公开(公告)号：CN102646628A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210097778.X

申请日：2007-10-09

申请人： 日本电气株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

发明人： 菊池克 ,  山道新太郎 ,  村井秀哉 ,  前田胜美 ,  船矢琢央 ,  森健太郎 ,  前田武彦 ,  川野连也 ,  萱岛祐治

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

摘要： 一种用于制造半导体装置的方法，包括：在金属基材的一个表面上形成金属图案；形成覆盖金属图案的树脂层；通过从金属基材的另一表面侧在金属基材中形成开口，使得金属图案被保留来得到金属框架；在半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下，将半导体芯片安装在开口内；形成覆盖金属框架和半导体芯片的绝缘层；形成连接到半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体；形成电连接到通孔导体的互连层；以及去除树脂层，使得金属图案被暴露。

公开(公告)号：CN102460685A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200980160025.5

申请日：2009-06-22

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 滨口恒夫 ,  杉浦势 ,  坂本博夫 ,  岩田政树 ,  白濑隆史 ,  冈室贵士

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/08 ,  H01L23/28 ,  H05K1/18 ,  H05K3/34

CPC分类号： H01L23/24 ,  H01L23/055 ,  H01L23/13 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/562 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/16195 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/10727 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： 半导体封装件(1)的特征在于，具有：封装件配线板(2)，其在上表面具有用于收容半导体元件(3)的元件收容用凹部(2a)；多个侧面电极(7)，其设置在封装件配线板(2)的外侧侧面上，并且，与设置在母板(10)上的多个母板侧电极(8)进行焊锡接合；半导体元件，其固定在元件收容用凹部(2a)的底面上；以及元件用电极(5)，其设置在元件收容用凹部(2a)的底面上，并且与半导体元件(3)及侧面电极(7)电连接，封装件配线板(2)由将织布(21)和树脂粘接剂层(22)彼此交替层叠而得到的多层构造构成，树脂粘接剂层(22)由在树脂粘接剂中含有无机填充颗粒的粘接剂构成。由此，可以在温度反复上升·下降这样的环境下抑制焊锡接合部处的裂纹的产生，提高焊锡接合可靠性。

公开(公告)号：CN102449750A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080017350.9

申请日：2010-09-25

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 雷夫·贝里斯泰特

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/49

CPC分类号： H01L23/4822 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/66 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/50 ,  H01L24/73 ,  H01L24/86 ,  H01L2223/6605 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/50 ,  H01L2224/73269 ,  H01L2224/92248 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15798 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明与将芯片(32)焊接至外部电路的方法相关。外部电路的导线(36)用于连接至芯片，并和导线延长线(37)一起成型，该芯片直接焊接至这些延长线上。本发明还与包含至少一个芯片(32)和外部电路的电子设备相关。该芯片直接焊接至外部电路的导线(36)的物理延长线(37)上。

公开(公告)号：CN101859713B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201010106858.8

申请日：2010-01-22

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 张简宝徽 ,  胡平正 ,  江柏兴 ,  郑维伦

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L21/4832 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/28 ,  H01L24/48 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48253 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种先进四方扁平无引脚封装结构及其制造方法，该先进四方扁平无引脚封装结构包括具有芯片座以及多个引脚的载体、至少一芯片、多条焊线以及封装胶体。载体的粗糙表面可提高载体与周围封装胶体之间的附着力。

公开(公告)号：CN102405524A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201080018146.9

申请日：2010-01-08

申请人： 国家半导体公司

发明人： P·斯米斯 ,  P·约翰森 ,  P·迪恩 ,  R·R·拉佐克

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/367 ,  H01L23/427 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/50 ,  H01L23/552 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/112 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： 在一个方面，描述一种由多个紧邻堆叠的固化平面化感光成像介电层所组成的集成电路封装。至少一个互连层设置在一对相邻介电层之间。集成电路定位在介电层的一个或多个中，使得介电层的至少一个遍布集成电路的有源表面。集成电路至少部分通过互连层与封装表面上的I/O焊盘电耦合。在具体实施例中，封装能够包括热导管、散热器、多个集成电路、一个或多个介电层、传感器、光元件、无源装置和/或具有嵌入组件的衬底。还描述用于形成上述封装的各种方法。

公开(公告)号：CN102386113A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110271021.3

申请日：2011-09-02

申请人： 新科金朋有限公司

发明人： R·A·佩盖拉 ,  邹胜源 ,  尹胜煜

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/21 ,  H01L2224/2105 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/22 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2405 ,  H01L2224/24101 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/25171 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2902 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82104 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/186 ,  H05K3/007 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一种半导体器件具有安装于载体上的第一半导体小片。插入框架具有在插入框架中的开口和形成于插入框架上的多个导电柱。将插入器安装于载体和第一小片上，其中导电柱安置于该小片周围。可在插入框架中形成腔，以包含所述第一小片的一部分。通过在插入框架中的开口在载体和第一小片上沉积密封剂。可替换地，密封剂沉积于载体和第一小片上并将插入框架压靠在密封剂上。过量的密封剂通过在插入框架中的开口引出。移除载体。在密封剂和第一小片上形成互连结构。可在第一小片上或在插入框架上安装第二半导体小片。

公开(公告)号：CN101578697B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200880001752.2

申请日：2008-02-26

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 八十冈兴祐

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/02 ,  H01L23/12 ,  H01P1/00 ,  H01P5/02

CPC分类号： H01L23/043 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/1903 ,  H01L2924/19032 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01P1/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 一种高频封装件，包括：高频器件(2)、在表层上装载有高频器件(2)的多层介质基板(20)、以及作为覆盖该多层介质基板的表层的一部分及高频器件(2)的电磁屏蔽部件的密封环(3)及盖板(4)，对内部导体焊盘(5)，设置具有无用波的波长的近似1/4长度的前端开放线路(50)。由于在腔室空间内传播的无用辐射与连线耦合，通过多层介质基板内层的偏置线向外部辐射，可以减少与连线的耦合量，可以降低向外部辐射的无用辐射量。

公开(公告)号：CN101827494B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200910180132.6

申请日：2009-09-29

申请人： 揖斐电株式会社

发明人： 清水敬介 ,  川村洋一郎 ,  北村阳儿

IPC分类号： H05K1/18 ,  H05K1/11 ,  H05K3/32

CPC分类号： H05K1/188 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H05K3/025 ,  H05K3/4697 ,  H05K2201/0969 ,  H05K2201/10015 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2201/10674 ,  Y02P70/611 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种能够抑制由热应力引起的性能劣化的线路板及其制造方法。电子部件内置线路板(10)具备：电子部件(200)，其被配置在基板(100)的开口部内；粘结剂(200a)，其形成在基板(100)与电子部件(200)之间的间隙中；以及第一导体层(110a)，其形成在粘结剂(200a)上。电子部件(200)的端子电极(210、220)与包含在第一导体层(110a)中的导体图案通过形成在粘结剂(200a)内的通路孔(201a、202a)相连接。在此，通路孔(201a、202a)的高度在5～15μm的范围内，通路孔(201a、202a)的纵横比在0.07～0.33的范围内。

公开(公告)号：CN102214626A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110139369.7

申请日：2011-05-27

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 李俊哲 ,  苏洹漳 ,  李明锦 ,  黄士辅

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开一种内埋式半导体封装件及其制作方法，该半导体封装件包括具有电性接点的半导体元件、上方图案化导电层、介于上方图案化导电层与半导体元件之间的介电层、第一内层电性连接层、下方图案化导电层、导通孔以及第二内层电性连接层。介电层具有暴露出电性接点的第一开口以及从下方图案化导电层延伸至上方图案化导电层的第二开口。第一内层电性连接层从电性接点延伸至上方图案化导电层且填充于第一开口中。第二开口具有暴露出上方图案化导电层的上部分以及暴露出下方图案化导电层的下部分。导通孔位于第二开口的下部分。第二内层电性连接层填充于第二开口的上部分。

公开(公告)号：CN101529587B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200780039517.X

申请日：2007-10-03

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： M·A·曼格鲁姆 ,  K·R·布尔克

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/19 ,  H01L24/72 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： 形成包括具有第一主表面和第二主表面半导体器件(14)的封装的装置(10)包括：在半导体器件(14)的第二主表面上和半导体器件(14)的侧面周围形成包封层(18)，并且保留第一半导体器件的第一主表面暴露。在第一主表面上形成第一绝缘层(46)。在第一绝缘层(46)中形成多个通路(48-56)。形成通过多个第一通路(48-56)到半导体器件(14)的多个触点(58-66)，其中所述多个触点(58-66)中的每一个具有在第一绝缘层(46)之上的表面。在第一绝缘层(46)上形成支撑层(72)，保留在所述多个第一触点(58-66)上的开口(70)，其中开口(70)具有围绕所述多个触点(58-66)的侧壁。