公开(公告)号：US20110278716A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US12778610

申请日：2010-05-12

申请人： Chun-Lei HSU ,  Ming-Che HO ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU

发明人： Chun-Lei HSU ,  Ming-Che HO ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/11616 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A method for fabricating bump structure forms an under-bump metallurgy (UBM) layer in an opening of an encapsulating layer, and then forms a bump layer on the UBM layer within the opening of the encapsulating layer. After removing excess material of the bump layer from the upper surface of the encapsulating layer, the encapsulating layer is removed till a top portion of the bump layer protrudes from the upper surface of the encapsulating layer.

摘要翻译： 一种用于制造凸块结构的方法在封装层的开口中形成凸起下金属（UBM）层，然后在封装层的开口内的UBM层上形成凸点层。 在从封装层的上表面除去突起层的多余材料之后，去除封装层直到凸起层的顶部从封装层的上表面突出。

公开(公告)号：US20120007228A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US12832231

申请日：2010-07-08

申请人： Wen-Hsiung LU ,  Ming-Da CHENG ,  Chih-Wei LIN ,  Ming-Che HO ,  Chung-Shi LIU

发明人： Wen-Hsiung LU ,  Ming-Da CHENG ,  Chih-Wei LIN ,  Ming-Che HO ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/768 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11424 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： An embodiment of the disclosure includes a conductive pillar on a semiconductor die. A substrate is provided. A bond pad is over the substrate. A conductive pillar is over the bond pad. The conductive pillar has a top surface, edge sidewalls and a height. A cap layer is over the top surface of the conductive pillar. The cap layer extends along the edge sidewalls of the conductive pillar for a length. A solder material is over a top surface of the cap layer.

摘要翻译： 本公开的实施例包括半导体管芯上的导电柱。 提供基板。 焊盘在衬底上。 导电支柱位于接合垫上方。 导电柱具有顶表面，边缘侧壁和高度。 覆盖层在导电柱的顶表面之上。 盖层沿着导电柱的边缘侧壁延伸一段长度。 焊料材料在覆盖层的顶表面之上。

公开(公告)号：US20110101527A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12846353

申请日：2010-07-29

申请人： Ming-Da CHENG ,  Wen-Hsiung LU ,  Chih-Wei LIN ,  Ching-Wen CHEN ,  Yi-Wen WU ,  Chia-Tung CHANG ,  Ming-Che HO ,  Chung-Shi LIU

发明人： Ming-Da CHENG ,  Wen-Hsiung LU ,  Chih-Wei LIN ,  Ching-Wen CHEN ,  Yi-Wen WU ,  Chia-Tung CHANG ,  Ming-Che HO ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/05 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： The mechanism of forming a metal bump structure described above resolves the delamination issues between a conductive layer on a substrate and a metal bump connected to the conductive layer. The conductive layer can be a metal pad, a post passivation interconnect (PPI) layer, or a top metal layer. By performing an in-situ deposition of a protective conductive layer over the conductive layer (or base conductive layer), the under bump metallurgy (UBM) layer of the metal bump adheres better to the conductive layer and reduces the occurrence of interfacial delamination. In some embodiments, a copper diffusion barrier sub-layer in the UBM layer can be removed. In some other embodiments, the UBM layer is not needed if the metal bump is deposited by a non-plating process and the metal bump is not made of copper.

摘要翻译： 上述形成金属凸块结构的机构解决了基板上的导电层与连接到导电层的金属凸块之间的分层问题。 导电层可以是金属焊盘，后钝化互连（PPI）层或顶层金属层。 通过在导电层（或基底导电层）上进行保护性导电层的原位沉积，金属凸块的凸块下金属（UBM）层更好地粘附到导电层并减少界面分层的发生。 在一些实施例中，可以去除UBM层中的铜扩散阻挡子层。 在一些其它实施例中，如果通过非电镀工艺沉积金属凸块并且金属凸块不是由铜制成的，则不需要UBM层。

公开(公告)号：US20130113094A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13291508

申请日：2011-11-08

申请人： Yi-Wen WU ,  Zheng-Yi LIM ,  Ming-Che HO ,  Chung-Shi LIU

发明人： Yi-Wen WU ,  Zheng-Yi LIM ,  Ming-Che HO ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08503 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A semiconductor device includes a conductive layer formed on the surface of a post-passivation interconnect (PPI) structure by an immersion tin process. A polymer layer is formed on the conductive layer and patterned with an opening to expose a portion of the conductive layer. A solder bump is then formed in the opening of the polymer layer to electrically connect to the PPI structure.

摘要翻译： 半导体器件包括通过浸锡工艺在钝化后互连（PPI）结构的表面上形成的导电层。 聚合物层形成在导电层上并用开口图案化以暴露导电层的一部分。 然后在聚合物层的开口中形成焊料凸块以电连接到PPI结构。

公开(公告)号：US20140001652A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13539136

申请日：2012-06-29

申请人： Meng-Tse CHEN ,  Yu-Chih LIU ,  Hui-Min HUANG ,  Wei-Hung LIN ,  Jing Ruei LU ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU

发明人： Meng-Tse CHEN ,  Yu-Chih LIU ,  Hui-Min HUANG ,  Wei-Hung LIN ,  Jing Ruei LU ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/00 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/562 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/15311

摘要： A package on package structure providing mechanical strength and warpage control includes a first package component, a second package component, and a first set of conductive elements coupling the first package component to the second package component. A first polymer-comprising material is molded on the first package component and surrounds the first set of conductive elements. The first polymer-comprising material has an opening therein exposing a top surface of the second package component. A third package component and a second set of conductive elements couples the second package component to the third package component.

摘要翻译： 提供机械强度和翘曲控制的封装结构的封装包括第一封装元件，第二封装元件和将第一封装元件连接到第二封装元件的第一组导电元件。 第一含聚合物的材料被模制在第一包装部件上并包围第一组导电元件。 第一含聚合物的材料在其中具有露出第二包装部件的顶表面的开口。 第三包装部件和第二组导电元件将第二包装部件耦合到第三包装部件。

公开(公告)号：US20130285238A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：US13460412

申请日：2012-04-30

申请人： Meng-Tse CHEN ,  Hsiu-Jen LIN ,  Chih-Wei LIN ,  Cheng-Ting CHEN ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU

发明人： Meng-Tse CHEN ,  Hsiu-Jen LIN ,  Chih-Wei LIN ,  Cheng-Ting CHEN ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor package structure comprises a substrate, a die bonded to the substrate, and one or more stud bump structures connecting the die to the substrate, wherein each of the stud bump structures having a stud bump and a solder ball encapsulating the stud bump to enhance thermal dissipation and reduce high stress concentrations in the semiconductor package structure.

摘要翻译： 半导体封装结构包括衬底，与衬底结合的管芯，以及将管芯连接到衬底的一个或多个柱塞凸块结构，其中每个凸起凸块结构具有柱形凸起和封装凸起凸起的焊球，以增强 散热并减少半导体封装结构中的高应力集中。

公开(公告)号：US20130099370A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13277575

申请日：2011-10-20

申请人： Ming-Da CHENG ,  Chih-Wei LIN ,  Kuei-Wei HUANG ,  Yu-Peng TSAI ,  Chun-Cheng LIN ,  Chung-Shi LIU

发明人： Ming-Da CHENG ,  Chih-Wei LIN ,  Kuei-Wei HUANG ,  Yu-Peng TSAI ,  Chun-Cheng LIN ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor package includes a workpiece with a conductive trace and a chip with a conductive pillar. The chip is attached to the workpiece and a solder joint region is formed between the conductive pillar and the conductive trace. The distance between the conductive pillar and the conductive trace is less than or equal to about 16 μm.

摘要翻译： 半导体封装包括具有导电迹线的工件和具有导电柱的芯片。 芯片附着在工件上，并且在导电柱和导电迹线之间形成焊点区域。 导电柱和导电迹线之间的距离小于或等于约16μm。

公开(公告)号：US20130307140A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：US13475674

申请日：2012-05-18

申请人： Hui-Min HUANG ,  Yen-Chang HU ,  Chih-Wei LIN ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU ,  Chen-Shien CHEN

发明人： Hui-Min HUANG ,  Yen-Chang HU ,  Chih-Wei LIN ,  Ming-Da CHENG ,  Chung-Shi LIU ,  Chen-Shien CHEN

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/19 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： The mechanisms of using an interposer frame to package a semiconductor die enables fan-out structures and reduces form factor for the packaged semiconductor die. The mechanisms involve using a molding compound to attach the semiconductor die to the interposer frame and forming a redistribution layer on one or both sides of the semiconductor die. The redistribution layer(s) in the package enables fan-out connections and formation of external connection structures. Conductive columns in the interposer frame assist in thermal management.

摘要翻译： 使用插入器框架来封装半导体管芯的机构能够实现扇出结构并减小封装半导体管芯的外形尺寸。 这些机构涉及使用模制化合物将半导体管芯附接到插入器框架并在半导体管芯的一侧或两侧上形成再分布层。 封装中的再分配层可以进行扇出连接并形成外部连接结构。 插入式框架中的导电柱有助于热管理。

公开(公告)号：US20130270700A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：US13526073

申请日：2012-06-18

申请人： Chen-Hua YU ,  Mirng-Ji LII ,  Chung-Shi LIU ,  Meng-Tse CHEN ,  Wei-Hung LIN ,  Ming-Da CHENG

发明人： Chen-Hua YU ,  Mirng-Ji LII ,  Chung-Shi LIU ,  Meng-Tse CHEN ,  Wei-Hung LIN ,  Ming-Da CHENG

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L24/05 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/22 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3613 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08113 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1355 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： The described embodiments of mechanisms of forming a package on package (PoP) structure involve bonding with connectors with non-solder metal balls to a packaging substrate. The non-solder metal balls may include a solder coating layer. The connectors with non-solder metal balls can maintain substantially the shape of the connectors and control the height of the bonding structures between upper and lower packages. The connectors with non-solder metal balls are also less likely to result in bridging between connectors or disconnection (or cold joint) of bonded connectors. As a result, the pitch of the connectors with non-solder metal balls can be kept small.

摘要翻译： 形成封装封装（PoP）结构的机构的所述实施例包括将具有非焊料金属球的连接器与包装衬底结合。 非焊接金属球可以包括焊料涂层。 具有非焊接金属球的连接器可以基本保持连接器的形状并控制上部和下部封装之间的结合结构的高度。 具有非焊接金属球的连接器也不太可能导致连接器之间的桥接或接合连接器的断开（或冷接头）。 结果，可以将具有非焊接金属球的连接器的间距保持较小。

公开(公告)号：US20120267781A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US13543438

申请日：2012-07-06

申请人： Wen-Hsiung LU ,  Ming-Da CHENG ,  Chih-Wei LIN ,  Chung-Shi LIU

发明人： Wen-Hsiung LU ,  Ming-Da CHENG ,  Chih-Wei LIN ,  Chung-Shi LIU

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L21/2885 ,  C25D5/022 ,  C25D5/10 ,  C25D17/12 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： This disclosure relates to a bump structure on a substrate including a copper layer, wherein the copper layer fills an opening created in a dielectric layer and a polymer layer. The bump structure further includes an under-bump-metallurgy (UBM) layer lines the opening and the copper layer is deposited over the UBM layer. The bump structure further includes a surface of the copper layer facing away from the substrate is curved. This disclosure also relates to two bump structures with different heights on a substrate where a thickness of the first bump structure is different than a thickness of the second bump structure. This disclosure also relates to a semiconductor device including a bump structure.

摘要翻译： 本公开涉及包括铜层的基板上的凸块结构，其中铜层填充在电介质层和聚合物层中形成的开口。 凸块结构还包括凸起下冶金（UBM）层，该开口划线并且铜层沉积在UBM层上。 凸起结构还包括铜层背离衬底的表面是弯曲的。 本公开还涉及在基板上具有不同高度的两个凸块结构，其中第一凸块结构的厚度不同于第二凸块结构的厚度。 本公开还涉及包括凸块结构的半导体器件。