公开(公告)号：WO2014155099A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/GB2014/050945

申请日：2014-03-25

Applicant: SEMBLANT LIMITED

Inventor： DUNCAN, Elizabeth

IPC: H05K3/28

CPC classification number: H05K3/282 ,  H01L21/32138 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/84007 ,  H01L2224/85007 ,  H01L2224/86007 ,  H05K1/181 ,  H05K3/285 ,  H05K2201/09872 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/1322 ,  H05K2203/1333 ,  H05K2203/1377

Abstract: The present invention relates to an electrical assembly which has a conformal coating, wherein said conformal coating is obtainable by a method which comprises: (a) plasma polymerization of a compound of formula (I) and a fluorohydrocarbon, wherein the molar ratio of the compound of formula (I) to the fluorohydrocarbon is from 5:95 to 50:50, and deposition of the resulting polymer onto at least one surface of the electrical assembly: wherein: R 1 represents C 1 -C 3 alkyl or C 2 -C 3 alkenyl; R 2 represents hydrogen, C 1 -C 3 alkyl or C 2 -C 3 alkenyl; R 3 represents hydrogen, C 1 -C 3 alkyl or C 2 -C 3 alkenyl; R 4 represents hydrogen, C 1 -C 3 alkyl or C 2 -C 3 alkenyl; R 5 represents hydrogen, C 1 -C 3 alkyl or C 2 -C 3 alkenyl; and R 6 represents hydrogen, C 1 -C 3 alkyl or C 2 -C 3 alkenyl, and (b) plasma polymerization of a compound of formula (I) and deposition of the resulting polymer onto the polymer formed in step (a).

Abstract translation: 本发明涉及具有保形涂层的电气组件，其中所述保形涂层可通过以下方法获得：一种方法，该方法包括：（a）式（I）化合物和氟代烃的等离子体聚合，其中化合物 式（I）的化合物为5:95至50:50，并将所得聚合物沉积在电组件的至少一个表面上：其中：R 1表示C 1 -C 3烷基或C 2 -C 3烯基; R2代表氢，C1-C3烷基或C2-C3烯基; R 3表示氢，C 1 -C 3烷基或C 2 -C 3烯基; R4表示氢，C1-C3烷基或C2-C3烯基; R5表示氢，C1-C3烷基或C2-C3烯基; 并且R 6表示氢，C 1 -C 3烷基或C 2 -C 3烯基，和（b）式（I）化合物的等离子体聚合和所得聚合物沉积在步骤（a）中形成的聚合物上。

公开(公告)号：WO2014151141A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：PCT/US2014/025079

申请日：2014-03-12

Applicant: THE CHARLES STARK DRAPER LABORATORY, INC.

Inventor： SRIRAM, Tirunelveli ,  SMITH, Brian ,  MCLAUGHLIN, Bryan ,  LACHAPELLE, John

IPC: A61N1/05

CPC classification number: H01L24/83 ,  A61B5/0031 ,  A61B5/04001 ,  A61N1/05 ,  A61N1/0543 ,  A61N1/0551 ,  A61N1/375 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/4811 ,  H01L2224/48496 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85007 ,  H01L2224/85345 ,  H01L2224/85385 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2224/05599

Abstract: A method for bonding a hermetic module to an electrode array including the steps of: providing the electrode array having a flexible substrate with a top surface and a bottom surface and including a plurality of pads in the top surface of the substrate; attaching the hermetic module to the bottom surface of the electrode array, the hermetic module having a plurality of bond-pads wherein each bond-pad is adjacent to the bottom surface of the electrode array and aligns with a respective pad; drill holes through each pad to the corresponding bond-pad; filling each hole with biocompatible conductive ink; forming a rivet on the biocompatible conductive ink over each pad; and overmolding the electrode array with a moisture barrier material.

Abstract translation: 一种将密封模块粘合到电极阵列的方法，包括以下步骤：提供具有顶表面和底表面的柔性基底的电极阵列，并且在基底的顶表面中包括多个垫片; 将密封模块附接到电极阵列的底表面，密封模块具有多个接合焊盘，其中每个接合焊盘邻近电极阵列的底表面并与相应的焊盘对齐; 通过每个焊盘钻孔到相应的焊盘; 用生物相容的导电油墨填充每个孔; 在每个垫上的生物相容性导电油墨上形成铆钉; 并用防潮材料包覆模制电极阵列。

公开(公告)号：WO2012007655A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：PCT/FR2011/000395

申请日：2011-07-05

Applicant: COMMISSARIAT À L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  BRUN, Jean

Inventor： BRUN, Jean

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H05K13/046 ,  H01L23/13 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32237 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80903 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/90 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H05K1/0281 ,  H05K1/038 ,  H05K1/189 ,  H05K2201/10545 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0108 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: Un substrat muni d'un fil (3) électriquement conducteur enrobé par un matériau électriquement isolant est imprégné par un matériau polymérisable (4). Une zone d'accueil (5) pour une puce (2) est formée sur une surface du substrat (1), par rigidification du matériau polymérisable (4) dans une première zone du substrat. La puce (2) est disposée dans la zone d'accueil (5) et une zone (8) de connexion électrique de la puce (2) est connectée électriquement au fil (3) électriquement conducteur du substrat (1).

Abstract translation: 根据本发明，设置有涂覆有电绝缘材料的导电线（3）的基底用可聚合材料（4）浸渍。 通过变形在基板（1）的表面上形成用于芯片（2）的接收区域（5）。 接收区域（5）使用可聚合材料（4）加强。 芯片（2）设置在接收区域（5）中，并且芯片（2）的电连接区域（8）电连接到基板（1）的导电线。

公开(公告)号：WO2006098390A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：PCT/JP2006/305180

申请日：2006-03-09

Applicant: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. ,  SUZUKI, Yukie ,  ARAI, Yasuyuki ,  YAMAZAKI, Shunpei

Inventor： SUZUKI, Yukie ,  ARAI, Yasuyuki ,  YAMAZAKI, Shunpei

IPC: H01Q23/00 ,  G06K19/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/84 ,  H01L23/64 ,  H01L23/66 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/29464 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32265 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/142 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01Q23/00 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83

Abstract: It is an object of the present invention to provide a wireless chip of which mechanical strength can be increased. Moreover, it is an object of the present invention to provide a wireless chip which can prevent an electric wave from being blocked. The invention is a wireless chip in which a layer having a thin film transistor is fixed to an antenna by an anisotropic conductive adhesive or a conductive layer, and the thin film transistor is connected to the antenna. The antenna has a dielectric layer, a first conductive layer, and a second conductive layer. The dielectric layer is sandwiched between the first conductive layer and the second conductive layer. The first conductive layer serves as a radiating electrode and the second conductive layer serves as a ground contact body.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种可以增加其机械强度的无线芯片。 此外，本发明的目的是提供一种能够防止电波被阻挡的无线芯片。 本发明是一种无线芯片，其中具有薄膜晶体管的层通过各向异性导电粘合剂或导电层固定到天线，并且薄膜晶体管连接到天线。 天线具有电介质层，第一导电层和第二导电层。 电介质层夹在第一导电层和第二导电层之间。 第一导电层用作辐射电极，第二导电层用作接地体。

公开(公告)号：WO2015033197A2

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：PCT/IB2014/001646

申请日：2014-08-29

Applicant: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA ,  DENSO CORPORATION

Inventor： KADOGUCHI, Takuya ,  HIRANO, Takahiro ,  KAWASHIMA, Takanori ,  OKUMURA, Tomomi ,  NISHIHATA, Masayoshi

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/2612 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

Abstract: A semiconductor device includes: opposed first and second metal plates; a plurality of semiconductor elements each interposed between the first metal plate and the second metal plate; a metal block interposed between the first metal plate and each of the semiconductor elements; a solder member interposed between the first metal plate and the metal block and connecting the first metal plate to the metal block; and a resin molding sealing the semiconductor elements and the metal block. A face of the first metal plate, which is on an opposite side of a face of the first metal plate to which the metal block is connected via the solder member, is exposed from the resin molding. The first metal plate has a groove formed along an outer periphery of a region in which the solder member is provided, the groove collectively surrounding the solder member.

Abstract translation: 一种半导体器件包括：相对的第一和第二金属板; 多个半导体元件，各自插入在所述第一金属板和所述第二金属板之间; 介于所述第一金属板和所述半导体元件之间的金属块; 插入在第一金属板和金属块之间并将第一金属板连接到金属块的焊料构件; 以及密封半导体元件和金属块的树脂模制件。 第一金属板的与第一金属板的通过焊料部件连接的第一金属板的面相反一侧的面从树脂成形体露出。 第一金属板具有沿着设置有焊料构件的区域的外周形成的槽，槽围绕焊料构件。

公开(公告)号：WO2014023320A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：PCT/EP2012/003424

申请日：2012-08-10

Applicant: GOTTFRIED WILHELM LEIBNIZ UNIVERSITÄT HANNOVER ,  WURZ, Marc, Christopher ,  RISSING, Lutz ,  ZIMMERMANN, Stefan ,  COCHEMS, Philipp

Inventor： WURZ, Marc, Christopher ,  RISSING, Lutz ,  ZIMMERMANN, Stefan ,  COCHEMS, Philipp

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/10

CPC classification number: H01L21/50 ,  B81C1/00293 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  H01L23/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/8109 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83211 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines hermetisch abgeschlossenen Gehäuses (22), in dem ein Unterdruck herrscht, aus einem ersten Bauteil (20) mit einer ersten Kontaktfläche (26), die mit einer Schicht aus einem ersten Bondelement (28) beschichtet ist, und wenigstens einem zweiten Bauteil (24) mit einer zweiten Kontaktfläche (30), die mit einer Schicht aus einem zweiten Bondelement (32) beschichtet ist, das eine höhere Solidustemperatur als das erste Bondelement (28) aufweist, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: a) Positionieren des ersten Bauteils (20) und des zweiten Bauteils (24) in einem Behälter, sodass die erste Kontaktfläche (26) des ersten Bauteiles (20) an der zweiten Kontaktfläche (30) des zweiten Bauteiles (24) zumindest teilweise anliegt, b) Erzeugen eines Unterdrucks in dem Behälter, c) Erhöhen einer Temperatur (T) in dem Behälter auf ein Verbindungstemperaturwert (12), wobei das erste Bondelement (28) das zweite Bondelement (32) und der Verbindungstemperaturwert (12) derart ausgewählt sind, dass es zu einer Mischung (38) des ersten Bondelements (28) und des zweiten Bondelements (32) kommt, die eine Liquidustemperatur aufweist, die über dem Verbindungstemperaturwert (12) liegt.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造其上涂有第一接合元件的层（28）密封的壳体（22），其中一个真空盛行的第一组分，（20），其具有第一接触表面（26）， 和至少一个具有第二接触表面（30），其上涂有第二粘接元件的层的第二组分（24）（32），其具有更高的固相线温度比所述第一接合元件（28）的方法，包括以下步骤： a）在容器中的第一构件（20）和所述第二部件（24）定位，以使第一部件（20）到所述第二部件的所述第二接触表面（30）的第一接触表面（26）（24）搁置在至少部分地 b）产生所述容器中的负压，C）在容器中的温度（T）（升高到粘接温度值12），其中所述第一接合元件（28），所述第二接合元件（32）的未 d中的化合物的温度值（12）被选择为使得将有第一接合元件（28）并具有上述接合温度值（12）的液相第二接合元件（32）的混合物（38）。

公开(公告)号：WO2011107484A1

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：PCT/EP2011/053047

申请日：2011-03-01

Applicant: SENSONOR TECHNOLOGIES AS ,  HOIVIK, Nils ,  STARK, Birger ,  ELFING, Anders ,  WANG, Kaiying

Inventor： HOIVIK, Nils ,  STARK, Birger ,  ELFING, Anders ,  WANG, Kaiying

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/276 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/164 ,  Y10T428/12493 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

Abstract: A metal inter-diffusion bonding method for forming hermetically sealed wafer-level packaging for MEMS devices, comprising the steps of: providing a stack of a first metal on a surface of both a first wafer and a second wafer, said first metal being susceptible to oxidation in air; providing a layer of a second metal, having a melting point lower than that of the first metal, on an upper surface of each stack of first metal, the layer of second metal being sufficiently thick to inhibit oxidation of the upper surface of the first metal; bringing the layer of second metal on the first wafer into contact with the layer of second metal on the second wafer to form a bond interface; and applying a bonding pressure to the first and second wafers at a bonding temperature lower than the melting point of the second metal to initiate a bond, the bonding pressure being sufficient to deform the layers of second metal at the bond interface.

Abstract translation: 一种用于形成用于MEMS器件的密封晶片级封装的金属互扩散接合方法，包括以下步骤：在第一晶片和第二晶片的表面上提供第一金属的堆叠，所述第一金属易于 在空气中氧化; 在第一金属叠层的上表面上提供熔点低于第一金属的第二金属层，第二金属层足够厚以抑制第一金属的上表面的氧化 ; 使第一晶片上的第二金属层与第二晶片上的第二金属层接触以形成接合界面; 以及在低于所述第二金属的熔点的接合温度下对所述第一和第二晶片施加接合压力以引发接合，所述接合压力足以使所述接合界面处的所述第二金属层变形。

公开(公告)号：WO2006123554A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：PCT/JP2006/309339

申请日：2006-05-09

Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  白石 司 ,  中谷 誠一 ,  辛島 靖治 ,  平野 浩一 ,  北江 孝史 ,  山下 嘉久 ,  一柳 貴志

Inventor： 白石 司 ,  中谷 誠一 ,  辛島 靖治 ,  平野 浩一 ,  北江 孝史 ,  山下 嘉久 ,  一柳 貴志

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/552 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83888 ,  H01L2224/9201 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H05K3/303 ,  H05K3/323 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/10568 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2201/2036 ,  H05K2203/083 ,  H05K2203/087 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13111

Abstract: 　複数の接続端子を有する回路基板と接続端子と対向して配置された複数の電極端子を有する電子部品（半導体チップ）とを、両者の間隔が均一になるようにスペーサ等の手段を介在させて、または電子部品（半導体チップ）を２以上の突起部を有する板状体の内部に設置させて、はんだ粉と樹脂と対流添加剤からなる樹脂組成物を挟んで対向させ、対流添加剤の沸騰によりはんだ粉を移動させ自己集合させてはんだ層を形成させ接続端子と電極端子とを電気的に接続させてなるフリップチップ実装体および該実装体の実装方法。

Abstract translation: 一种倒装芯片安装体和倒装芯片安装方法，其中具有多个连接端子的电路板和面向连接端子且具有多个电极端子的电子部件（半导体芯片）被允许相互面对 由它们之间由焊料粉末，树脂和对流添加剂组成的树脂组合物，以便在它们之间提供均匀的间隔，插入间隔件或其它装置，或者通过将电子部件（半导体芯片）安装在具有 至少两个突起，通过沸腾对流添加剂来移动焊料粉末，使其自聚集，从而形成焊料层，并且连接端子和电极端子电连接在一起。

公开(公告)号：WO2016044179A2

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：PCT/US2015050026

申请日：2015-09-14

Applicant: INVENSAS CORP

Inventor： UZOH CYPRIAN EMEKA ,  KATKAR RAJESH

IPC: H01L25/07

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/822 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L25/115 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: Integrated circuits (ICs 110) are attached to a wafer (120W). A stabilization layer (404) is formed over the wafer to strengthen the structure for further processing. Unlike a conventional mold compound, the stabilization layer is separated from at least some wafer areas around the ICs by one or more gap regions (450) to reduce the thermo- mechanical stress on the wafer and hence the wafer warpage. Alternatively or in addition, the stabilization layer can be a porous material having a low horizontal elastic modulus to reduce the wafer warpage, but having a high flexural modulus to reduce warpage and otherwise strengthen the structure for further processing. Other features and advantages are also provided.

Abstract translation: 集成电路（IC 110）附接到晶片（120W）。 在晶片上形成稳定层（404），以加强用于进一步处理的结构。 与常规的模制化合物不同，通过一个或多个间隙区域（450）将稳定层与IC周围的至少一些晶片区域分离，以减少晶片上的热机械应力，从而降低晶片翘曲。 或者或另外，稳定层可以是具有低水平弹性模量的多孔材料，以减少晶片翘曲，但是具有高挠曲模量以减少翘曲，否则加强用于进一步加工的结构。 还提供了其他特点和优点。

公开(公告)号：WO2015115665A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：PCT/JP2015/052999

申请日：2015-02-03

Applicant: 国立大学法人大阪大学

Inventor： 菅沼　克昭 ,  長尾　至成 ,  呉　哲ミン

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/00014

Abstract: 　本発明の接合構造体（１００）は、基板（１１０）と、金属膜（１２０）と、半導体素子（１３０）とを備える。基板（１１０）、金属膜（１２０）、および、半導体素子（１３０）は、この順番に積層されている。前記金属膜（１２０）を構成する金属はストレスマイグレーションによって拡散したものであり、前記基板（１１０）と前記半導体素子（１３０）とが前記金属膜（１２０）を介して接合されている。

Abstract translation: 该接合结构（100）设置有基板（110），金属膜（120）和半导体元件（130）。 依次层叠基板（110），金属膜（120）和半导体元件（130）。 构成金属膜（120）的金属通过应力迁移而扩散，基板（110）和半导体元件（130）通过介于其间的金属膜（120）彼此接合。