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61.

发明授权
用于制造并组装可印刷半导体元件的方法有权

公开(公告)号：CN101120433B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200580018159.5

申请日：2005-06-02

申请人： 伊利诺伊大学评议会

发明人： R·G·纳佐 , J·A·罗杰斯 , E·梅纳德 , 李建宰 , 姜达荣 , 孙玉刚 , M·梅尔特 , 朱正涛

IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/30 , H01L21/326 , H01L21/4763 , H01L23/48 , H01L27/01 , H01L29/06 , H01L29/08

CPC分类号： H01L29/76 , B81C2201/0185 , B82Y10/00 , H01L21/02521 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L21/308 , H01L21/322 , H01L21/6835 , H01L23/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/12 , H01L29/78603 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L31/0392 , H01L31/03926 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1896 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2224/03 , H01L2224/0332 , H01L2224/0345 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/08225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/80 , H01L2224/80006 , H01L2224/80121 , H01L2224/80862 , H01L2224/80895 , H01L2224/83 , H01L2224/83005 , H01L2224/83121 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2224/97 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15159 , H01L2924/15162 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S977/707 , Y10S977/724 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

摘要： 本发明提供用于制造可印刷半导体元件(555)和将可印刷半导体元件组装至基片表面(330)的方法和设备。本发明还提供了可拉伸的半导体结构(760)。

62.

发明公开
集成电路结构有权

公开(公告)号：CN101728371A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910179462.3

申请日：2009-10-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 , 邱文智 , 吴文进

IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/485 , H01L23/52

CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05554 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/08145 , H01L2224/16106 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/81894 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/12 , H01L2224/05552

摘要： 本发明公开一种集成电路结构，包括一半导体芯片，其还包括一第一表面以及一第一图案化接合垫，露出于第一表面。第一图案化接合垫包括彼此电性连接的多个部位以及位于其内的至少一开口。集成电路结构还包括一介电材料，填入开口的至少一部分。本发明提供的集成电路结构能够降低大型接合垫制作中的碟化效应，因而改善接合垫的品质。

63.

发明授权
图像传感器器件及其制造方法和半导体器件制造方法有权

公开(公告)号：CN104733486B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201410795045.2

申请日：2014-12-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈愉婷 , 蔡纾婷 , 陈思莹 , 林政贤 , 杨敦年 , 刘人诚

IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/528 , H01L21/60

CPC分类号： H01L27/14645 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/00 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L27/14621 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/281 , H01L31/1876 , H01L2224/08145 , H01L2224/80894 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2224/80 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82

摘要： 本发明公开了图像传感器器件及其制造方法以及半导体器件制造方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括将第一半导体晶圆接合至第二半导体晶圆，第一半导体晶圆包括衬底和连接至衬底的互连结构。该方法包括从第一半导体晶圆去除衬底的部分以暴露互连结构的部分。

64.

发明授权
3DIC互连装置和方法有权

公开(公告)号：CN104733435B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201410086767.0

申请日：2014-03-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡纾婷 , 杨敦年 , 刘人诚 , 陈愉婷 , 周世培

IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768

CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/31051 , H01L21/31111 , H01L21/76805 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/91 , H01L25/50 , H01L2224/24051 , H01L2224/24146 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/82031 , H01L2224/821 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2225/06541 , H01L2924/12036 , H01L2924/00 , H01L2224/80001 , H01L2224/82 , H01L2224/8203

摘要： 本发明提供了一种互连装置及形成该互连装置的方法。两个集成电路接合在一起。形成穿过其中一个衬底的第一开口。沿着第一开口的侧壁形成多层介电膜。一个或多个蚀刻工艺沿着第一开口的侧壁形成一个或多个间隔件型结构。形成从第一开口延伸至集成电路中的焊盘的第二开口。形成介电内衬，且用导电材料填充开口以形成导电插塞。

65.

发明公开
半导体装置、制造方法、固态成像元件和电子设备有权

公开(公告)号：CN107534014A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680023993.1

申请日：2016-05-06

申请人： 索尼公司

发明人： 羽根田雅希

IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L27/14 , H04N5/369

CPC分类号： H01L27/14634 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/89 , H01L27/14 , H01L27/14636 , H01L27/1469 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/03616 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/0801 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/80009 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/0104 , H01L2924/05442 , H04N5/369

摘要： 本公开涉及一种进一步提高了可靠性的半导体装置、制造方法、固态成像元件和电子设备。在分别设置于传感器基板的配线层中和信号处理基板的配线层中的层间膜内形成有用于使所述传感器基板和所述信号处理基板彼此电气连接的连接焊盘，所述传感器基板上形成有具有像素的传感器表面，所述信号处理基板对所述传感器基板进行信号处理。然后，在所述传感器基板的层间膜和所述信号处理基板的层间膜之间、在所述传感器基板侧形成的连接焊盘和所述信号处理基板侧的层间膜之间以及在所述信号处理基板侧形成的连接焊盘和在所述传感器基板侧的层间膜之间形成有金属氧化膜。本技术可以适用于例如层叠型CMOS图像传感器。

66.

发明授权
衬底间通孔连接结构及其制造方法有权

公开(公告)号：CN104253110B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201310270969.6

申请日：2013-06-28

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 李广宁 , 沈哲敏

IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L2224/02372 , H01L2224/05548 , H01L2224/05647 , H01L2224/08148 , H01L2224/80895 , H01L2924/00014

摘要： 本发明提供一种衬底间通孔连接结构及其制造方法，在TSV结构的介质层和金属通孔之间形成阻挡层，所述阻挡层包括一BCB树脂层，所述BCB树脂层利用BCB树脂材料的粘附性和塑性变形能力这两个特点，释放在TSV结构和工艺过程中的应力，从而消除或减少介质层‑阻挡层‑金属通孔分离的现象，提高产品的可靠性和良率。

67.

发明公开
半导体装置及半导体装置的制造方法有权

公开(公告)号：CN107112199A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580069954.0

申请日：2015-10-07

申请人： 三菱重工工作机械株式会社

发明人： 内海淳 , 后藤崇之 , 铃木毅典 , 井手健介

IPC分类号： H01L21/02 , B23K20/00

CPC分类号： B23K20/02 , B23K20/00 , B23K20/22 , B32B37/14 , B81C3/001 , H01L21/02 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L2224/05572 , H01L2224/80895 , H01L2924/0002 , H01L2924/15787

摘要： 一种半导体装置，将接合电极(23、26)及绝缘层(22、25)分别在表面(17A、18A)露出的晶圆进行常温接合而形成所述半导体装置，其特征在于，在表面(17A、18A)之间具备接合中间层(30)，所述接合中间层(30)单独表现出非导电性并且与接合电极(23、26)结合而表现出导电性。

68.

发明授权
半导体装置、制造半导体装置的方法以及电子设备有权

公开(公告)号：CN103247603B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201310049242.5

申请日：2013-02-07

申请人： 索尼公司

发明人： 萩本贤哉 , 藤井宣年 , 青柳健一

IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768

CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/76829 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76879 , H01L21/76885 , H01L23/498 , H01L23/49866 , H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/1469 , H01L2224/03845 , H01L2224/05026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05562 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/081 , H01L2224/08147 , H01L2224/08501 , H01L2224/09181 , H01L2224/32146 , H01L2224/32501 , H01L2224/80895 , H01L2224/83895 , H01L2225/06524 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01073 , H01L2924/13091 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

摘要： 提供半导体装置、制造半导体装置的方法以及电子设备。所提供的半导体装置包括半导体基板、形成在半导体基板上的层间绝缘层、形成在层间绝缘层的表面上的接合电极以及覆盖包括层间绝缘层和接合电极的接合表面的整个表面的金属膜。

69.

发明授权
用于形成集成电路的方法有权

公开(公告)号：CN103137566B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201210482667.0

申请日：2012-11-19

申请人： 意法半导体有限公司

发明人： P·巴尔 , S·若布洛 , N·奥特利尔

IPC分类号： H01L21/98 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L25/065

CPC分类号： H01L21/56 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/80 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/0401 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/08145 , H01L2224/09181 , H01L2224/11009 , H01L2224/11334 , H01L2224/13022 , H01L2224/13025 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/80203 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83203 , H01L2224/9202 , H01L2224/9222 , H01L2224/94 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2224/80 , H01L2924/00012 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2224/05552

摘要： 本申请涉及用于形成集成电路的方法。具体地，一种用于形成集成电路的方法，包括步骤：a)在第一半导体晶片的前表面中形成开口，开口的深度小于10μm并且将开口填充有传导材料；b)在前表面的有源区中形成部件的掺杂区域，在前表面上形成互连层，以及将支持互连层的表面进行平坦化；c)利用绝缘层覆盖第二半导体晶片的前表面，以及将涂敷有绝缘体的表面进行平坦化；d)将第二半导体晶片的涂敷有绝缘体的前表面施加抵靠在第一半导体晶片的支持互连层的前表面上，以获得在两个晶片之间的键合；e)从第二半导体晶片的后表面形成过孔，以到达第一半导体晶片的互连层；以及f)对第一半导体晶片进行减薄以到达填充有传导材料的开口。