公开(公告)号：CN104733436A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410657812.3

申请日：2014-11-18

申请人： 英特尔公司

发明人： R·V·玛哈简 ,  C·J·尼尔森 ,  O·G·卡哈德 ,  F·艾德 ,  N·A·德斯潘德 ,  S·M·利夫

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5381 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/145 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/165 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24245 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92124 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0665

摘要： 本文描述了具有嵌入式桥的集成电路封装。本公开的实施例涉及一种集成电路(IC)封装，集成电路封装具有分别具有第一和第二输入/输出(I/O)互连结构的第一和第二管芯。IC封装可包括具有分别耦合至第一和第二I/O互连结构的一部分的第一和第二电路由特征的桥。在实施例中，第一和第二电路由特征可设置在桥的一侧上；以及第三电路由特征可设置在相对侧上。第一和第二电路由特征可配置成在第一管芯和第二管芯之间路由电信号，以及第三电路由特征可配置成在一侧和相对侧之间路由电信号。第一管芯、第二管芯、和桥可嵌入在电绝缘材料中。可描述和/或要求保护其它的实施例。

公开(公告)号：CN102468295B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201110333705.1

申请日：2011-10-28

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.施勒克 ,  T.施托尔策

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L23/24 ,  H01L23/10 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/34 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48132 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8584 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及具有插入物的半导体模块以及用于生产具有插入物的半导体模块的方法。一种功率半导体模块包括在顶面上具有密封环的模块壳体。所述密封环通过与模块壳体和附着到功率半导体模块的印刷电路板协作，封闭地密封模块壳体的顶面处的用于馈通功率半导体模块的电端子的馈通位置。在模块壳体的底面上，密封环封闭地密封模块壳体的底面。

公开(公告)号：CN104681541A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410709725.8

申请日：2014-11-28

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 小山英寿

IPC分类号： H01L23/532

CPC分类号： H01L23/4827 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05116 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05179 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/29022 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/054 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0539 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/034

摘要： 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制在通路孔内产生空隙。半导体装置(100)具备半导体衬底(12)。半导体衬底具备表面(12a)和背面(12b)，在表面设置有晶体管(26)的源极电极(20)、栅极电极(22)及漏极电极(24)。源极电极具有上表面(20a)及下表面(20b)。到达下表面(20b)的开口设置于背面(12b)。Au层(14)覆盖开口的侧面及底面。Ni层(16)设置为在开口内覆盖Au层(14)。Au层(19)由与Ni层的材料相比对焊料的密接性更高的材料形成，以在开口内覆盖Ni层的至少一部分的方式层叠于Ni层。焊料层(32)设置为填埋开口内部，与Ni层的一部分及Au层(19)接触。

公开(公告)号：CN104471706A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380037367.4

申请日：2013-07-18

申请人： 株式会社丰田自动织机 ,  京瓷株式公司

发明人： 岩田佳孝 ,  森昌吾 ,  上山大藏 ,  坪川健治 ,  曾我慎一 ,  谷本秀夫

IPC分类号： H01L23/473

CPC分类号： H01L23/473 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/467 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 在第一～第五陶瓷片(21、22、23、24、25)的层叠方向上，第一狭缝(22c)以及第二狭缝(22d)相对于第一连通孔(23c)、第二连通孔(23d)、第三连通孔(23e)以及第四连通孔(23f)位于靠近第一搭载部(121)以及第二搭载部(131)的位置。而且，从第一～第五陶瓷片(21、22、23、24、25)的层叠方向观察，各第一狭缝(22c)与第一连通孔(23c)的重叠部(35)、以及各第二狭缝(22d)与第三连通孔(23e)的重叠部(36)位于设有第一搭载部(121)以及第二搭载部(131)的区域的附近。

公开(公告)号：CN104425483A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410425941.X

申请日：2014-08-26

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： T·费舍尔 ,  C·阿伦斯 ,  D·佐杰卡 ,  A·施门

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/0248 ,  H01L21/288 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/78 ,  H01L21/784 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/495 ,  H01L23/522 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/98 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10337 ,  H01L2924/1037 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明公开了用于制造半导体器件的方法和半导体器件。根据各种实施例，一种用于制造半导体器件的方法可以包括：提供半导体工件，该半导体工件包括在半导体工件的第一侧的器件区域，其中半导体工件的机械稳定性不足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺，并且在半导体工件的与半导体工件的第一侧相对的第二侧之上沉积至少一个传导层，其中至少一个传导层增加半导体工件的机械稳定性以足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺。

公开(公告)号：CN104425429A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410432996.3

申请日：2014-08-28

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 吴国财

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L25/07 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32237 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40101 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49096 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

摘要： 一种包括组块的半导体封装，具有第一侧，与第一侧相对的第二侧，以及从第二侧朝向第一侧延伸的凹陷区域，使得组块在凹陷区域中具有较薄部分并且在凹陷区域之外具有较厚部分。半导体封装进一步包括每一个具有相对的第一和第二侧的第一半导体裸片和第二半导体裸片。第一半导体裸片布置在组块的凹陷区域中并且在第一半导体裸片的第一侧处附接至组块的较薄部分。第二半导体裸片在第二半导体裸片的第一侧处附接至第一半导体裸片的第二侧。

公开(公告)号：CN104045048A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410093116.4

申请日：2014-03-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 朱家骅 ,  郑钧文

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81B7/0041 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/00 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0792 ,  H01L23/10 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 一种堆叠半导体器件包括CMOS器件和MEMS器件。CMOS器件包括多层互连件，在该多层互连件上方设置有金属元件。MEMS器件包括金属部分，在该金属部分上方设置有第一介电层。位于第一介电层中的腔露出部分金属部分。介电停止层至少设置在腔的内表面的上方。可移动结构设置在第一介电层的正面上方并悬于腔的上方。可移动结构包括位于第一介电层的正面上方且悬于腔上方的第二介电层、位于第二介电层上方的金属部件和位于金属部件上方的柔性介电膜。CMOS器件通过朝向柔性介电膜的金属元件接合至MEMS器件。本发明还提供了堆叠半导体器件的形成方法。

公开(公告)号：CN104011843A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201380004427.2

申请日：2013-01-10

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 藤野纯司

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L23/49513 ,  H01L21/52 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/3207 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的是提高半导体装置中的贴片的可靠性。本发明的半导体装置具有：在背面侧形成了金属镀层的半导体元件、与半导体元件隔开间隔并平行配置着的金属制的引线框架、设在半导体元件与引线框架之间并接合在金属镀层上的第1接合层、和设在半导体元件与引线框架之间并将第1接合层和引线框架接合的第2接合层。第1接合层的中央部朝着引线框架鼓出。

公开(公告)号：CN103972170A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410043965.9

申请日：2014-01-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J·科租比 ,  M·莱度特克

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/32 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014

摘要： 一种方法，包括将增强晶片应用于半导体晶片，由此形成复合晶片。该方法还包括分割复合晶片，由此生成多个复合芯片，每个复合芯片包括半导体芯片和增强芯片。

公开(公告)号：CN103943518A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410026183.4

申请日：2014-01-21

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： L.伯维

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC分类号： B22F7/08 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83205 ,  H01L24/34

摘要： 用于制造牢固接合的连接和电气连接的方法。为了在第一接合伙伴（1）和第二接合伙伴（2）之间制造牢固接合的连接，首先提供第一接合伙伴（1）和第二接合伙伴（2）。第一接合伙伴（1）具有第一连接面（11）以及与第一连接面（11）不同的、待保护的表面片段（12）。第二接合伙伴（2）具有第二连接面（21）。在待保护的表面片段（12）上施加保护层（3），使得待保护的表面片段（12）完全被所述保护层（3）覆盖。在将保护层（3）施加在待保护的表面片段（12）上的状态下，在第一连接面（11）与第二连接面（21）之间制造出牢固接合的连接。在制造了牢固接合的连接之后，又将保护层（3）从所述待保护的表面片段（12）至少部分地去除。