公开(公告)号：WO2014205193A1

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：PCT/US2014/043139

申请日：2014-06-19

申请人： UNIVERSITY OF CONNECTICUT

发明人： STAGON, Stephen, P. ,  HUANG, Hanchen

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L24/83 ,  B22F1/0025 ,  B22F1/025 ,  B22F3/02 ,  B23K35/00 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/0261 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29611 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  Y02E10/549 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/053

摘要： The present disclosure provides improved systems and methods for low-temperature bonding and/or sealing with spaced nanorods. In exemplary embodiments, the present disclosure provides for the use of metallic nanorods to bond and seal two substrates. The properties of the resulting bond are mechanical strength comparable to adhesives, impermeability comparable to metals and long term stability comparable to metals. The bond may be attached to any flat substrate and superstrate with strong adhesion. In certain embodiments, the bond is achieved at room temperature with only pressure or at a temperature above room temperature (e.g., about 150°C or less) and reduced pressure. Exemplary bonds are both mechanically strong and substantially impermeable to oxygen and moisture.

摘要翻译： 本公开提供了用于具有间隔的纳米棒的低温粘合和/或密封的改进的系统和方法。 在示例性实施例中，本公开提供使用金属纳米棒来粘合和密封两个基底。 所得结合的性质是与粘合剂相当的机械强度，与金属相当的不渗透性和与金属相当的长期稳定性。 该粘合剂可以附着在具有强粘附性的任何平坦基材和上层。 在某些实施方案中，在室温下仅在压力下或在高于室温（例如，约150℃或更低）的温度和减压下实现粘合。 示例性的粘合剂对于氧气和水分均具有机械强度和基本不渗透性。

公开(公告)号：WO2010084742A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：PCT/JP2010/000290

申请日：2010-01-20

申请人： 日亜化学工業株式会社

发明人： 蔵本雅史 ,  小川悟 ,  丹羽実輝

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L23/08 ,  H01L23/293 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/83 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83487 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0066 ,  H01S5/0226 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/05599

摘要： ［課題］　低い電気抵抗値を生じる導電性材料であって、接着剤を含まない安価かつ安定な導電性材料用組成物を用いて得られる導電性材料を製造する方法を提供することを目的とする。 ［解決手段］　基体の表面に施された銀若しくは酸化銀と、半導体素子の表面に施された銀若しくは酸化銀と、が接合された半導体装置の製造方法であって、　基体の表面に施された銀若しくは酸化銀の上に、半導体素子の表面に施された銀若しくは酸化銀が接触するように配置する工程と、半導体素子若しくは基体に、圧力を加え若しくは超音波振動を加え、半導体素子と基体とを仮接合する工程と、半導体素子及び基体に１５０℃～９００℃の温度を加え、半導体素子と基体とを本接合する工程とを経て半導体装置を製造する。

摘要翻译： 一种制造导电材料的方法，该导电材料产生低电阻值，并且通过使用廉价且稳定的不包括粘合剂的导电材料组合物获得。 该方法制造半导体器件，其通过将沉积在基底表面上的银或氧化银与沉积在半导体部件表面上的银或氧化银结合而形成。 该方法通过将半导体组件设置在基底上的步骤制造半导体器件，使得沉积在表面上的银或氧化银与沉积在其表面上的银或氧化银接触，施加压力 或超声波振动到半导体部件或基底，以将半导体部件暂时地接合到基底，以及向半导体部件和基底施加150℃至900℃的温度以将半导体部件永久地接合到基底的步骤。

公开(公告)号：WO2009015984A2

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：PCT/EP2008/058652

申请日：2008-07-04

申请人： ROBERT BOSCH GMBH ,  DONIS, Dieter ,  KOENIG, Jens

发明人： DONIS, Dieter ,  KOENIG, Jens

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/032 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Fügen eines ersten Wafers (1) mit mindestens einem zweiten Wafer (2). Das Verfahren ist gekennzeichnet durch die Schritte: Aufbringen eines sinterfähigen Bondingmaterials (7) auf zumindest einen der Wafer (1, 2, 14) und Zusammenführen der Wafer (1, 2, 14) und Sintern des Bondingmaterials (7) durch Erhitzen. Ferner betrifft die Erfindung einen Waferverbund (10) sowie einen Chip.

摘要翻译： 本发明涉及用于与至少第二晶片（2）接合的第一晶片（1）的方法。 该方法的特征在于以下步骤：在晶片上的至少一个（1，2，14）沉积烧结接合材料（7）和通过加热合并的接合材料（7）的晶片（1,2，14）和烧结。 此外，本发明涉及一种复合晶片（10）和芯片。

公开(公告)号：WO2014069074A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：PCT/JP2013/072132

申请日：2013-08-20

申请人： 化研テック株式会社

发明人： 堀　薫夫 ,  古井　裕彦 ,  藤田　晶

IPC分类号： H01B1/22 ,  H01B1/00 ,  H01L21/52

CPC分类号： H01L24/83 ,  B22F1/0051 ,  B22F1/0062 ,  B22F1/0074 ,  B22F9/24 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/0016 ,  B23K31/12 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3613 ,  H01B1/22 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/066

摘要： 　ＸＲＤ分析で規定される所定の結晶変化特性を有する銀粒子を用いることにより、導電性ペースト中での銀粒子の焼結性を容易に制御することができ、ひいては焼結処理後において、優れた電気伝導性および熱伝導性を、安定的に得ることができる導電性ペーストおよびそれを用いたダイボンディング方法を提供する。　焼結性導電材としての体積平均粒子径が０．１～３０μｍの銀粒子と、ペースト状とするための分散媒と、を含む導電性ペースト等であって、銀粒子の焼結前のＸＲＤ分析によって得られるＸ線回折チャートにおける２θ＝３８°±０．２°のピーク積分強度をＳ１とし、銀粒子の焼結処理後（２５０℃、６０分）のＸＲＤ分析によって得られるＸ線回折チャートにおける２θ＝３８°±０．２°のピークの積分強度をＳ２としたときに、Ｓ２／Ｓ１の値を０．２～０．８の範囲内の値とする。

摘要翻译： 提供：通过使用通过XRD分析规定的具有预定的结晶变化性质的银粒子的导电糊可以容易地控制导电糊中的银粒子的烧结性，并且通过烧结加工后的延伸可以稳定地获得 优良的导热性和导电性; 以及使用导电性糊料的芯片接合方法。 导电性糊剂等含有作为烧结性导电性材料的体积平均粒径为0.1〜30μm的银粒子， 和用于产生糊状物的分散介质。 当在烧结之前通过XRD分析获得的X射线衍射图中的2＆amp; t = 38°±0.2°峰积分强度为S1，并且2× 烧结后（250℃×60分钟）下通过XRD分析获得的银粒子为S2，S2 / S1的值为0.2〜0.8的范围。

公开(公告)号：WO2009015984A3

公开(公告)日：2009-05-22

申请号：PCT/EP2008058652

申请日：2008-07-04

申请人： BOSCH GMBH ROBERT ,  DONIS DIETER ,  KOENIG JENS

发明人： DONIS DIETER ,  KOENIG JENS

IPC分类号： B81C1/00 ,  H01L21/20 ,  H01L23/10

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/032 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00

摘要： The invention relates to a method for joining a first wafer (1) to at least one second wafer (2). The method is characterized by the steps of: applying a sinterable bonding material (7) to at least one of the wafers (1, 2, 14) and bringing together the wafers (1, 2, 14) and sintering the bonding material (7) by heating. The invention furthermore relates to a wafer assemblage (10) and to a chip.

摘要翻译： 本发明涉及用于与至少第二晶片（2）接合的第一晶片（1）的方法。 该方法的特征在于以下步骤：在晶片上的至少一个（1，2，14）沉积烧结接合材料（7）和通过加热合并的接合材料（7）的晶片（1,2，14）和烧结。 此外，本发明涉及一种复合晶片（10）和芯片。

公开(公告)号：WO2015193014A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/EP2015/059310

申请日：2015-04-29

申请人： HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG

发明人： SCHÄFER, Michael ,  SCHMITT, Wolfgang ,  HEILMANN, Albert ,  NACHREINER, Jens

IPC分类号： B22F1/00 ,  B23K35/34 ,  B23K35/36 ,  B23K35/365 ,  B23K35/02 ,  H01L23/00 ,  B22F7/04

CPC分类号： B22F1/0062 ,  B22F7/064 ,  B22F2001/0066 ,  B23K35/025 ,  B23K35/34 ,  B23K35/3602 ,  B23K35/3618 ,  B23K35/365 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27422 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83211 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01108 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012

摘要： Metallpaste, die (A) 75 bis 90 Gew.-% wenigstens eines Metalls, das in Form von Partikeln vorliegt, die ein Coating aufweisen, das wenigstens eine organische Verbindung enthält, und (B) 6 bis 20 Gew.-% organisches Lösemittel umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallpaste ferner (C) 2 bis 10 Gew.-% mindestens eines Ammoniumtetrafluoroborats der Formel (NHR1R2R3) + (BF 4 ) - umfasst, wobei die Reste R1, R2 und R3 gleiche oder verschiedene Reste ausgewählt aus H und Kohlenwasserstoffresten mit jeweils ≤ 12 C-Atomen bedeuten.

摘要翻译： 金属浆料（A）75〜90重量％的至少一种金属存在于具有含有至少一种有机化合物，和（B）的涂层的颗粒的形式的6％至20重量有机溶剂的％ 其特征在于，所述金属糊料还包含（C）2〜10重量式中的至少一个Ammoniumtetrafluoroborats（NHR1R2R3）+的％（BF 4） - ，其中基团R1，R2和R3是选自H和烃基团的相同或不同的基团， 表示每个≤12个C原子。

公开(公告)号：WO2015068853A1

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：PCT/JP2014/079867

申请日：2014-11-11

申请人： 新日鐵住金株式会社 ,  学校法人早稲田大学

发明人： 巽　宏平 ,  石川　信二 ,  松原　典恵 ,  田中　將元

IPC分类号： B23K20/00 ,  B22F1/00 ,  B23K35/28 ,  B23K35/30 ,  H01L21/52 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C21/00

CPC分类号： H01L24/32 ,  B22F7/08 ,  B22F2999/00 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/28 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3033 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C19/00 ,  C22C21/00 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29639 ,  H01L2224/29644 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00015 ,  B22F1/0018 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012

摘要： 　本発明は、金属ナノ粒子を用いた同種または異種金属接合において、一方の被接合面金属がＡｌ系の場合には，Ｎｉナノ粒子を含む接合層を介して接合することにより、良好な接合強度を有する接合構造体を得ることができる。さらに、金属ナノ粒子を含む２つの接合層（６，８）で金属箔（７）を挟むことで接合層を構成し、同種または異種の被接合面金属（３－４）を、この接合層を介して接合することにより、２つの被接合面金属を有する被接合体の熱膨張量差に起因するような熱応力を緩和することができる

摘要翻译： 本发明通过使用金属纳米粒子的相似或不同类型的金属粘合，通过粘结时，通过含有Ni纳米粒子的粘合层，当一个接合面金属为Al系时，可获得具有良好的接合强度的接合结构。 此外，通过将金属箔（7）夹在两个接合层（6,8）之间来构成接合层，可以减轻由具有两个接合面金属的接合部件的热膨胀量的差异引起的热应力， 并且通过接合层粘合类似或不同类型的接合表面金属（3-4）。

公开(公告)号：WO2016027593A1

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：PCT/JP2015/070119

申请日：2015-07-14

申请人： 株式会社 豊田自動織機

发明人： 前野　一弘

IPC分类号： B23K1/19 ,  B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  B23K35/14 ,  B23K35/26 ,  B23K35/30 ,  H01L21/52 ,  H05K3/34 ,  B23K101/40 ,  B23K101/42

CPC分类号： B23K35/262 ,  B23K1/012 ,  B23K1/20 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/26 ,  B23K35/30 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05173 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/341 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2924/01028

摘要： 　接合構造（２０）は、Ｃｕ配線（１２）と素子電極（１４）とを接合する接合構造である。接合構造（２０）は、Ｃｕ配線（１２）と素子電極（１４）との間に存在し、Ｃｕ配線（１２）の界面に生成された第１のＩＭＣ層（２１）（ＣｕとＳｎの金属間化合物層）と、素子電極（１４）の界面に生成された第２のＩＭＣ層（２２）（ＣｕとＳｎの金属間化合物層）と、両金属間化合物層との間に存在する中間層（２５）とを備える。中間層（２５）では、Ｓｎ（２３）中にネットワーク状ＩＭＣ（ネットワーク状のＣｕとＳｎの金属間化合物）（２４）が存在する。

摘要翻译： 该接合结构（20）是用于将Cu布线（12）和元件电极（14）彼此接合的接合结构。 接合结构（20）设置在Cu布线（12）和元件电极（14）之间，并且包括形成有第一金属间化合物（IMC）层（21）（Cu和Sn的金属间化合物层） 在与Cu配线（12）的界面处，形成在与元件电极（14）的界面处形成的第二金属间化合物（IMC）层（22）（Cu和Sn的金属间化合物的层）和中间体 存在于金属间化合物层之间的层（25）。 在中间层（25）中，Sn（23）中存在网状IMC（24）（Cu和Sn的网状金属间化合物）。

公开(公告)号：WO2016015878A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：PCT/EP2015/055701

申请日：2015-03-18

申请人： HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG

发明人： SCHÄFER, Michael ,  SCHMITT, Wolfgang

IPC分类号： B22F5/00 ,  B22F7/04 ,  H01L23/00 ,  H05K3/32

CPC分类号： B22F5/006 ,  B22F3/1003 ,  B22F3/24 ,  B22F7/04 ,  B22F2003/242 ,  B22F2301/255 ,  B22F2302/25 ,  B22F2302/45 ,  B22F2998/10 ,  C25D11/34 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/29686 ,  H01L2224/32221 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/8302 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K3/32 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/053

摘要： Verfahren zum Verbinden von Bauelementen, bei dem man eine Anordnung aus wenigstens zwei jeweils eine metallische Kontaktoberfläche aufweisenden Bauelementen und zwischen den Bauelementen angeordnetem metallischen Sintermittel in Form eines metallischen Festkörpers mit Metalloxidoberflächen bereitstellt und die Anordnung drucksintert, wobei Metalloxidoberflächen des metallischen Sintermittels mit den metallischen Kontaktoberflächen der Bauelemente jeweils eine gemeinsame Kontaktfläche bilden, und wobei (I) das Drucksintern in einer mindestens eine oxidierbare Verbindung enthaltenden Atmosphäre durchgeführt und/oder (II) die Metalloxidoberflächen vor Bildung der jeweiligen gemeinsamen Kontaktfläche mit mindestens einer oxidierbaren organischen Verbindung versehen werden.

摘要翻译： 用于连接部件的方法，其中提供每个至少两个的排列有具有组分的金属接触表面，并且在金属实心体与金属氧化物的形式布置在所述部件的金属烧结剂之间和drucksintert的组件，所述的金属烧结剂的金属氧化物的所述金属接触表面 每个部件形成共同的接触表面，并且所述金属氧化物表面被形成之前的相应的公共的接触面，其中（I）是在至少一种含易氧化性化合物的气氛中进行加压烧结的设置有至少一种可氧化的有机化合物和/或（II）。

公开(公告)号：WO2013185839A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：PCT/EP2012/061458

申请日：2012-06-15

申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KNÖRR, Matthias

发明人： KNÖRR, Matthias

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/373 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L33/647 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29295 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/95 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (10) mit zumindest einem ersten Bauteil (1) und einem zweiten Bauteil (2) angegeben, bei dem auf dem ersten Bauteil (1) ein Sintermaterial (3) aufgebracht wird, das zweite Bauteil (2) auf dem Sintermaterial (3) platziert wird und das Sintermaterial (3) unter Einwirkung von Wärme, Druck und Ultraschall während einer Sinterzeit zu einer Verbindungsschicht (30) zwischen dem ersten und zweiten Bauteil (1, 2) versintert wird. Das erste Bauteil (1) kann beispielsweise ein Leiterrahmen, ein Kunststoffträger, ein Kunststoffgehäuse, ein Keramikträger, eine Leiterplatte oder eine Kombination daraus sein. Das zweite Bauteil (2) kann ein optoelektronischer Halbleiterchip (Leuchtdiodenchip, Laserdiodenchip oder Photodiodenchip) oder ein optisches Bauteil (Linse, Fenster) sein. Alternativ kann die Verbindungsschicht (30) zwischen dem ersten Bauteil (1), beispielsweise einem ersten Trägerelement (einer Metallkernplatine oder einer Leiterplatte), und einem zweiten Trägerelement (20) ausgebildet werden, wobei das zweite Bauteil (2) auf dem zweiten Trägerelement (20) beispielsweise zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (21) aufweist, der beispielsweise mittels des oben beschriebenen Sinterverfahrens auf dem zweiten Trägerelement (20) vor oder nach Verbinden des ersten Trägerelements (1) mit dem zweiten Trägerelement (20) befestigt wird.

摘要翻译： 公开了一种用于生产具有光电子半导体器件（10）的方法，至少一个第一部件（1）和第二部件（2），其中所述第一组分（1）是一种烧结材料（3）被施加，所述第二部件（ 2）在烧结时间被放置在烧结材料（3）和热，压力和超声的作用下烧结材料（3），以形成第一和第二部件（1之间的化合物层（30），2）进行烧结。 所述第一部件（1）可以是，例如，引线框，塑料基板，塑料壳体，陶瓷基板，印刷电路板或它们的组合来。 第二组分（2）可以是光电子半导体芯片（发光二极管芯片，激光二极管芯片或光电二极管芯片），或光学部件（透镜，窗口）。 可替换地，第一部件（1）之间的粘接层（30）中，例如，第一支撑构件（金属芯板或电路板），和一个第二支承件（20）可以被形成，其中所述第二部件（2）的第二支撑构件上（20 ）包括，例如，前或第一支撑构件（1）与所述第二支撑件（20）连接后的至少一个光电子半导体芯片（21）是固定的，例如通过所述第二支撑构件（20上的上述烧结方法）。