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公开(公告)号:CN101248522A
公开(公告)日:2008-08-20
申请号:CN200680029274.7
申请日:2006-06-08
申请人: 田中电子工业株式会社
CPC分类号: C22C5/02 , B23K35/3013 , H01B1/02 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05144 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48624 , H01L2224/85 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/0102 , H01L2924/01028 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01063 , H01L2924/01067 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/01205 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/20751 , H01L2924/01004 , H01L2924/01026 , H01L2924/01039 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/01006
摘要: 本发明提供一种具有高接合可靠性、压接球的高真圆性、高直进性、以及高耐树脂流动性的接合引线用金合金线。该接合引线用金合金线,含有Pt及Pd中的1种或2种合计为5000ppm~2质量%、Ir:1~200ppm、Ca:20~200ppm、Eu:10~200ppm,并且,根据需要含有Be:0.1~30ppm,再根据需要含有La:10~200ppm,而且,含有Ca、Eu、Be及La中的2种以上使合计处于50~250ppm范围内。
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公开(公告)号:CN101238564A
公开(公告)日:2008-08-06
申请号:CN200680029204.1
申请日:2006-06-08
申请人: 田中电子工业株式会社
CPC分类号: B23K35/3013 , C22C5/02 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48624 , H01L2924/00011 , H01L2924/01105 , H01L2924/01205 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/01063 , H01L2924/01077 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078 , H01L2924/01038 , H01L2924/01056 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/0102 , H01L2924/01047 , H01L2924/01083 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/01006
摘要: 本发明提供一种具有高初始接合性、高接合可靠性、压接球的高真圆性、高直进性、高耐树脂流动性及低电阻率的接合引线用金合金线。该接合引线用金合金线,其成分组成为:含有Pt及Pd中的1种或2种合计为500~小于1000ppm、Ir:1~100ppm、Ca:大于30~100ppm、Eu:大于30~100ppm,并且,根据需要含有Be:0.1~20ppm,再根据需要含有La、Ba、Sr、Bi中的1种或2种以上合计为30~100ppm,而且,根据需要含有Ag:1~10ppm,剩余为Au及不可避免的杂质。
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公开(公告)号:CN101211794A
公开(公告)日:2008-07-02
申请号:CN200710301163.3
申请日:2007-12-26
申请人: 联发科技股份有限公司
CPC分类号: H01L23/49531 , H01L21/4832 , H01L23/49548 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L2224/05554 , H01L2224/16 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49171 , H01L2224/49173 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2224/85469 , H01L2224/85473 , H01L2224/85476 , H01L2224/85478 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10162 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/19015 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
摘要: 一种封装半导体元件方法、制作引线框架方法及半导体封装产品,该封装半导体元件方法包含:将半导体元件安置于引线框架的芯片垫座的主要部分之上,该芯片垫座另有一个以上的次要部分与一个以上的分隔部分,该次要部分与该主要部分透过该分隔部分连接;将半导体元件的一组信号线分别连接到该引线框架的多个导脚;对该半导体元件与该引线框架进行模包装,其中该芯片垫座的底面曝露在模包装外;以及从芯片垫座的底面对该分隔部分进行分离蚀刻,使该主要部分与该次要部分电性分离。
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公开(公告)号:CN101165894A
公开(公告)日:2008-04-23
申请号:CN200710181879.4
申请日:2007-10-19
申请人: 三星TECHWIN株式会社
CPC分类号: H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要: 本发明涉及用于图像传感器的芯片封装及其制造方法。用于图像传感器的芯片封装包含第一半导体芯片,该第一半导体芯片具有形成拍摄器件和第一电路图案的第一表面和与第一表面相对的形成第二电路图案的第二表面。第一和第二电路图案被电连接。芯片封装还包含固定到第一半导体芯片的第二表面上的第二电路图案上的第二半导体芯片。印刷电路板面向第一半导体芯片的第二表面并在第一和第二半导体芯片与外部之间传输电信号。外壳容纳第一和第二半导体芯片。外壳允许光穿过以到达拍摄器件。
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公开(公告)号:CN100380642C
公开(公告)日:2008-04-09
申请号:CN03813979.0
申请日:2003-03-27
申请人: 英特尔公司
IPC分类号: H01L23/367
CPC分类号: H01L23/4006 , H01L23/13 , H01L23/367 , H01L23/3677 , H01L23/4093 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2023/405 , H01L2023/4056 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/732 , H01L2224/73253 , H01L2924/01004 , H01L2924/01057 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1427 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H05K1/0204 , H05K1/182 , H05K2201/09054 , H05K2201/10378 , H05K2201/10409 , H05K2201/10477 , H05K2201/10734 , H05K2203/1572
摘要: 本发明描述了将微电子器件平行安装到基片上的方法和装置,所述基片具有插入构件和两个散热器,所述基片的每一侧上各有一个所述的散热器。
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公开(公告)号:CN101110438A
公开(公告)日:2008-01-23
申请号:CN200710109042.9
申请日:2007-06-15
申请人: 育霈科技股份有限公司
IPC分类号: H01L27/146 , H01L25/00 , H04N5/225
CPC分类号: H01L27/14618 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05548 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24226 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00014 , H01L2224/214
摘要: 本发明揭示一晶片级封装的影像传感器模块及其制造方法。其影像传感器模块包含一金属合金基材、一晶片级封装、一透镜座以及软性印刷电路板(FPC)。其具有复数个影像传感器芯片与复数个锡球的晶片级封装黏附于金属合金基材。复数个透镜置于透镜座内,且其透镜座位于影像传感器之上。其透镜座置于软性电路板,且其软性电路板具有复数个耦合至锡球的焊点(Solder Joint),以利影像传感器芯片信号传输。再者,影像传感器芯片可与被动组件或其它具有并排或堆栈结构的芯片封装。本发明的影像传感器模块与晶片级封装能减少封装结构的成本,并提高其产量。再者,本发明的封装尺寸能易于适应至测试设备、封装设备等等。
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公开(公告)号:CN101083233A
公开(公告)日:2007-12-05
申请号:CN200710108713.X
申请日:2007-05-31
申请人: 信越化学工业株式会社
发明人: 长田将一
CPC分类号: H01L23/295 , C08G59/621 , C08L63/00 , H01L21/561 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01067 , H01L2924/01077 , H01L2924/01087 , H01L2924/01105 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , Y10T428/31511 , C08L2666/16 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 本发明的目的在于提供基板不发生翘曲,回流焊工序中不引起剥离,且被树脂密封的半导体装置和适合制备该装置的树脂组合物。包括有机基板、设置在该基板上的至少一个半导体元件、密封该有机基板和该半导体元件的固化树脂组合物,其中,从配备该半导体装置的半导体元件的基板面的任一顶点,用激光三维测定机测定的在该面内的对角线方向高度的位移差的最大值为-600μm~+600μm,但不包括-600μm和+600μm两点的值,该半导体元件的总体积相对于该半导体装置的总体积的比例为18~50%,该固化树脂组合物包含(C)无机填充剂,(C)的质量/固化树脂组合物的质量为80~90%。
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公开(公告)号:CN100342533C
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN03815521.4
申请日:2003-05-30
申请人: 株式会社瑞萨科技
IPC分类号: H01L23/50
CPC分类号: H01L24/97 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49548 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/32014 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10162 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/351 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要: 一种半导体器件包括:其上安装半导体芯片(2)的翼片(1b);通过树脂密封半导体芯片(2)形成的密封部分(3);多个引线(1a),每个引线具有暴露于所述密封部分(3)的后表面(3a)的周边部分的安装表面(1d)以及设置在安装表面相对侧上的密封部分形成表面(1g);和用于连接所述半导体芯片(2)的焊盘(2a)和引线(1a)的导线(4),其中彼此相对设置的引线(1a)的密封部分形成表面(1g)的内端部之间的长度(M)比安装表面(1d)的内端部(1h)之间的长度(L)长。由此,被每个引线(1a)的密封部分形成表面(1g)的内端部(1h)包围的芯片安装区可以扩展,并且可以增加安装芯片的尺寸。
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公开(公告)号:CN101047156A
公开(公告)日:2007-10-03
申请号:CN200610141451.2
申请日:2006-09-29
申请人: 富士通株式会社
IPC分类号: H01L23/482 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC分类号: H01L24/12 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L27/11502 , H01L28/57 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05017 , H01L2224/05018 , H01L2224/05073 , H01L2224/05093 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/1134 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45164 , H01L2224/4807 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48477 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/85051 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/15183 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 一种提高FeRAM抗湿性的半导体器件及其制造方法。在使用焊盘进行探针测试之后,形成金属膜以覆盖保护膜开口中的焊盘以及从该焊盘到该保护膜的开口外围的区域。在该金属膜上形成金属凸点。该金属膜形成为具有第一和第二金属膜的双层结构。主要考虑与该保护膜的粘着性和与该金属凸点的粘着性,分别选择下层和上层的材料。设置金属膜的膜形成条件以提供具有预期质量和厚度的金属膜。因此,能够阻止湿气从焊盘或外围侵入到铁电电容器中,从而有效地抑制由于侵入的湿气导致的电位反转异常的发生。
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公开(公告)号:CN101032015A
公开(公告)日:2007-09-05
申请号:CN200580027603.X
申请日:2005-06-13
申请人: 恩索恩公司
IPC分类号: H01L21/768 , H01L21/288
CPC分类号: H01L21/76846 , H01L21/288 , H01L21/76849 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/05006 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/01327 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H05K3/107 , H05K3/244 , H05K2203/072 , H05K2203/1476 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开了在与一个多层的集成电路装置成一体的电介质层上的金属填充的互连结构元件上的一个多层的金属盖(18、20),以及形成所述盖的方法。
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