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公开(公告)号:CN103515260B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201310261023.3
申请日:2013-06-26
申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
CPC分类号: H01L23/3135 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49575 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/96 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05611 , H01L2224/05618 , H01L2224/05624 , H01L2224/05638 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05684 , H01L2224/211 , H01L2224/24011 , H01L2224/24137 , H01L2224/245 , H01L2224/2518 , H01L2224/27318 , H01L2224/291 , H01L2224/29116 , H01L2224/2919 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/40095 , H01L2224/40105 , H01L2224/40227 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45499 , H01L2224/48091 , H01L2224/48105 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/48472 , H01L2224/48476 , H01L2224/48499 , H01L2224/48611 , H01L2224/48618 , H01L2224/48624 , H01L2224/48638 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48684 , H01L2224/48711 , H01L2224/48718 , H01L2224/48724 , H01L2224/48738 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48764 , H01L2224/48784 , H01L2224/48811 , H01L2224/48818 , H01L2224/48824 , H01L2224/48838 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/48884 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/82101 , H01L2224/82104 , H01L2224/82106 , H01L2224/83815 , H01L2224/8385 , H01L2224/83851 , H01L2224/83862 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85815 , H01L2224/92136 , H01L2224/92137 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01073 , H01L2924/01044 , H01L2924/01074 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/0498 , H01L2924/0496 , H01L2924/0474 , H01L2924/0475 , H01L2924/0478 , H01L2924/0476 , H01L2924/0454 , H01L2924/0455 , H01L2924/0458 , H01L2924/0456 , H01L2924/00012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01042 , H01L2924/01015 , H01L2924/0105 , H01L2924/0509 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/0103 , H01L2924/01078 , H01L2924/0665 , H01L2924/01082 , H01L2924/01049 , H01L2924/01083 , H01L2924/00 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/2075 , H01L2924/20754 , H01L2224/83205
摘要: 本发明涉及封装内封装及其形成方法。根据本发明的实施方式,半导体器件包括具有多个引线和小片焊盘的引线框、以及被连接到所述引线框的小片焊盘的半导体模块。所述半导体模块包括配置在第一密封剂中的第一半导体芯片。所述半导体模块具有耦接到所述第一半导体芯片的多个接触垫。所述半导体器件进一步包括将所述多个接触垫与多个引线耦接的多个互连件、以及被配置在所述半导体模块和引线框的第二密封剂。
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公开(公告)号:CN106463582A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580030691.2
申请日:2015-06-01
申请人: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC分类号: H01L33/486 , H01L25/165 , H01L25/167 , H01L29/861 , H01L33/46 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2933/0083
摘要: 提出一种发光半导体器件,所述发光半导体器件具有:至少一个发光半导体芯片(1),所述发光半导体芯片具有半导体层序列、光耦合输出面和侧面(12),所述侧面将光耦合输出面(10)和后侧面(11)连接;和载体本体(3),所述载体本体具有成形体(4),所述成形体形状配合地且直接地覆盖发光半导体芯片(1)的侧面(12),其中载体本体(3)在发光半导体芯片(1)的光耦合输出面(10)上具有上侧(30),在所述上侧上施加有介电镜(5)。(10)、与光耦合输出面(10)相对置的后侧面(11)
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公开(公告)号:CN104600058B
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201510054319.7
申请日:2015-02-03
申请人: 华天科技(昆山)电子有限公司
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L25/04
CPC分类号: H01L2224/04105 , H01L2224/11 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L2224/24145 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2224/82 , H01L2224/92244 , H01L2924/15153
摘要: 本发明公开了一种多芯片半导体封装结构及制作方法,该封装结构,包括半导体芯片,半导体芯片的第二表面形成有向第一表面延伸的开口和凹槽,且凹槽与半导体芯片的元件区背对,开口与半导体芯片的第一焊垫背对并暴露第一焊垫;第二表面、凹槽的内壁和开口的内壁上依次形成有第一绝缘层、金属布线层和第二绝缘层,凹槽内放置有至少一个功能芯片,凹槽内的其他空余空间填充有绝缘材料,且金属布线层电连接第一焊垫和功能芯片的焊垫,该封装结构能够在不增加封装厚度的基础上实现系统封装,该封装结构的制作方法利用晶圆级芯片尺寸封装技术,先进行整体封装,再将晶圆切割成单颗芯片,降低了生产成本。
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公开(公告)号:CN106024754A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610182901.6
申请日:2016-03-28
申请人: 联发科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/52
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L23/3157 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2225/0651 , H01L2225/06527 , H01L2225/06544 , H01L2225/06555 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19103 , H01L2924/19104 , H05K1/185 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L23/52
摘要: 本发明公开了一种半导体封装组件,以将电子元件(如无源元件)嵌入于重布线结构内。其中,该半导体封装组件包括半导体封装体,且该半导体封装体包括:重布线结构,具有第一表面及与其相对的第二表面;半导体裸芯片,设置于该第一重布线结构的该第一表面上;模塑化合物,设置于该第一重布线结构的该第一表面上,且围绕该第一半导体裸芯片;以及电子元件,嵌入于该第一重布线结构内,且经由该第一重布线结构电性耦接至该第一半导体裸芯片。
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公开(公告)号:CN103219309B
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201310006527.0
申请日:2013-01-08
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L25/0655 , H01L21/31053 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/742 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2223/54426 , H01L2224/02311 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/11002 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/1184 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/2101 , H01L2224/211 , H01L2224/214 , H01L2224/215 , H01L2224/24011 , H01L2224/24101 , H01L2224/24137 , H01L2224/244 , H01L2224/24991 , H01L2224/82005 , H01L2224/82106 , H01L2224/8213 , H01L2224/82132 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/82 , H01L2224/11 , H01L2224/19 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及多芯片扇出型封装及其形成方法,其中,该封装包括:管芯,位于管芯顶面的导电焊盘;柱状凸块,位于导电焊盘上方并与导电焊盘连接;以及再分布线,位于柱状凸块上方并与柱状凸块连接。电连接件位于再分布线上方并与再分布线电耦合。
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公开(公告)号:CN105895630A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201610086851.1
申请日:2016-02-16
申请人: 联发科技股份有限公司
发明人: 苏耀群
IPC分类号: H01L27/02
CPC分类号: G06F13/4068 , G06F13/3625 , G06F13/364 , G06F13/4282 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L27/0207
摘要: 本发明公开一种半导体裸芯片。半导体裸芯片包括处理电路、复用器,以及传输接口,处理电路产生多个信号输出,复用器整合多个信号输出成合成信号,传输接口传输合成信号至晶片级封装内的另一半导体裸芯片。本发明可达成晶片级封装中的半导体裸芯片间的信号数量减少。
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公开(公告)号:CN105845800A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201610076021.0
申请日:2016-02-03
申请人: 晶元光电股份有限公司
CPC分类号: H01L33/385 , H01L21/568 , H01L25/0753 , H01L33/0095 , H01L33/387 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/18 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L33/46
摘要: 本发明公开一种发光装置,具有一第一最外侧壁且包含一发光二极管以及一电极。发光二极管具有一电极垫及一侧表面。电极具有一区块形成电极垫上且延伸超出侧表面,及一第一突出部自区块延伸至第一最外侧壁。
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公开(公告)号:CN105489566A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201510594124.1
申请日:2015-09-17
申请人: 联发科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/538
CPC分类号: H01L23/5226 , H01L23/3171 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L25/105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/24137 , H01L2224/24146 , H01L2224/24226 , H01L2224/25171 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1436 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162
摘要: 本发明公开了一种半导体封装结构。其中,该半导体封装结构包括:第一半导体封装和堆叠于所述第一半导体封装上的第二半导体封装。其中,第一半导体封装,包括:第一半导体祼芯片以及第一模塑料,所述第一模塑料围绕所述第一半导体祼芯片并与所述第一半导体祼芯片接触。其中,第二半导体封装包括:第一动态随机存取存储器祼芯片,该第一动态随机存取存储器祼芯片不具有穿过所述第一动态随机存取存储器祼芯片的硅通孔内连结构。
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公开(公告)号:CN105449084A
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201510975827.9
申请日:2015-12-22
申请人: 浙江师范大学
CPC分类号: H01L2224/24137 , H01L33/52 , H01L33/005 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2933/005
摘要: 本发明公开了一种倒装高压LED芯片电极及芯片制造方法,包括衬底和外延层,外延层包括P型氮化镓层、量子阱区和N型氮化镓层,外延层上设置有彼此独立的单元芯片,每个单元芯片形成图案化的P型氮化镓平台和N型氮化镓平台,两组以上单元芯片构成一个高压芯片单元,P型氮化镓平台和N型氮化镓平台均采用金属电极互联,金属电极包括P型金属反射电极、P-N互联电极、N型金属电极以及焊盘电极,P型氮化镓平台到N型氮化镓平台的侧壁以及单元芯片互联的深槽区均采用DBR结构连接。本发明提高芯片的出光率以及增大封装芯片焊盘的接触面积,增强稳定性,减少电流从聚效应,而且实现无线焊接,散热效果好,有利于减少成本,降低光衰。
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公开(公告)号:CN105140208A
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201410298600.0
申请日:2014-06-26
申请人: 财团法人工业技术研究院
IPC分类号: H01L23/528 , H01L21/768
CPC分类号: H01L23/49827 , H01L21/56 , H01L21/76801 , H01L23/28 , H01L23/3121 , H01L23/564 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01L2224/82 , H01L2224/92244
摘要: 本发明有关于一种电子元件及其制法,该电子元件包括承载板、第一金属层、介电层、半导体层、软质层、至少一第一开孔与至少一第二金属层。第一金属层配置于承载板上。介电层配置于第一金属层上,第一金属层与介电层的图案一致。半导体层配置于介电层上。软质层配置于承载板上,以包覆第一金属层、介电层与半导体层,软质层的杨氏系数小于40十亿帕斯卡。第一开孔贯穿软质层。第二金属层配置于软质层上与第一开孔中,以电性连接半导体层。
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