公开(公告)号：US20130115854A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13290879

申请日：2011-11-07

申请人： Yi-Chao Mao ,  Jui-Pin Hung ,  Jing-Cheng Lin ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

发明人： Yi-Chao Mao ,  Jui-Pin Hung ,  Jing-Cheng Lin ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： B24B49/10

CPC分类号： H01L22/26 ,  B24B7/228 ,  B24B37/013 ,  B24B49/10 ,  H01L22/12 ,  H01L23/3114 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for performing grinding includes selecting a target wheel loading for wafer grinding processes, and performing a grinding process on a wafer. With the proceeding of the grinding process, wheel loadings of the grinding process are measured. The grinding process is stopped after the target wheel loading is reached. The method alternatively includes selecting a target reflectivity of wafer grinding processes, and performing a grinding process on a wafer. With a proceeding of the grinding process, reflectivities of a light reflected from a surface of the wafer are measured. The grinding process is stopped after one of the reflectivities reaches the target reflectivity.

摘要翻译： 执行磨削的方法包括：选择用于晶片研磨工艺的目标轮加载，以及对晶片进行研磨处理。 随着研磨过程的进行，测量研磨过程的轮载荷。 在达到目标轮加载后停止研磨过程。 该方法或者包括选择晶片研磨过程的目标反射率，以及对晶片进行研磨处理。 随着研磨过程的进行，测量从晶片表面反射的光的反射率。 在一个反射率达到目标反射率之后停止研磨过程。

公开(公告)号：US20130092935A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13272004

申请日：2011-10-12

申请人： Tzu-Yu Wang ,  Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Hsien-Pin Hu ,  Wei-Cheng Wu ,  Li-Han Hsu ,  Meng-Han Lee

发明人： Tzu-Yu Wang ,  Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Hsien-Pin Hu ,  Wei-Cheng Wu ,  Li-Han Hsu ,  Meng-Han Lee

IPC分类号： H01L23/58 ,  G01R31/26

CPC分类号： H01L22/32 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： An interposer includes a first surface on a first side of the interposer and a second surface on a second side of the interposer, wherein the first and the second sides are opposite sides. A first probe pad is disposed at the first surface. An electrical connector is disposed at the first surface, wherein the electrical connector is configured to be used for bonding. A through-via is disposed in the interposer. Front-side connections are disposed on the first side of the interposer, wherein the front-side connections electrically couple the through-via to the probe pad.

摘要翻译： 插入器包括在插入件的第一侧上的第一表面和在插入件的第二侧上的第二表面，其中第一和第二侧是相对的两侧。 第一探针垫设置在第一表面。 电连接器设置在第一表面处，其中电连接器被配置为用于接合。 通孔设置在插入器中。 前侧连接设置在插入件的第一侧上，其中前侧连接将通孔电连接到探针垫。

公开(公告)号：US20130049195A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13215959

申请日：2011-08-23

申请人： Chih-Wei Wu ,  Szu Wei Lu ,  Jing-Cheng Lin ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

发明人： Chih-Wei Wu ,  Szu Wei Lu ,  Jing-Cheng Lin ,  Shin-Puu Jeng ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  Y02P80/30 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A method includes performing a laser grooving to remove a dielectric material in a wafer to form a trench, wherein the trench extends from a top surface of the wafer to stop at an intermediate level between the top surface and a bottom surface of the wafer. The trench is in a scribe line between two neighboring chips in the wafer. A polymer is filled into the trench and then cured. After the step of curing the polymer, a die saw is performed to separate the two neighboring chips, wherein a kerf line of the die saw cuts through a portion of the polymer filled in the trench.

摘要翻译： 一种方法包括执行激光切槽以去除晶片中的电介质材料以形成沟槽，其中沟槽从晶片的顶表面延伸以在晶片的顶表面和底表面之间的中间水平处停止。 沟槽在晶片中的两个相邻芯片之间的划线中。 将聚合物填充到沟槽中，然后固化。 在固化聚合物的步骤之后，执行模锯以分离两个相邻的芯片，其中模具的切口线切割填充在沟槽中的聚合物的一部分。

公开(公告)号：US08368180B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US12619464

申请日：2009-11-16

申请人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Hao-Yi Tsai ,  Shang-Yun Hou ,  Hsien-Wei Chen ,  Ming-Yen Chiu

发明人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Hao-Yi Tsai ,  Shang-Yun Hou ,  Hsien-Wei Chen ,  Ming-Yen Chiu

IPC分类号： H01L23/544

CPC分类号： H01L21/78

摘要： A system and method for preventing defaults during singulation is presented. An embodiment comprises a dummy metal structure located in the scribe region. The dummy metal structure comprises a series of alternating dummy lines that are connected through dummy vias. The dummy lines are offset from dummy lines in adjacent metal layers. Additionally, the dummy lines and dummy vias in the upper layers of the scribe line may be formed with larger dimensions than the dummy lines and dummy vias located in the lower layers.

摘要翻译： 提出了一种在分割过程中防止违约的系统和方法。 一个实施例包括位于划线区域中的虚拟金属结构。 虚拟金属结构包括通过虚拟通孔连接的一系列交替虚拟线。 伪线与相邻金属层中的虚拟线偏移。 此外，划线的上层中的虚拟线和虚拟通路可以形成为具有比位于下层中的虚拟线和虚拟通孔更大的尺寸。

公开(公告)号：US20130020698A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13189127

申请日：2011-07-22

申请人： Cheng-Chieh Hsieh ,  Cheng-Lin Huang ,  Po-Hao Tsai ,  Shang-Yun Hou ,  Jing-Cheng Lin ,  Shin-Puu Jeng

发明人： Cheng-Chieh Hsieh ,  Cheng-Lin Huang ,  Po-Hao Tsai ,  Shang-Yun Hou ,  Jing-Cheng Lin ,  Shin-Puu Jeng

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11616 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1362 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/13672 ,  H01L2224/16056 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/384 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014

摘要： A system and method for conductive pillars is provided. An embodiment comprises a conductive pillar having trenches located around its outer edge. The trenches are used to channel conductive material such as solder when a conductive bump is formed onto the conductive pillar. The conductive pillar may then be electrically connected to another contact through the conductive material.

摘要翻译： 提供了一种用于导电柱的系统和方法。 一个实施例包括具有位于其外边缘周围的沟槽的导电柱。 当在导电柱上形成导电凸块时，沟槽用于引导诸如焊料的导电材料。 导电柱然后可以通过导电材料电连接到另一接触件。

公开(公告)号：US20130009317A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：US13178079

申请日：2011-07-07

申请人： Chi-Chun HSIEH ,  Wei-Cheng WU ,  Hsiao-Tsung YEN ,  Hsien-Pin HU ,  Shang-Yun HOU ,  Shin-Puu JENG

发明人： Chi-Chun HSIEH ,  Wei-Cheng WU ,  Hsiao-Tsung YEN ,  Hsien-Pin HU ,  Shang-Yun HOU ,  Shin-Puu JENG

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/743 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming an interposer includes providing a semiconductor substrate, the semiconductor substrate having a front surface and a back surface opposite the front surface; forming one or more through-silicon vias (TSVs) extending from the front surface into the semiconductor substrate; forming an inter-layer dielectric (ILD) layer overlying the front surface of the semiconductor substrate and the one or more TSVs; and forming an interconnect structure in the ILI) layer, the interconnect structure electrically connecting the one or more TSVs to the semiconductor substrate.

摘要翻译： 形成插入件的方法包括提供半导体衬底，该半导体衬底具有与前表面相对的前表面和后表面; 形成从所述前表面延伸到所述半导体衬底中的一个或多个穿硅通孔（TSV）; 形成覆盖所述半导体衬底的前表面和所述一个或多个TSV的层间介电层（ILD）层; 以及在所述ILI层中形成互连结构，所述互连结构将所述一个或多个TSV电连接到所述半导体衬底。

公开(公告)号：US20120306080A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13298046

申请日：2011-11-16

申请人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Kuo-Ching Hsu ,  Cheng-Chieh Hsieh ,  Ying-Ching Shih ,  Po-Hao Tsai ,  Cheng-Lin Huang ,  Jing-Cheng Lin

发明人： Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Kuo-Ching Hsu ,  Cheng-Chieh Hsieh ,  Ying-Ching Shih ,  Po-Hao Tsai ,  Cheng-Lin Huang ,  Jing-Cheng Lin

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/04 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00

摘要： A package component is free from active devices therein. The package component includes a substrate, a through-via in the substrate, a top dielectric layer over the substrate, and a metal pillar having a top surface over a top surface of the top dielectric layer. The metal pillar is electrically coupled to the through-via. A diffusion barrier is over the top surface of the metal pillar. A solder cap is disposed over the diffusion barrier.

摘要翻译： 封装组件不含其中的有源器件。 封装部件包括衬底，衬底中的通孔，衬底上的顶部电介质层和在顶部电介质层的顶表面上方具有顶表面的金属柱。 金属柱电连接到通孔。 扩散阻挡层在金属支柱的上表面之上。 焊料帽设置在扩散阻挡层上。

公开(公告)号：US08319349B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US13342583

申请日：2012-01-03

申请人： Hsien-Pin Hu ,  Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou ,  Hung-Jung Tu

发明人： Hsien-Pin Hu ,  Chen-Hua Yu ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou ,  Hung-Jung Tu

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/486 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

摘要： A method includes providing an interposer wafer including a substrate, and a plurality of through-substrate vias (TSVs) extending from a front surface of the substrate into the substrate. A plurality of dies is bonded onto a front surface of the interposer wafer. After the step of bonding the plurality of dies, a grinding is performed on a backside of the substrate to expose the plurality of TSVs. A plurality of metal bumps is formed on a backside of the interposer wafer and electrically coupled to the plurality of TSVs.

公开(公告)号：US08294264B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12750221

申请日：2010-03-30

申请人： Tzu-Yu Wang ,  Chi-Chun Hsieh ,  An-Jhih Su ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng ,  Liwei Lin

发明人： Tzu-Yu Wang ,  Chi-Chun Hsieh ,  An-Jhih Su ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng ,  Liwei Lin

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： An under-bump metallization (UBM) structure for a semiconductor device is provided. The UBM structure has a center portion and extensions extending out from the center portion. The extensions may have any suitable shape, including a quadrangle, a triangle, a circle, a fan, a fan with extensions, or a modified quadrangle having a curved surface. Adjacent UBM structures may have the respective extensions aligned or rotated relative to each other. Flux may be applied to a portion of the extensions to allow an overlying conductive bump to adhere to a part of the extensions.

摘要翻译： 提供了一种用于半导体器件的凸块下金属化（UBM）结构。 UBM结构具有从中心部分延伸出的中心部分和延伸部分。 延伸部可以具有任何合适的形状，包括四边形，三角形，圆形，风扇，具有延伸部的风扇或具有弯曲表面的改进的四边形。 相邻的UBM结构可以具有相对于彼此对准或旋转的相应延伸部。 焊剂可以施加到延伸部分的一部分，以允许覆盖的导电凸块粘附到延伸部分的一部分上。

公开(公告)号：US08237253B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12946930

申请日：2010-11-16

申请人： Benson Liu ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng ,  Hao-Yi Tsai

发明人： Benson Liu ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng ,  Hao-Yi Tsai

IPC分类号： H01L25/07

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/0401

摘要： A package structure includes a substrate, a first die and at least one second die. The substrate includes a first pair of parallel edges and a second pair of parallel edges. The first die is mounted over the substrate. The first die includes a third pair of parallel edges and a fourth pair of parallel edges, wherein the third pair of parallel edges and the fourth pair of parallel edges are not parallel to the first pair of parallel edges and the second pair of parallel edges, respectively. The at least one second die is mounted over the first die.

摘要翻译： 封装结构包括衬底，第一管芯和至少一个第二管芯。 衬底包括第一对平行边缘和第二对平行边缘。 第一个模具安装在基板上。 第一管芯包括第三对平行边缘和第四对平行边缘，其中第三对平行边缘和第四对平行边缘不平行于第一对平行边缘和第二对平行边缘， 分别。 至少一个第二管芯安装在第一管芯上。