公开(公告)号：CN108987356A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201710963806.4

申请日：2017-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张容华 ,  蔡柏豪 ,  林俊成

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 提供半导体封装结构，半导体封装结构包含芯片结构，半导体封装结构包含第一导电结构位于芯片结构上方，第一导电结构电性连接至芯片结构，第一导电结构包含第一过渡层位于芯片结构上方以及第一导电层位于第一过渡层上，第一导电层大致由双晶铜制成。

公开(公告)号：CN108666288A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201710811271.9

申请日：2017-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  郑礼辉 ,  蔡柏豪

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种封装结构，此封装结构包含一半导体元件、一第一重分布线、一介电层、一第一导电凸块与一第一密封结构。此介电层是位于此第一重分布线上方且具有一第一开口于其中。此第一导电凸块是部分地嵌入此第一开口且电性连接此第一重分布线。此第一密封结构包围此第一导电凸块的一底部。此第一密封结构具有一曲面，此曲面从此第一导电凸块的一底部的一外表面延伸至此介电层的一顶面。

公开(公告)号：CN104658989B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201410436288.7

申请日：2014-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/19 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明根据一些实施例提供了一种封装件结构和用于形成封装件结构的方法。该封装件结构包括半导体管芯和部分或全部密封半导体管芯的模塑料。该封装件结构还包括位于模塑料中的贯通封装过孔。该封装件结构还包括位于贯通封装过孔和模塑料之间的界面层。该界面层包括绝缘材料且与模塑料直接接触。

公开(公告)号：CN108074896A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710959894.0

申请日：2017-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  蔡柏豪

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50

Abstract: 半导体器件包括衬底、位于衬底的第一侧上方的第一再分布层(RDL)、位于第一RDL上方并且电连接至第一RDL的一个或多个半导体管芯以及位于第一RDL上方并且围绕一个或多个半导体管芯的密封剂。半导体器件也包括附接至衬底的第二侧(与第一侧相对)的连接件，该连接件电连接至第一RDL。半导体器件还包括位于衬底的第二侧上的聚合物层，连接件从聚合物层突出于远离衬底的聚合物层的第一表面之上。接触连接件的聚合物层的第一部分具有第一厚度，并且位于邻近的连接件之间的聚合物层的第二部分具有小于第一厚度的第二厚度。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN107564866A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201610843821.0

申请日：2016-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑礼辉 ,  林俊成 ,  蔡柏豪

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2021/6009 ,  H01L2021/6024 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/13024

Abstract: 提供一种半导体封装及半导体封装的制造方法。所述半导体封装包括：重布线层、位在重布线层上的至少一管芯、位在重布线层上且于管芯旁侧的贯穿层间通孔以及包覆设置于重布线层上的管芯及贯穿层间通孔的模塑料体。所述半导体封装具有连接至贯穿层间通孔的连接结构，以及覆盖模塑料体与管芯的保护膜。其保护膜系由印刷工艺所形成。

公开(公告)号：CN102820290B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201210159141.9

申请日：2012-05-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  郑心圃 ,  侯上勇 ,  谢政杰 ,  许国经 ,  施应庆 ,  蔡柏豪 ,  高金福 ,  黄震麟 ,  林俊成

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/04 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及封装集成电路的连接件设计，其中涉及一种器件，该器件包括具有顶面的顶部介电层。金属柱具有位于顶部介电层的顶面上方的部分。非润湿的层形成在金属柱的侧壁上，其中，非润湿的层不可被熔化的焊料湿润。焊料区域被设置在金属柱上方并且与其电连接。

公开(公告)号：CN104465543A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410414756.0

申请日：2014-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  郑礼辉 ,  洪瑞斌 ,  林俊成

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/311 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/02205 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1027 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 模塑料中具有凹槽的集成扇出封装结构。一种封装件包括第一管芯和第二管芯。第一管芯包括第一衬底和第一衬底上方的第一金属焊盘。第二管芯包括第二衬底和第二衬底上方的第二金属焊盘。在模塑料中模制第一管芯和第二管芯。模塑料具有介于第一管芯和第二管芯之间的第一部分、以及可形成围绕第一部分的环的第二部分。第一部分和第二部分位于第一管芯的相对侧。第一部分具有第一顶面。第二部分具有高于第一顶面的第二顶面。

公开(公告)号：CN102222651A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201010262564.4

申请日：2010-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  林俊成 ,  余振华

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

Abstract: 一种器件包括中介层，中介层包括具有顶面和底面的衬底。多个衬底通孔(TSV)穿过衬底。多个TSV包括具有第一长度和第一水平尺寸的第一TSV，以及具有不同于第一长度的第二长度和不同于第一水平尺寸的第二水平尺寸的第二TSV。互连结构被形成为置于衬底的顶面，并且电连接到所述多个TSV。本发明还提供了一种在用于接合管芯的中介层中的具有不同尺寸的TSV。

公开(公告)号：CN110416167B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN201810608278.5

申请日：2018-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48

Abstract: 一种封装体包括多个管芯、挡墙结构、多个导电结构、包封体及重布线结构。所述挡墙结构环绕至少一个所述管芯。所述挡墙结构具有面向所述至少一个管芯的内表面以及与所述内表面相对的外表面。所述导电结构环绕所述至少一个管芯。所述包封体包封所述管芯、所述挡墙结构及所述导电结构。所述包封体的至少一部分位于所述挡墙结构的所述内表面及所述外表面之间并贯穿所述挡墙结构。所述重布线结构设置在所述包封体上且与所述管芯及所述导电结构电连接。

公开(公告)号：CN113363160B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202110380558.7

申请日：2021-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑明达 ,  李梓光 ,  刘浩君 ,  蔡柏豪 ,  林志贤 ,  萧景文

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/485

Abstract: 方法包括形成包括第一开口的图案化掩模；在第一开口中形成导电部件；在导电部件的侧壁和顶面上沉积钝化层；以及图案化钝化层以在钝化层中形成第二开口。钝化层包括面向第二开口的侧壁。在钝化层上分配平坦化层。图案化平坦化层以形成第三开口。在图案化平坦化层之后，平坦化层的一部分位于第二开口中并覆盖钝化层的侧壁。形成延伸至第三开口中的凸块下金属(UBM)。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。