公开(公告)号：CN103456701B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201310214508.7

申请日：2013-05-31

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 伯顿·J·卡蓬特 ,  利奥·M·希金斯三世

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/367 ,  H01L23/42 ,  H01L2023/4056 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/45099

摘要： 公开了带有散热器的集成电路管芯组件。封装的半导体器件包括封装衬底，其包括第一封装衬底接触件和第二封装衬底接触件，以及位于封装衬底上的半导体管芯。半导体器件还包括位于管芯信号接触焊盘和封装衬底之间的电连接，以及散热器包括被电连接到第一信号接触焊盘和第一封装衬底接触件的第一散热器部分，第一散热器部分提供了位于第一信号接触焊盘和第一封装衬底接触件之间的电传导路径以及位于半导体管芯和封装衬底之间的热传导路径。第二散热器部分提供了位于第二信号接触焊盘和第二封装衬底接触件之间的电传导路径以及位于半导体管芯和封装衬底之间的热传导路径。绝缘层被放置在第一和第二散热器部分之间。

公开(公告)号：CN107004663A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580062595.6

申请日：2015-11-19

申请人： 美光科技公司

发明人： 倪胜锦 ,  黄宏远

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  G06F13/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  G06F13/1668 ,  G06F13/1694 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/04 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/03 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81855 ,  H01L2224/81856 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/92227 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/1443 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83

摘要： 本文揭示具有存储器封装堆叠下的控制器的存储器装置及相关的系统及方法。在一个实施例中，存储器装置经配置以耦合到主机且可包含衬底、存储器封装的堆叠及定位于所述堆叠与所述衬底之间的控制器。所述控制器可基于来自所述主机的命令而管理由所述存储器封装存储的数据。

公开(公告)号：CN107004609A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580062947.8

申请日：2015-11-13

申请人： 旭硝子株式会社

发明人： 笠井涉 ,  铃木政己

IPC分类号： H01L21/56 ,  B29C33/68 ,  B32B27/00 ,  B32B27/30

CPC分类号： H01L21/565 ,  B29C33/68 ,  B29C70/70 ,  B29K2995/0005 ,  B29L2031/3406 ,  B32B3/30 ,  B32B7/12 ,  B32B25/042 ,  B32B25/08 ,  B32B25/20 ,  B32B27/00 ,  B32B27/06 ,  B32B27/08 ,  B32B27/16 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B27/285 ,  B32B27/30 ,  B32B27/302 ,  B32B27/304 ,  B32B27/32 ,  B32B27/322 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B2250/02 ,  B32B2250/24 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/21 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/538 ,  B32B2307/54 ,  B32B2307/7242 ,  B32B2307/732 ,  B32B2307/748 ,  B32B2457/00 ,  H01L21/566 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48155 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明提供脱模性优良且能够减少密封工序中的模具污染的脱模膜、该脱模膜的制造方法、以及使用了所述脱模膜的半导体封装体的制造方法。脱模膜1是在模具内配置半导体元件并用固化性树脂密封来形成树脂密封部的半导体封装体的制造中、配置于模具的与固化性树脂接触的面的脱模膜，其具备在树脂密封部的形成时与固化性树脂接触的树脂侧脱模层2和阻气层3，阻气层3含有选自具有乙烯醇单元的聚合物和具有偏氯乙烯单元的聚合物中的至少一种聚合物(I)，阻气层3的厚度为0.1～5μm。

公开(公告)号：CN106971993A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201710028178.0

申请日：2017-01-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金志澈 ,  金载春 ,  柳翰成 ,  赵京淳 ,  赵暎相 ,  尹汝勋

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838

摘要： 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：再分布基底；互连基底，在再分布基底上；半导体芯片，在再分布基底上且在互连基底的孔中；金属层，在半导体芯片上；模制层，在半导体芯片和互连基底之间的间隙中。互连基底包括穿透其内部的孔。互连基底包括基础层和延伸穿过基础层的导电构件。互连基底的顶表面定位在金属层的顶表面的水平之上或之下的水平。

公开(公告)号：CN106971981A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201611074783.3

申请日：2016-11-29

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 许文松 ,  林世钦 ,  熊明仁

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/304 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/1533 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/45099 ,  H01L23/3171

摘要： 本发明实施例提供了一种半导体封装、半导体装置及制造半导体封装的方法。其中该半导体封装包括：基底；第一电子元件，设置在该基底上；膜层，设置在该第一电子元件的上表面上；以及封装体，封装该第一电子元件与该膜层。本发明实施例，通过将膜层设置在第一电子元件的上表面与封装体之间，从而提高半导体封装的整体强度。

公开(公告)号：CN103972198B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201410038403.5

申请日：2014-01-26

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 王亚哲

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/49541 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/8547 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其能够以高自由度变更端子结构。半导体装置（10）具有：功能块部（30）、外部端子（50）及外部端子（52）、以及外部树脂封装体（40）。并且，在功能块部（30）的下表面（32）安装有散热片（2）。内部树脂封装体（30a）分别在侧面（33a、33b）侧，覆盖内部端子（23、24）的第1端部（23a、24a），且使内部端子（23、24）的第2端部（23b、24b）露出。外部树脂封装体（40）覆盖中间部分（50b、52b）的一部分及根部部分（50a、52a），且使中间部分（50b、52b）的剩余部分及端子部分（50c、52c）露出。将功能块部（30）、外部端子（50、52）一体化并通过外部树脂封装体（40）实施树脂封装。

公开(公告)号：CN104285372B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201380025011.9

申请日：2013-03-27

申请人： 株式会社大真空

发明人： 古城琢也

IPC分类号： H03B5/32 ,  H01L21/60 ,  H01L23/02 ,  H01L23/08 ,  H03H9/02

CPC分类号： H01L41/053 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L41/0475 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/3025 ,  H03B5/364 ,  H03H9/0547 ,  H03H9/0552 ,  H03H9/0561 ,  H03H9/1021 ,  H03H9/17 ,  H03H9/171 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本压电振荡器具有：基底(1)、集成电路元件(2)、以及压电振动元件(3)。基底(1)具有：包括交流输出用端子的外部端子、以及内部端子焊盘。基底(1)由在四个角部形成有半圆孔包边部(C1～C4)的三层以上的矩形状的陶瓷基板层层压而构成。在所述内部端子焊盘之中，集成电路元件用的内部端子焊盘(NT1，NT2)与压电振动元件用的内部端子焊盘(NT7，NT8)通过在中间层的陶瓷基板的角部的半圆孔包边部(C3，C4)的上表面形成的外部露出配线图案(H9，H10)连接。

公开(公告)号：CN104064529B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201410107083.4

申请日：2014-03-21

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： G.比尔 ,  J.赫格尔 ,  T.施托尔策

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/26 ,  H01L23/48 ,  H01L25/03 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/564 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/48 ,  H01L25/072 ,  H01L25/50 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85423 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

摘要： 半导体器件、半导体模块以及制造半导体器件和半导体模块的方法。本发明的一方面涉及一种半导体器件（100）。该半导体器件（100）具有半导体本体（1），该半导体本体具有上侧（1t）和与上侧（1t）对立的下侧（1b）。将上金属化部（11）施加到上侧（1t）上将下金属化部（16）施加到下侧（1b）上。潮气阻挡体（2）在与上金属化部（11）和下金属化部（16）共同作用下完全密封半导体本体（1）。

公开(公告)号：CN104054173B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201280067069.5

申请日：2012-01-25

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 寺井护 ,  太田达雄 ,  生田裕也 ,  林建一 ,  西村隆 ,  筱原利彰

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/3135 ,  H01L23/24 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明的目的在于得到一种不易在密封树脂中产生龟裂或者不易从基板引起剥离的可靠性高的功率用半导体装置。因此具备：半导体元件基板(4)，形成有表面电极图案(2)；功率用半导体元件(5、6)，经由接合材料粘着于表面电极图案；分隔壁(9)，以包围功率用半导体元件的方式接合在表面电极图案上而设置；第一密封树脂(120)，填满该分隔壁的内侧，覆盖功率用半导体元件以及分隔壁内的表面电极图案；以及第二密封树脂(12)，覆盖分隔壁、第一密封树脂及从分隔壁向外露出了的半导体元件基板，第二密封树脂的弹性模量被设定为小于第一密封树脂的弹性模量，在分隔壁的未与表面电极图案接触的面具备中继端子用电极(8)，经由中继端子用电极引出从分隔壁内向分隔壁外的布线(130)。

公开(公告)号：CN103500739B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201310407442.3

申请日：2010-12-17

申请人： 英特尔公司

发明人： D.乔德胡里 ,  P.阿卢里

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/5389 ,  C09K2219/03 ,  C09K2219/11 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/66 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/48 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 根据本公开的各个方面，公开一种设备，包括含有系统级封装体系结构的小形状因数移动平台，系统级封装体系结构设置为层的叠层，层的叠层包括：具有第一适形材料的第一层；具有第二适形材料的第二层；具有第三材料的第三层；以及嵌入层的叠层中的一个或多个电子组件，其中第一适形材料、第二适形材料或者两者配置成允许高频信号路由。