公开(公告)号：US20120326298A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13167946

申请日：2011-06-24

申请人： Chen-Fa LU ,  Chung-Shi LIU ,  Mirng-Ji LII ,  Chen-Hua YU

发明人： Chen-Fa LU ,  Chung-Shi LIU ,  Mirng-Ji LII ,  Chen-Hua YU

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A semiconductor device includes a barrier layer between a solder bump and a post-passivation interconnect (PPI) layer. The barrier layer is formed of at least one of an electroless nickel (Ni) layer, an electroless palladium (Pd) layer or an immersion gold (Au) layer.

摘要翻译： 半导体器件包括在焊料凸块和钝化后互连（PPI）层之间的阻挡层。 阻挡层由无电镀镍（Ni）层，无电解钯（Pd）层或浸金（Au）层中的至少一种形成。

公开(公告)号：US20110027944A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12768025

申请日：2010-04-27

申请人： Chung-Shi LIU ,  Shin-Puu JENG ,  Mirng-Ji LII ,  Chen-Hua YU

发明人： Chung-Shi LIU ,  Shin-Puu JENG ,  Mirng-Ji LII ,  Chen-Hua YU

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3171 ,  H01L21/563 ,  H01L23/525 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099

摘要： A method of forming electrical connections to a semiconductor wafer. A semiconductor wafer comprising an insulation layer is provided. The insulation layer has a surface. A patterned mask layer is formed over the surface of the insulation layer. The patterned mask layer exposes portions of the surface of the insulation layer through a plurality of holes. The portions of the plurality of holes are filled with a metal material comprising copper to form elongated columns of the metal material. The elongated columns of the metal material have a sidewall surface. The patterned mask layer is removed to expose the sidewall surface of the elongated columns of the metal material. A protection layer is formed on the exposed sidewall surface of the elongated columns of the metal material.

摘要翻译： 形成与半导体晶片的电连接的方法。 提供了包括绝缘层的半导体晶片。 绝缘层具有表面。 在绝缘层的表面上形成图案化掩模层。 图案化掩模层通过多个孔暴露绝缘层的表面的部分。 多个孔的部分填充有包含铜的金属材料以形成细长的金属材料柱。 金属材料的细长柱具有侧壁表面。 去除图案化的掩模层以暴露金属材料的细长柱的侧壁表面。 保护层形成在金属材料的细长柱的暴露的侧壁表面上。

公开(公告)号：US20130270700A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：US13526073

申请日：2012-06-18

申请人： Chen-Hua YU ,  Mirng-Ji LII ,  Chung-Shi LIU ,  Meng-Tse CHEN ,  Wei-Hung LIN ,  Ming-Da CHENG

发明人： Chen-Hua YU ,  Mirng-Ji LII ,  Chung-Shi LIU ,  Meng-Tse CHEN ,  Wei-Hung LIN ,  Ming-Da CHENG

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L24/05 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/22 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3613 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08113 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1355 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： The described embodiments of mechanisms of forming a package on package (PoP) structure involve bonding with connectors with non-solder metal balls to a packaging substrate. The non-solder metal balls may include a solder coating layer. The connectors with non-solder metal balls can maintain substantially the shape of the connectors and control the height of the bonding structures between upper and lower packages. The connectors with non-solder metal balls are also less likely to result in bridging between connectors or disconnection (or cold joint) of bonded connectors. As a result, the pitch of the connectors with non-solder metal balls can be kept small.

摘要翻译： 形成封装封装（PoP）结构的机构的所述实施例包括将具有非焊料金属球的连接器与包装衬底结合。 非焊接金属球可以包括焊料涂层。 具有非焊接金属球的连接器可以基本保持连接器的形状并控制上部和下部封装之间的结合结构的高度。 具有非焊接金属球的连接器也不太可能导致连接器之间的桥接或接合连接器的断开（或冷接头）。 结果，可以将具有非焊接金属球的连接器的间距保持较小。

公开(公告)号：US20130034956A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：US13198767

申请日：2011-08-05

申请人： Yi-Yang LEI ,  Hung-Jui KUO ,  Chung-Shi LIU ,  Mirng-Ji LII ,  Chen-Hua YU

发明人： Yi-Yang LEI ,  Hung-Jui KUO ,  Chung-Shi LIU ,  Mirng-Ji LII ,  Chen-Hua YU

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A method of forming wafer-level chip scale packaging solder bumps on a wafer substrate involves cleaning the surface of the solder bumps using a laser to remove any residual molding compound from the surface of the solder bumps after the solder bumps are reflowed and a liquid molding compound is applied and cured.

摘要翻译： 在晶片衬底上形成晶片级芯片级封装焊料凸块的方法包括使用激光清洗焊料凸块的表面，以在焊料凸点回流之后从焊料凸块的表面去除残留的模塑料，并且液态模塑 化合物被施用和固化。

公开(公告)号：US20130093076A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13272434

申请日：2011-10-13

申请人： Wei-Hung LIN ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU ,  Mirng-Ji LII ,  Chen-Hua YU

发明人： Wei-Hung LIN ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU ,  Mirng-Ji LII ,  Chen-Hua YU

IPC分类号： H01L23/498 ,  B23K1/20

CPC分类号： H01L23/49894 ,  H01L21/4864 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00

摘要： A method of a semiconductor package includes providing a substrate having a conductive trace coated with an organic solderability preservative (OSP) layer, removing the OSP layer from the conductive trace, and then coupling a chip to the substrate to form a semiconductor package.

摘要翻译： 半导体封装的方法包括提供具有涂覆有有机可焊性防腐剂（OSP）层的导电迹线的衬底，从导电迹线去除OSP层，然后将芯片耦合到衬底以形成半导体封装。

公开(公告)号：US20120065764A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US12879278

申请日：2010-09-10

申请人： Chen-FA LU ,  Cheng-Ting CHEN ,  James HU ,  Chung-Shi LIU

发明人： Chen-FA LU ,  Cheng-Ting CHEN ,  James HU ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： G06F17/00

CPC分类号： G05B19/41875 ,  B24B37/005

摘要： Processing defects arising during processing of a semiconductor wafer prior to back-grinding are reduced with systems and methods of sensor placement. One or more holes are bored into a chuck table for receiving semiconductor wafers, or a support table next to the chuck table. One or more sensors are disposed in the holes for monitoring parameters during a pre-back-grinding (PBG) process. A control box converts a set of signals received from the sensors. A computer-implemented process control tool receives the converted set of signals from the control box and determines whether the PBG process will continue.

摘要翻译： 通过传感器放置的系统和方法，减少了在后研磨之前处理半导体晶片期间产生的加工缺陷。 将一个或多个孔钻入用于接收半导体晶片的卡盘台，或者在卡盘台旁边的支撑台。 一个或多个传感器设置在孔中，用于在前置后研磨（PBG）过程期间监测参数。 控制箱转换从传感器接收的一组信号。 计算机实现的过程控制工具从控制箱接收转换的信号集，并确定PBG过程是否继续。

公开(公告)号：US20120088316A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：US12900683

申请日：2010-10-08

申请人： Chen-Fa LU ,  Chiang-Hao LEE ,  Wei-Yu CHEN ,  Chung-Shi LIU

发明人： Chen-Fa LU ,  Chiang-Hao LEE ,  Wei-Yu CHEN ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L21/66 ,  G06F17/00

CPC分类号： H01L21/67265 ,  B24B7/228 ,  B24B41/061 ,  B24B49/16 ,  H01L21/304

摘要： In a system or method for controlling wafer back-grinding, a chuck table has a surface for supporting a semiconductor wafer during a back-grinding process, one or more holes in the surface, and one or more sensors disposed in the one or more holes for monitoring a parameter during back-grinding. A computer-implemented process control tool is coupled to receive one or mote outputs from the one or more sensors and control the back-grinding process based on the received one or more outputs.

摘要翻译： 在用于控制晶片背面磨削的系统或方法中，卡盘台具有用于在后磨削过程中支撑半导体晶片的表面，表面中的一个或多个孔以及设置在一个或多个孔中的一个或多个传感器 用于在后研磨期间监测参数。 计算机实现的过程控制工具被耦合以从一个或多个传感器接收一个或微尘输出，并且基于所接收的一个或多个输出来控制背面磨削过程。

公开(公告)号：US20130011937A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：US13618836

申请日：2012-09-14

申请人： Chen-Fa LU ,  Chiang-Hao LEE ,  Wei-Yu CHEN ,  Chung-Shi LIU

发明人： Chen-Fa LU ,  Chiang-Hao LEE ,  Wei-Yu CHEN ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L21/67265 ,  B24B7/228 ,  B24B41/061 ,  B24B49/16 ,  H01L21/304

摘要： A method of reducing manufacturing defects of semiconductor wafers during a back-grinding process. The method includes receiving a semiconductor wafer on a chuck table, wherein said chuck table has a surface upon which a front side of the wafer is placed, and wherein said chuck table has one or more holes in surface and one or more sensors placed in said one or more holes. The method further includes grinding at least a portion of a back side of the semiconductor wafer. The method further includes monitoring a parameter, while grinding, measured by the one or more sensors and adjusting the grinding based at least on the monitored parameter.

摘要翻译： 在后磨工序中减少半导体晶片的制造缺陷的方法。 该方法包括在卡盘台上接收半导体晶片，其中所述卡盘台具有放置晶片前侧的表面，并且其中所述卡盘台具有一个或多个表面孔，并且一个或多个传感器放置在所述 一个或多个孔。 该方法还包括研磨半导体晶片的背面的至少一部分。 该方法还包括在由一个或多个传感器测量的磨削过程中监测参数，并且至少基于所监测的参数来调整磨削。

公开(公告)号：US20110108922A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12846474

申请日：2010-07-29

申请人： Chung-Shi LIU ,  Chen-Hua YU

发明人： Chung-Shi LIU ,  Chen-Hua YU

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575

摘要： A method of forming an integrated circuit is provided. The method includes forming a gate electrode of an NMOS transistor over a substrate by a gate-first process. A gate electrode of a PMOS transistor is formed over the substrate by a gate-last process.

摘要翻译： 提供一种形成集成电路的方法。 该方法包括通过栅极首先工艺在衬底上形成NMOS晶体管的栅电极。 PMOS晶体管的栅极通过栅极最后工艺形成在衬底的上方。

公开(公告)号：US20110049705A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12786698

申请日：2010-05-25

申请人： Chung-Shi LIU ,  Chen-Hua YU

发明人： Chung-Shi LIU ,  Chen-Hua YU

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105

摘要： A copper post is formed in a passivation layer to electrically connect an underlying bond pad region, and extends to protrude from the passivation layer. A protection layer is formed on a sidewall surface or a top surface of the copper post in a self-aligned manner. The protection layer is a manganese-containing oxide layer, a manganese-containing nitride layer or a manganese-containing oxynitride layer.

摘要翻译： 铜柱形成在钝化层中以电连接下面的焊盘区域，并且延伸到从钝化层突出。 保护层以自对准方式形成在铜柱的侧壁表面或顶表面上。 保护层是含锰氧化物层，含锰氮化物层或含锰氮氧化物层。