公开(公告)号：CN107799499A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710664209.1

申请日：2017-08-04

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑心圃 ,  许峰诚 ,  陈硕懋

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/02 ,  H01L24/17 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17104 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/3121

摘要： 本揭露实施例揭露一种半导体封装结构及其制造方法。其中该半导体封装结构包含重布层RDL、第一芯片、至少一个第二芯片、囊封物及第三芯片。所述重布层具有彼此对置的第一表面及第二表面。所述第一芯片位于所述重布层的所述第一表面上方且电连接到所述重布层。所述第二芯片位于所述重布层的所述第一表面上方。所述第二芯片包含多个通孔结构。所述囊封物位于所述重布层的所述第一表面上方，其中所述囊封物包围所述第一芯片及所述第二芯片。所述第三芯片位于所述囊封物上方且透过所述第二芯片的所述通孔结构及所述重布层电连接到所述第一芯片。

公开(公告)号：CN107768370A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710710407.7

申请日：2017-08-18

申请人： 格芯公司

发明人： I·D·W·梅尔维尔 ,  马克塔·G·法罗

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L27/0694 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L21/8221

摘要： 本发明涉及在衬底两侧上的集成电路结构及形成方法，其中，一种集成电路(IC)结构使用具有第一侧和相对的第二侧的单个半导体衬底。第一多个主动器件位于单个半导体衬底的第一侧上，而第二多个主动器件位于单个半导体衬底的相对的第二侧上。TSV可以电耦合在任一侧上的主动器件。使用两侧具有主动器件的单个半导体衬底降低了使用半导体层的数量，并且在制造期间允许退火而不损坏BEOL互连。

公开(公告)号：CN104253056B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201410290157.2

申请日：2014-06-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑显秀 ,  金钟延 ,  李仁荣 ,  赵泰济

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/02016 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/16 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供具有穿通电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：形成包括堆叠在第二半导体芯片上的第一半导体芯片的晶片级封装；形成包括堆叠在第三半导体芯片上的第四半导体芯片的芯片级封装；在晶片级封装的第二半导体基板的后表面上堆叠多个芯片级封装，抛光晶片级封装的第一模层和第一半导体芯片以暴露第一半导体芯片的第一穿通电极，和在被抛光的第一半导体芯片上形成外部电极以分别连接到第一穿通电极。

公开(公告)号：CN103187380B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201210593062.9

申请日：2012-12-31

申请人： 马克西姆综合产品公司

发明人： A·V·萨莫伊洛夫 ,  T·帕伦特 ,  L·Y·王

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/02 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

摘要： 半导体装置描述为包括仅部分地穿入基板延伸的通路。穿基板通路（TSV）向形成于基板中的电子器件提供电互连。在实施例中，通过首先用粘合材料将半导体晶圆粘合到载体晶圆来制造半导体装置。所述半导体晶圆包括布置在晶圆内（例如，在晶圆的第一表面和第二表面之间）的蚀刻阻止部。穿入晶圆形成一个或多个通路。所述通路从第二表面延伸到蚀刻阻止部。

公开(公告)号：CN107527900A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710310125.8

申请日：2017-05-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 徐光仙 ,  姜明成 ,  金沅槿 ,  朴辰遇 ,  崔容元

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/3303

摘要： 一种半导体封装包括衬底、堆叠在衬底上的多个半导体芯片以及接合到所述多个半导体芯片的下表面的多个接合层。所述多个接合层可以被分成根据到衬底的距离而各自具有不同物理性质的多个组。

公开(公告)号：CN107507825A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710437131.X

申请日：2017-06-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李乾实

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/06593 ,  H01L23/528

摘要： 本发明公开了半导体封装，该半导体封装包括：第一半导体芯片，包括在第一半导体芯片中的硅通孔和在第一半导体芯片的上部分中的第一沟槽部分；第二半导体芯片，在第一半导体芯片的上表面上并且经由第一半导体芯片的硅通孔电连接到第一半导体芯片；以及在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的绝缘接合层。该绝缘接合层填充第一沟槽部分。

公开(公告)号：CN103681516B

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201310314424.0

申请日：2013-07-24

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 杉山道昭 ,  木下顺弘

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/05552

摘要： 通过在衬底的顶表面之上装配包括具有小直径的半导体芯片和具有大直径的半导体芯片的芯片层压制件形成的半导体装置中，防止过度的压力施加至这两个半导体芯片的接合点。通过在支撑衬底之上装配具有大直径的第一半导体芯片，然后在所述第一半导体芯片之上装配具有小直径的第二半导体芯片，可以：抑制装配在所述第一半导体芯片之上的第二半导体芯片的倾斜和不稳定；从而阻止过度的压力施加至所述第一半导体芯片和第二半导体芯片的接合点。

公开(公告)号：CN103839894B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201310028297.8

申请日：2013-01-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吕俊麟 ,  刘明凯 ,  吴凯强 ,  杨青峰

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L21/58 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/73 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 一种方法，包括将半导体管芯附接在晶圆的第一面上，将第一顶部封装件附接在晶圆的第一面上以及将第二顶部封装件附接在晶圆的第一面上。方法进一步包括将封装层沉积在晶圆的第一面上方，其中，第一顶部封装件和第二顶部封装件嵌入到封装层中，对晶圆的第二面施加减薄工艺，将晶圆切割成多个芯片封装件以及将芯片封装件附接至衬底。本发明还提供了形成叠层封装结构的方法。

公开(公告)号：CN107301957A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710173054.1

申请日：2017-03-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  叶松峯 ,  陈明发

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/82 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L24/80 ,  H01L24/02 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8019

摘要： 本发明实施例涉及一种方法，其包含：在载体上方形成电介质层；在所述电介质层中形成多个接合垫；及执行平坦化以使所述电介质层与所述多个接合垫的顶面彼此齐平。装置裸片通过混合接合而接合到所述电介质层及所述多个接合垫的部分。将所述装置裸片囊封于囊封材料中。接着，从所述装置裸片及所述电介质层拆卸所述载体。

公开(公告)号：CN104701287B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201410733546.8

申请日：2014-12-04

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 洪文兴 ,  黄思博 ,  李祥帆 ,  陈锦棠 ,  吴集锡 ,  郑心圃

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33519 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16153 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1679 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明提供了一种封装件，该封装件包括具有导电层的衬底，并且导电层包括暴露部分。管芯堆叠件设置在衬底上方并且电连接至导电层。高导热系数材料设置在衬底上方并且接触导电层的暴露部分。封装件还包括凸轮环，凸轮环位于高导热系数材料上方并且接触高导热系数材料。本发明涉及具有热点热管理部件的3DIC封装。