公开(公告)号：CN102832188B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201210078611.9

申请日：2012-03-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  许呈锵 ,  蔡豪益 ,  李建勋

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 集成电路结构包括衬底和位于衬底上方的金属焊盘。钝化后互连(PPI)线连接至金属焊盘，其中，PPI线至少包括位于金属焊盘上方的部分。PPI焊盘连接至PPI线。聚合物层位于PPI线和PPI焊盘上方，其中，聚合物层具有大于约30μm的厚度。凸块下金属化层(UBM)延伸到聚合物层中的开口中并连接至PPI焊盘。本发明还提供了一种具有厚聚合物层的焊球保护结构。

公开(公告)号：CN102163578B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201110035445.X

申请日：2011-02-01

申请人： 索尼公司

发明人： 尾崎裕司 ,  浅见博

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00 ,  H01L21/603

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法、叠层芯片安装结构及其形成方法，其中，所述半导体装置包括：半导体芯片，其具有半导体基板；焊盘电极，其形成于半导体基板上；基体金属层，其形成于所述焊盘电极上；以及焊料凸块电极，其形成于基体金属层上，其中，包括基体金属层的侧面的露出表面被焊料凸块电极所覆盖。即使当减小相邻的焊料凸块电极之间的间隔时，本发明仍可提高产量和接合的可靠性。

公开(公告)号：CN104517932A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410504259.X

申请日：2014-09-26

申请人： 马克西姆综合产品公司

发明人： V·汉德卡尔 ,  K·坦比杜赖 ,  V·S·斯里达拉恩

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

摘要： 描述一种半导体装置，其具有配置为提供吸震功能的隆起组件。在一实施方式中，晶片级芯片尺寸封装装置包括集成电路芯片，所述集成电路芯片具有在集成电路芯片上方设置的隆起组件阵列。隆起组件阵列包括多个第一隆起组件，所述第一隆起组件包括至少基本上用焊料成分构成的焊料隆起(即不包括焊芯的焊料隆起)。阵列进一步包括多个第二隆起组件，所述第二隆起组件包括具有焊芯的焊料隆起，其配置成为集成电路芯片提供吸震功能。

公开(公告)号：CN104269390A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410474255.1

申请日：2011-07-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴伟诚 ,  侯上勇 ,  郑心圃 ,  刘醇鸿 ,  邱志威 ,  史朝文

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明提供一种半导体组件及制造半导体组件的方法，半导体组件包含接合垫结构，其中接合垫结构具有介于金属接合垫与凸块下金属(UBM)层的环状应力缓冲层。应力缓冲层是用介电层、高分子聚合物层或铝层来形成，其中介电层具有小于3.5的介电常数。上述应力缓冲层是圆形环、方形环、八边形(Octagonal)环或任何几何形状的环。

公开(公告)号：CN102208388B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201110081344.6

申请日：2011-03-24

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 樱井大辅

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/115 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17 ,  H01L2224/1701 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种窄间距、且确保高连接可靠性的简易结构的半导体装置及其制造方法。本发明包括：对电子元器件(1)的多个电极(1a)的至少一个电极赋予两个以上的焊料粒子(3)的工序；将电子元器件(1)的电极(1a)与电路基板(2)的电极(2a)相对配置的工序；使赋予电子元器件(1)的电极(1a)表面的焊料粒子(3)与电路基板(2)的电极(2a)相抵接的工序；以及加热焊料粒子(3)的工序，通过焊料粒子(3)熔融后的两个以上的焊料接合体(8)将电子元器件(1)的电极(1a)和电路基板(2)的电极(2a)进行电连接。

公开(公告)号：CN102347312B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201110139903.4

申请日：2011-05-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林彦甫 ,  林俊成 ,  邱文智 ,  郑心圃 ,  余振华

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，具体是一种测定底胶扩展的系统和方法。该方法包括顺应着一基底的一上表面形成遮覆标记；将一半导体基底贴合至基底的上表面；将底胶材料置入半导体基底与基底之间；以及利用遮覆标记来测定基底的上表面上方的底胶扩展。另外，也可在半导体基底的上表面形成遮覆标记，且位于基底上与半导体基底上的对准标记可在基底与半导体基底的对准期间，一同作为对准标记。本发明通过在基底上形成遮覆标记，有助于防止底胶材料占用比所需的基底面积更多的面积，且有助于将半导体装置的尺寸越缩越小；另外，通过使用遮覆标记作为半导体基底与基底之间的对准标记，也可让操作者在进行目视对准时降低误对准。

公开(公告)号：CN103959451A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280059092.X

申请日：2012-11-16

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 樱井大辅 ,  后川和也

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17055 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81935 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： 在半导体芯片(1)的多个突起状电极(4)经由多个焊料部与形成在半导体基板(11)上的多个电极(13)相抵接的状态下，多个焊料部发生熔融，形成与半导体芯片(1)的多个突起状电极(4)以及半导体基板(11)的多个电极(13)相接合的多个焊料接合部(7)。接着，半导体芯片(1)的一部分与半导体基板(11)之间的间隔(A)变得比半导体芯片(1)的其它部分与半导体基板(11)之间的间隔(B)大，多个焊料接合部(7)中的至少一部分焊料接合部被拉伸。由此，多个焊料接合部(7)的高度产生偏差。接着，在多个焊料接合部(7)中的至少高度成为最大的焊料接合部(7a)内形成空孔(8)。之后，多个焊料接合部(7)凝固。

公开(公告)号：CN103943553A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310669363.X

申请日：2013-12-11

申请人： 新科金朋有限公司

发明人： P.C.马里穆图 ,  沈一权 ,  林耀剑 ,  崔源璟

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体器件和形成具有垂直互连单元的低轮廓扇出式封装的方法。一种半导体器件包括半导体管芯。第一互连结构被设置在半导体管芯的外围区上。半导体部件被设置在半导体管芯上。半导体部件包括第二互连结构。半导体部件被设置在半导体管芯上以使第二互连结构与第一互连结构对准。第一互连结构包括多个互连单元，该多个互连单元围绕半导体管芯的第一和第二相邻侧设置以形成互连单元的围绕半导体管芯的L形边界。第三互连结构被形成在半导体管芯上，与第一互连结构垂直。绝缘层被形成在半导体管芯和第一互连结构上。形成通过绝缘层且进入第一互连结构的多个通孔，其中第二互连结构被设置在该通孔内。

公开(公告)号：CN103915374A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310127589.7

申请日：2013-04-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杜家玮 ,  郭彦良 ,  谢维伦 ,  蔡宗甫

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11

摘要： 本发明公开了钝化后互连结构及其形成方法。一种方法包括：在钝化层上方形成聚合物层，其中钝化层还包括位于金属焊盘上方的一部分。图案化聚合物层以在聚合物层中形成开口，其中聚合物层的暴露表面具有第一粗糙度。实施表面处理以使聚合物层的粗糙度增加至大于第一粗糙度的第二粗糙度。在聚合物层的暴露表面上方形成金属部件。

公开(公告)号：CN103797569A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201280040478.6

申请日：2012-07-06

申请人： 弗莱克斯电子有限责任公司

发明人： S·W·塔姆 ,  B·李 ,  彭康成 ,  冯泰伟

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/3012 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 一种制造技术，包括以晶片或裸片的形式在裸片上的电接触上创建柱状凸块。提供具有与裸片上的电接触对应的腔体的单独模板或载体。腔体利用焊膏填充，并且使裸片紧密接近模板，使得柱状凸块延伸到腔体中并且与焊膏发生接触。当移除裸片时，焊膏保持固定至柱状凸块，并且从而将焊膏被转移并递送至柱状凸块。然后可以将裸片固定至诸如PCB之类的衬底。