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11.

发明授权
具有金属‑绝缘体‑金属电容器的封装件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN103985696B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201310184704.4

申请日：2013-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 , 侯上勇 , 邱文智 , 洪瑞斌 , 叶德强 , 叶炅翰

IPC: H01L23/522 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/768

CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L23/5223 , H01L23/525 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L27/1255 , H01L27/3276 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19104 , H01L2224/82 , H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了具有金属‑绝缘体‑金属电容器的封装件及其制造方法。具体来说，本发明公开了一种封装件包括芯片，该芯片具有在第一聚合物层中形成的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器和在MIM电容器上形成的金属柱。模塑料围绕芯片，第二聚合物层在芯片和模塑料上形成，第三聚合物层在第二聚合物层上形成，互连结构在第二聚合物层和第三聚合物层之间形成并且与金属柱和MIM电容器电连接，并且凸块在互连结构的上方形成并且与互连结构电连接。

12.

发明公开
封装件有权

公开(公告)号：CN107026153A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611046177.0

申请日：2016-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 , 侯上勇 , 李云汉

IPC: H01L25/16 , H01L23/31

CPC classification number: H01L24/97 , G05F3/02 , H01L21/4846 , H01L23/28 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/5389 , H01L24/25 , H01L25/0652 , H01L25/105 , H01L27/0688 , H01L27/124 , H01L27/2481 , H01L27/283 , H01L28/10 , H01L2224/16225 , H01L2225/0651 , H01L2225/06541 , H01L2225/06582 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L25/16 , H01L23/3128

Abstract: 本发明的实施例提供了一种封装件，包括集成调压器(IVR)管芯，其中，IVR管芯包括位于第一IVR管芯的顶面处的金属柱。封装件还包括其中包封第一IVR管芯的第一包封材料，其中，第一包封材料具有与金属柱的顶面共面的顶面。多条再分布线位于第一包封材料和IVR管芯上方。多条再分布线电耦合至金属柱。核心芯片与多条再分布线重叠并且接合至多条再分布线。第二包封材料中包封核心芯片，其中，第一包封材料的边缘和第二包封材料的相应的边缘彼此垂直对准。插入件或封装件衬底位于IVR管芯下面并且接合至IVR管芯。

13.

发明授权
用于中介片的电容器及其制造方法有权

公开(公告)号：CN103456601B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201210425190.2

申请日：2012-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张俊华 , 叶德强 , 郑光伟 , 刘源鸿 , 侯上勇 , 邱文智 , 郑心圃

IPC: H01L21/02 , H01L23/522

CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/147 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L23/5223 , H01L23/53295 , H01L28/60 , H01L29/02 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了设计用于诸如中介片的衬底的电容器及其制造方法。在中介片中形成通孔，并且在底层金属层和更高层金属层之间形成电容器。例如，电容器可以是具有双电容器介电层的平面电容器。

14.

发明授权
用于封装芯片的钝化层有权

公开(公告)号：CN103151329B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210258782.X

申请日：2012-07-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 , 吴伟诚 , 侯上勇 , 余振华 , 刘醇鸿 , 邱志威 , 许国经

IPC: H01L23/498 , H01L21/48

CPC classification number: H01L22/34 , G01R31/2884 , H01L21/76885 , H01L22/32 , H01L23/49838 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/02126 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/0554 , H01L2224/10126 , H01L2224/13005 , H01L2224/16225 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/00

Abstract: 以上描述的实施例提供用于在封装的集成电路(IC)芯片上方形成金属焊盘上金属凸块和测试焊盘的机制。形成钝化层，以覆盖测试焊盘和可能覆盖金属焊盘的部分。钝化层不覆盖远离测试焊盘区和金属焊盘区的表面。通过钝化层有限地覆盖测试焊盘和金属焊盘的部分减小了在金属焊盘和金属凸块之间形成的UBM层的界面阻抗。这种界面阻抗的减小导致金属凸块的阻抗的减小。本发明还提供了用于封装芯片的钝化层。

15.

发明授权
用于半导体器件的中介层及其制造方法有权

公开(公告)号：CN103107150B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210022531.1

申请日：2012-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱志威 , 王姿予 , 吴伟诚 , 刘淳亦 , 胡宪斌 , 侯上勇

IPC: H01L23/48 , H01L23/525 , H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49827 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L23/5256 , H01L23/5382 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/13184 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81192 , H01L2924/00011 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/00 , H01L2224/81805

Abstract: 本发明公开了用于半导体器件的中介层及其制造方法。在一个实施例中，一种中介层包括：衬底；在衬底上设置的接触焊盘；以及位于衬底中的连接至接触焊盘的第一通孔；连接至第一通孔的第一熔丝；位于衬底中的连接至接触焊盘的第二通孔；以及连接至第二通孔的第二熔丝。

16.

发明授权
具有无源器件的封装件及其形成方法有权

公开(公告)号：CN103187394B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210419270.7

申请日：2012-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 , 侯上勇 , 叶德强 , 陈硕懋 , 叶炅翰 , 林仪柔

IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/02

CPC classification number: H01L21/56 , H01L23/3192 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L23/5389 , H01L23/64 , H01L24/19 , H01L27/016 , H01L28/00 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19011 , H01L2924/1903 , H01L2924/19031 , H01L2924/19033 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种器件，包括衬底、位于衬底上方的金属焊盘，以及具有位于金属焊盘上方部分的钝化层。钝化后互连(PPI)线设置在钝化层上方并且电耦合至金属焊盘。凸块底部金属(UBM)设置在PPI线上方并且电耦合至PPI线。无源器件包括位于与UBM相同水平面处的部分。无源器件的部分由与UBM相同的材料形成。本发明还提供了具有无源器件的封装件及其形成方法。

17.

发明授权
插入件测试结构有权

公开(公告)号：CN102810528B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210063783.9

申请日：2012-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘醇鸿 , 余振华 , 胡宪斌 , 王姿予 , 吴伟诚 , 侯上勇 , 郑心圃

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L22/32 , G01R1/07378 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L22/30 , H01L22/34 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5226 , H01L23/585 , H01L2221/68331 , H01L2224/05001 , H01L2224/05026 , H01L2224/05572 , H01L2224/056 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/97 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147

Abstract: 本发明公开一种插入件测试结构和方法。公开的实施例是包括插入件的结构。插入件具有沿着插入件的外围延伸的测试结构，并且测试结构的至少一部分在第一重分配元件中。第一重分配元件在插入件的基板的第一表面上。测试结构在中间并且电连接至至少两个探针焊盘。

18.

发明公开
具有中介层的封装件及其形成方法有权

公开(公告)号：CN104377171A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410007067.8

申请日：2014-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱绍玲 , 许国经 , 吴伟诚 , 黄炳刚 , 侯上勇 , 郑心圃 , 余振华

IPC: H01L23/31 , H01L21/50

CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/147 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5384 , H01L24/16 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有中介层的封装件及其形成方法。本发明的封装结构包括：中介层、位于中介层上方并且接合至中介层的管芯以及位于中介层下方并且接合至中介层的印刷电路板（PCB）。中介层中不包含晶体管（加入晶体管），而包括半导体衬底、位于半导体衬底上方的互连结构、位于硅衬底中的通孔以及位于硅衬底的背侧上的重分布线。互连结构和重分布线通过通孔电连接。

19.

发明授权
在半导体衬底中形成接地硅通孔有权

公开(公告)号：CN102867777B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201210232986.6

申请日：2012-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢棋君 , 吴伟诚 , 颜孝璁 , 胡宪斌 , 侯上勇 , 郑心圃

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/743 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

Abstract: 一种形成中介层的方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有正面和与正面相对的背面；形成一个或多个硅通孔(TSV)，该一个或多个硅通孔从所述前表面延伸到所述半导体衬底中；形成层间介电(ILD)层，该层间介电层覆盖半导体衬底的正面和一个或多个TSV；以及在ILD层中形成互连结构，互连结构电连接半导体衬底的一个或多个TSV。