的镜像。

公开(公告)号：WO2009099912A3

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：PCT/US2009032531

申请日：2009-01-30

Applicant: VIASAT INC ,  MENON GAURAV

Inventor： MENON GAURAV

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/66

CPC classification number: H03H7/38 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6638 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/19032 ,  H01L2924/19051 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: In wireless communication devices, internally matching impedance in millimeter wave packaging enables better signal retention at high frequencies in the range of 15 GHz and above. Through the use of differential wire bond signal transmission, the inherent inductance of a millimeter wave package can be matched by the capacitance of the package wire bonds if the capacitance is tailored. The capacitance can be tailored by calculating a suitable distance between wire bonds and tuning the dielectric constant of the over-mold material. A differential set of wire bonds act like a differential transmission line whose characteristic impedance can be tuned by configuring the dielectric constant of the over- mold of the millimeter wave package.

Abstract translation: 在无线通信设备中，毫米波封装中的内部匹配阻抗可在15 GHz及以上的高频下实现更好的信号保持。 通过使用差分接线信号传输，如果电容被定制，则毫米波封装的固有电感可以通过封装引线接合的电容来匹配。 可以通过计算引线键合之间的合适距离并调整外模材料的介电常数来调整电容。 差分组合引线的作用就像差分传输线，其特性阻抗可以通过配置毫米波封装的覆盖模的介电常数进行调节。

公开(公告)号：WO2013036561A2

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：PCT/US2012/053841

申请日：2012-09-06

Applicant: COOLEDGE LIGHTING, INC. ,  TISCHLER, Michael ,  SCHICK, Philippe ,  SHEEN, Calvin, Wade

Inventor： TISCHLER, Michael ,  SCHICK, Philippe ,  SHEEN, Calvin, Wade

IPC: H01L25/075 ,  F21V5/04 ,  F21V5/00 ,  F21K99/00

CPC classification number: H05K3/32 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/08 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24101 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/24992 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/82104 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/82138 ,  H01L2224/82855 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83486 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15787 ,  H05K3/321 ,  H05K13/00 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/053 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/00

Abstract: In accordance with certain embodiments, illumination systems are formed by aligning light-emitting elements with optical elements and/or disposing light-conversion materials on the light-emitting elements, as well as by providing electrical connectivity to the light-emitting elements

Abstract translation: 根据某些实施例，通过将发光元件与光学元件对准和/或在发光元件上设置光转换材料以及通过提供与发光元件的电连接来形成照明系统

公开(公告)号：WO2013035819A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：PCT/JP2012/072846

申请日：2012-09-07

Applicant: 株式会社村田製作所 ,  佐藤 和茂

Inventor： 佐藤　和茂

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/28 ,  H05K9/00

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/552 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1531 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

Abstract: 　低背化した場合であっても、基板に実装した電子部品を外部の電磁波から確実にシールドすることができる電子部品モジュール及び該電子部品モジュールの製造方法を提供する。　一又は複数の電子部品１２を回路基板１１に実装してある電子部品モジュール１である。電子部品１２を被覆してある導体膜１５と、導体膜１５と接触しないように設けてある外部接続端子２０とを備える。導体膜１５は、電子部品１２の天面及び側面に接しており、回路基板１１の内部に設けてある接地電極１６に接続してある。

Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种电子部件模块，该电子部件模块即使是低轮廓也可以可靠地将安装在基板上的电子部件与外部电磁波隔离，也可以是电子部件模块的制造方法。 一个或多个电子部件（12）安装在电子部件模块（1）中的电路板（11）上。 电子部件模块（1）具有覆盖电子部件（12）的导电膜（15）。 以及以不与导电膜（15）接触的方式设置的外部连接端子（20）。 导电膜（15）与电子部件（12）的顶表面和侧表面接触并连接到设置在电路板（11）内部的接地电极（16）。

公开(公告)号：WO2013029852A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：PCT/EP2012/063469

申请日：2012-07-10

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH ,  RITTNER, Martin

Inventor： RITTNER, Martin

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45032 ,  H01L2224/45033 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83375 ,  H01L2224/83395 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85355 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2224/85395 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Draht-, Bändchen- und/oder Chipboden eines Halbleiterbauelements mit den elektrischen Anschlüssen seines Gehäuses oder Schaltungsträgers, wobei eine elektrische Kontaktierung über wenigstens eine am Halbleiterbauelement vorhandene Kupferoberfläche erfolgt. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass vor dem Bonden die Kupferoberfläche (12, 12') mit einer selbstorganisierenden Monoschicht (20, 20') aus einer organischen Verbindung bedeckt wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于导线或带和/或一个半导体器件芯片的底部到其壳体或电路载体，其特征在于，通过至少一个电接触现有的半导体装置的表面上的是铜的电连接的方法。 铜表面（12，12“）配有一个自组装单层（20，20”）是由有机化合物覆盖粘合前的方法，其特征在于。

公开(公告)号：WO2013025728A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：PCT/US2012/050817

申请日：2012-08-14

Applicant: SPECTRASENSORS, INC. ,  SCHREMPEL, Mathias ,  FEITISCH, Alfred ,  NEUBAUER, Gabi

Inventor： SCHREMPEL, Mathias ,  FEITISCH, Alfred ,  NEUBAUER, Gabi

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/042 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01S5/02272 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0383 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05663 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0425 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00

Abstract: A first contact (310) surface of a semiconductor laser chip (302) is formed to a surface roughness selected to have a maximum peak to valley height that is substantially smaller than a diffusion barrier layer thickness. A diffusion barrier layer that includes a non-metallic, electrically-conducting compound and that has the barrier layer thickness is applied to the first contact surface, and the semiconductor laser chip is soldered to a carrier mounting (304) along the first contact surface using a solder composition (306) by heating the soldering composition to less than a threshold temperature at which dissolution of the barrier layer into the soldering composition occurs. Thereby the diffusion barrier remains contiguous. The non-metallic, electrically conducting compound may comprise at least one of titanium nitride, titanium oxy-nitride, tungsten nitride, cerium oxide and cerium gadolinium oxy-nitride

Abstract translation: 半导体激光芯片（302）的第一接触面（310）形成为选择为具有基本上小于扩散阻挡层厚度的最大峰谷高度的表面粗糙度。 包含非金属导电性化合物并且具有阻挡层厚度的扩散阻挡层被施加到第一接触表面，并且半导体激光器芯片沿着第一接触表面焊接到载体安装件（304），使用 焊料组合物（306）通过将焊料组合物加热到低于阻挡层溶入焊接组合物的阈值温度。 从而扩散屏障保持连续。 非金属导电化合物可以包括氮化钛，氮氧化钛，氮化钨，氧化铈和铈钆氧化氮化物中的至少一种

公开(公告)号：WO2012012338A8

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：PCT/US2011044381

申请日：2011-07-18

Applicant: MARVELL WORLD TRADE LTD ,  SUTARDJA SEHAT ,  WU ALBERT ,  WU SCOTT

Inventor： SUTARDJA SEHAT ,  WU ALBERT ,  WU SCOTT

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L23/12 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: Embodiments of the present disclosure provide a method that comprises providing a first die having a surface comprising a bond pad to route electrical signals of the first die and attaching the first die to a layer of a substrate. The method further comprises forming one or more additional layers of the substrate to embed the first die in the substrate and coupling a second die to the one or more additional layers, the second die having a surface comprising a bond pad to route electrical signals of the second die. The second die is coupled to the one or more additional layers such that electrical signals are routed between the first die and the second die.

Abstract translation: 本公开的实施例提供了一种方法，其包括提供第一管芯，其具有包括接合焊盘的表面以路由第一管芯的电信号并将第一管芯附接到衬底层。 该方法还包括形成基板的一个或多个附加层以将第一管芯嵌入衬底中并将第二管芯耦合到一个或多个附加层，第二管芯具有包括接合焊盘的表面，以将电信号 第二次死亡 第二管芯耦合到一个或多个附加层，使得电信号在第一管芯和第二管芯之间布线。

公开(公告)号：WO2013015154A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/JP2012/068090

申请日：2012-07-17

Applicant: 三菱マテリアル株式会社 ,  熊谷 訓 ,  中本 斉

Inventor： 熊谷　訓 ,  中本　斉

IPC: H01L21/60 ,  B21C1/00 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08

CPC classification number: C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/745 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

Abstract: 　このボンディングワイヤ用銅素線は、線径１８０μｍ以下のボンディングワイヤを形成するための銅素線である。銅素線の素線径が０．１５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である。銅素線は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｒａ，Ｚｒ，Ｔｉ，及び希土類元素から選択される１種以上の添加元素を合計で０．０００１質量％以上０．０１質量％以下の範囲で含有し、残部が銅及び不可避不純物である組成を有する。銅素線において、ＥＢＳＤ法にて測定された全ての結晶粒界の長さＬに対する特殊粒界の長さＬσの比率である特殊粒界比率（Ｌσ／Ｌ）が５０％以上である。

Abstract translation: 用于接合线的该铜绞线是用于形成线径为180μm以下的接合线的铜绞线。 铜绞线的绞线直径在0.15和3.0mm之间。 铜线由选自Mg，Ca，Sr，Ba，Ra，Zr，Ti和稀土元素中的一种或多种附加元素形成，使得总含量在0.0001〜0.01质量％的范围内，铜和 不可避免的杂质作为平衡。 铜线具有特定的晶界比（Ls / L），其是通过EBSD测定的特定晶界Ls与晶界的总长度L的比例，为50％以上。