一种倒装高压LED芯片电极及芯片制造方法

    公开(公告)号:CN105449084A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201510975827.9

    申请日:2015-12-22

    摘要: 本发明公开了一种倒装高压LED芯片电极及芯片制造方法,包括衬底和外延层,外延层包括P型氮化镓层、量子阱区和N型氮化镓层,外延层上设置有彼此独立的单元芯片,每个单元芯片形成图案化的P型氮化镓平台和N型氮化镓平台,两组以上单元芯片构成一个高压芯片单元,P型氮化镓平台和N型氮化镓平台均采用金属电极互联,金属电极包括P型金属反射电极、P-N互联电极、N型金属电极以及焊盘电极,P型氮化镓平台到N型氮化镓平台的侧壁以及单元芯片互联的深槽区均采用DBR结构连接。本发明提高芯片的出光率以及增大封装芯片焊盘的接触面积,增强稳定性,减少电流从聚效应,而且实现无线焊接,散热效果好,有利于减少成本,降低光衰。