公开(公告)号：CN1221021C

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200310124379.9

申请日：2003-12-30

申请人： 印芬龙科技股份有限公司

发明人： 哈里·黑德勒 ,  罗兰德·艾尔西格勒 ,  索尔斯坦·迈耶

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC分类号： H05K3/3436 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01093 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H05K3/321 ,  H05K2201/0133 ,  H05K2201/0314 ,  H05K2201/094 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一种把集成电路连接到基板的方法，包括：为集成电路提供一个具有连接面的封装，在该连接面上提供有多个用于连接到基板的连接区；在基板上提供相应连接区；在封装的连接区上和/或基板的连接区上提供隆起的接触区；隆起的接触区包括第一组接触区和第二组接触区；以及通过隆起的接触区创建一个从封装到基板的连接；以这样一种方式配置隆起的接触区，使得第一组接触区在封装与基板之间形成一个刚性连接，且第二组接触区在封装与基板之间形成一个弹性连接。本发明同样提供一种相应的电路布置。

公开(公告)号：CN1672271A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03818534.2

申请日：2003-08-01

申请人： 日亚化学工业株式会社

发明人： 楠濑健 ,  坂本贵彦

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/60 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/156 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/385 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，在基板上具有由n型半导体层、活性层及p型半导体层层叠而成的叠层部，由该叠层部进行发光，其中，叠层部的侧面是包含n型半导体层的表面的倾斜面，在该n型半导体层的表面形成有n电极。根据这样的元件结构，能够提高发光效率与光的射出效率。

公开(公告)号：CN1624045A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410088296.3

申请日：1999-08-20

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 田中俊明 ,  堂堂隆史 ,  北胜勉 ,  金田爱三 ,  安田雅昭 ,  高坂崇 ,  景山晃

IPC分类号： C08L63/00 ,  C08L77/06 ,  C08L79/08 ,  C08K3/34 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L23/3128 ,  C08L63/00 ,  C08L71/00 ,  C08L71/126 ,  C08L77/00 ,  C08L77/06 ,  C08L83/10 ,  C09D177/00 ,  C09D177/06 ,  C09D179/08 ,  H01L23/24 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  C08L2666/02 ,  C08L2666/08 ,  C08L2666/04 ,  C08L2666/14 ,  C08L2666/28 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20753

摘要： 本发明涉及以(A)热塑性树脂、(B)环氧树脂、(C)偶合剂、(D)粉末状无机填充材料、(E)具有橡胶弹性的粉末及(F)有机溶剂为必要组分的糊状组合物，涂布并干燥后可形成空隙率在3体积％以上，40℃、90％RH时的透湿度在500g/m2·24小时以下的涂膜。还涉及将该糊状组合物涂布于半导体部件表面，干燥后形成的空隙率在3体积％以上，40℃、90％RH时的透湿度在500g/m2·24小时以下的保护膜及具有该保护膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN1559163A

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN02818928.0

申请日：2002-09-26

申请人： 莫莱克斯公司

发明人： 约翰·D·洛帕塔 ,  阿古斯托·P·帕内拉 ,  阿林杜姆·杜塔 ,  叶奥弗雷·乌尔班诺夫斯基

IPC分类号： H05K7/10

CPC分类号： H01L23/49805 ,  H01L23/50 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01R13/6625 ,  H05K7/1092 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一种向集成电路送电的系统包括去耦电容器，该去耦电容器位于形成为用于IC的插座或框架的连接器内。该送电系统通过多个分立电容器沿着其各个表面向IC送电，由插座型连接器支撑该分立电容器。插座型连接器具有安装到电路板上的绝缘本体部分并在其上具有凹部，在凹部内接收IC。多个电容器与本体部分整合，且每个电容器向IC提供所需的电量。通过在电路板上的引线对电容器充电，这些导线经由电流把电能带给电容器，接着随着IC从插座获取电能而使电容器放电，使电容形成与插座整合的电能储存器，由此无需在IC附近的电路板上安装这类电容器并释放了电路板上的空间。

公开(公告)号：CN1559084A

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN02818926.4

申请日：2002-09-26

申请人： 莫莱克斯公司

发明人： 阿古斯托·P·帕内拉 ,  詹姆士·L·麦格拉思

IPC分类号： H01L23/055 ,  H01L23/50 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L23/49805 ,  H01L23/50 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01R13/6625 ,  H05K7/1092 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 提供了用于支持集成电路(“IC”)的送电系统、信号传送系统、封装设计系统、热管理系统以及电磁干扰(“EMI”)控制系统。送电系统包括：电源、电压调整器模块以及以分立和/或整体电容器形式的去耦电容器。电压调整器模块和去耦电容器位于连接器内，连接器形成为用于IC的盖、插座或框架的形式。送电系统沿着IC顶、底或侧面向IC送电。信号传送系统使来自IC的信号与在电路板上一个或多个电路耦合。用于IC的封装设计系统可使信号和/或电能在连接器与IC的选定面耦合，这些连接器位于IC封装件的外部与IC封装件齐平，在IC封装件的凹部或内部。该封装设计系统可使所传送的信号具有不同频率，例如高频和低频，并利用不同类型的信号接口，例如流电接口、电容接口等。热管理系统利用散热器、风扇和/或热分散器耗散由IC和/或电压调整器模块产生的热量。EMI控制系统阻挡由IC产生的EMI。

公开(公告)号：CN1551315A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410062123.4

申请日：1997-10-08

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 山本和德 ,  岛田靖 ,  神代恭 ,  稻田祯一 ,  栗谷弘之 ,  金田爱三 ,  富山健男 ,  野村好弘 ,  细川羊一 ,  桐原博 ,  景山晃

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  C09J7/00 ,  C09J163/00

CPC分类号： H01L23/49827 ,  C09J163/00 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/50 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/287 ,  Y10T428/31511 ,  Y10T428/31515 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明以提高半导体装置装配后的耐温度循环性，同时提高耐吸湿回流性为目的，提供一种粘合剂、使用该粘合剂的双面粘合膜和半导体装置，所说的粘合剂是在把半导体芯片装载到有机系支持基板上时使用的粘合剂，其用动态粘弹性测定装置测定的25℃的储存弹性模量为10～2000MPa且在260℃时的储存弹性模量为3～50MPa。

公开(公告)号：CN1549336A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN200410059221.2

申请日：2000-10-08

申请人： 恩益禧电子股份有限公司

发明人： 本多广一

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/34 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/20 ,  H05K3/467 ,  H05K3/4682 ,  Y10S438/977 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099

摘要： 一种半导体装置，在由多层布线层形成的多层布线基板的制造工序中，由金属板形成的基体产生力学上的约束，制造中的各层的平面度由金属板的平面度高度保持，可以抑制层构造的弯曲发生。优选其基层具有缓冲性。应变少的多层布线层可以将其厚度做薄，可以缩短布线间距，降低制造成本。在多个金属层和多个应力吸收层形成的基层上，隔离高度增大，可进一步具有缓冲效果，大幅度降低成本和提高布线间距的微细化后的成品率。

公开(公告)号：CN1169902C

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN99110951.1

申请日：1999-07-07

申请人： 阿姆科技术韩国公司 ,  阿姆科技术公司 ,  国家淀粉及化学品投资控股公司

发明人： 郭在成 ,  文炳勋

IPC分类号： C09J163/00 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/49513 ,  C08L2666/54 ,  C09J163/00 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 这里公开了一种用于连接半导体芯片的粘合树脂组合物，该组合物包括粘合树脂成分、固化剂、稀释剂、固化促进剂和触变剂及无机填料成分。树脂成分约为10-50wt%，无机填料成分约为50-90wt%，无机填料成分包括铜成分和银成分。铜成分选自CuO、Cu2O及它们的混合物，其量约占所说无机填料成分总重的0.1-50wt%。银成分约占无机填料成分总重的50-99.0wt%。

公开(公告)号：CN1519933A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200310123558.0

申请日：2003-12-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 桑原秀明 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  高山彻 ,  后藤裕吾 ,  新川悦子 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/563 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

摘要： 本发明提供一种崭新的半导体安装技术，该技术不依靠硅片的背面加工就可以实现半导体器件的薄型化。借助于安装集成电路膜，使安装该集成电路膜的半导体器件的薄型化成为可能。在此，“集成电路膜”指的是使用利用在玻璃衬底或石英衬底上形成的半导体膜制成的集成电路而制成的膜状的集成电路。本发明利用转移技术制作集成电路膜。

公开(公告)号：CN1519929A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200310123922.3

申请日：2003-12-19

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/1214 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01003 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明通过使用转移技术，提供由薄膜形成的多个元件形成层集成的半导体芯片。本发明利用转移技术先暂时从衬底剥离膜厚50μm或更薄的元件形成层并转移到其他衬底上，然后再从另一个衬底剥离膜厚50μm或更薄的元件形成层并将其转移层叠到先前的元件形成层上，如此重复就可以实现常规三维组装的半导体芯片所没有实现的薄膜化，形成高集成化的半导体芯片。