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公开(公告)号:CN100409423C
公开(公告)日:2008-08-06
申请号:CN200480003367.3
申请日:2004-02-04
申请人: 千住金属工业株式会社 , 藤本公三
CPC分类号: H01L24/29 , H01L24/11 , H01L24/83 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29305 , H01L2224/29309 , H01L2224/29311 , H01L2224/29313 , H01L2224/29314 , H01L2224/29316 , H01L2224/29318 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/73204 , H01L2224/818 , H01L2224/83136 , H01L2224/8319 , H01L2224/83886 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01064 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/157 , H05K3/321 , H05K2201/10674 , H05K2203/0425 , H01L2924/00 , H01L2924/01083 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要: 本发明提供用于在相面对的电极等端子间获得良好的电连接的端子间的接合方法及使用了该接合方法的半导体装置的安装方法。将半导体芯片(20)的电极垫片(21)、与电极垫片(21)对应地设置的基板(10)上的连接盘(11)按照夹隔导电性粘结剂而相面对的方式配置。其后,将导电性粘结剂加热至比导电性粘结剂中所含的导电性粒子的熔点更高并且树脂的硬化并未结束的温度,使导电性粒子之间结合。继而,通过使导电性粘结剂中的树脂完全硬化,将半导体芯片(20)和基板(10)粘接。
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公开(公告)号:CN101034726A
公开(公告)日:2007-09-12
申请号:CN200710005652.4
申请日:2007-03-08
申请人: 三星电机株式会社
IPC分类号: H01L33/00 , H01L23/498
CPC分类号: H01L33/62 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L2224/26175 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2224/83805 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12041 , H01L2924/157 , H01L2924/15724 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
摘要: 一种发光二极管封装件,用于防止半导体层间的电短路,且具有极好的接合强度。该发光二极管封装件包括:封装基板;发光二极管芯片,其接合至封装基板的上表面;以及接合材料,用于将发光二极管芯片接合至封装基板。该封装基板具有形成于其接合表面中的凹槽,以容纳接合材料。
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公开(公告)号:CN1666348A
公开(公告)日:2005-09-07
申请号:CN03811083.0
申请日:2003-05-14
申请人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号: H01L33/00
CPC分类号: H01L33/62 , H01L21/52 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/29 , H01L2224/29007 , H01L2224/2908 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/8319 , H01L2224/83801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01063 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/07811 , H01L2924/12041 , H01L2924/157 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/01049 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
摘要: 用于将一个半导体芯片固定在一个塑料壳体本体中的方法和光电的半导体结构元件一个可发送射线或可接收射线的半导体芯片9为了装配被软焊料钎焊到一个引入架2上,其被一个予制的塑料壳体本体5-一个所谓的预模制的外壳件-注塑成型。通过应用一种低熔点的焊料3-其被覆置的一个层厚度小于10μm-就可以实现该钎焊过程尽可能地没有热力损伤该塑料壳体本体5。
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公开(公告)号:CN1260909A
公开(公告)日:2000-07-19
申请号:CN98806363.8
申请日:1998-06-22
申请人: 基底技术公司
发明人: 艾布拉姆·M·卡斯特罗 , 艾伦·R·卡斯特罗
CPC分类号: H01L23/24 , H01L23/49816 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2224/85444 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01061 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/157 , H01L2924/16152 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2224/85 , H01L2224/48227 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要: 本发明公开了一种增强球网格阵列衬底封装及其制造方法,其中该衬底封装包括一个带有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面的金属芯(204)。该金属芯进一步包括至少一个腔,在该腔中布置有至少一个集成电路(202)。一电介质层固接在所述金属芯的第一表面上,并包括至少一个形成于其中的模腔。之后,一导电籽晶层(218)化学沉积在电介质层的暴露部分和金属芯的第一表面上。紧邻着籽晶层,一电路电解地及可选择地成形在一第一电路图样中。
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公开(公告)号:CN106463493B
公开(公告)日:2019-08-13
申请号:CN201580023775.3
申请日:2015-05-05
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: H01L23/495 , H01L21/98 , H01L25/10
CPC分类号: H01L23/49827 , H01L21/31127 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/498 , H01L23/49866 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/5385 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13118 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16235 , H01L2224/81411 , H01L2224/81424 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81466 , H01L2224/81484 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/141 , H01L2924/143 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/20648 , H01L2924/3511 , H05K1/09 , H05K1/115 , H05K2201/09563 , H01L2924/014 , H01L2224/81
摘要: 提供了具有增大的宽度的基板块。该基板块包括两个基板条,并且这些基板条各自包括基板以及穿过该基板的多个经填充通孔。该基板块可被用于制造封装基板,并且这些封装基板可以被纳入到PoP结构中。该封装基板包括具有多个垂直互连的载体以及耦合至该垂直互连的条。
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公开(公告)号:CN104779233B
公开(公告)日:2018-11-30
申请号:CN201410627580.7
申请日:2014-11-07
申请人: 财团法人工业技术研究院
IPC分类号: H01L23/488 , H01L23/522 , H01L21/60
CPC分类号: H01L21/76898 , H01L21/4882 , H01L21/50 , H01L21/563 , H01L23/3675 , H01L23/42 , H01L23/4275 , H01L23/433 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L2224/16235 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/16153 , H01L2924/16251 , H01L2924/1659 , H01L2924/167 , H01L2924/16724 , H01L2924/16747 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开一种薄化集成电路装置与其制作流程。依据所公开的制作流程,在基板形成硅穿孔,硅穿孔的第一端曝露于基板的第一表面。并于基板的第一表面配置凸块,使凸块与硅穿孔电连接。并于凸块上配置集成电路芯片,集成电路芯片具有第一侧与第二侧,集成电路芯片的第一侧连接于凸块。并将热介质层配置于集成电路芯片的第二侧。通过热介质层将导热盖的下表面附着于集成电路芯片。并且,以导热盖作为载体,通过固定导热盖来固定集成电路芯片与基板,以研磨基板相对于第一表面的第二表面,使硅穿孔的第二端暴露于第二表面。
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公开(公告)号:CN108766891A
公开(公告)日:2018-11-06
申请号:CN201810330471.7
申请日:2011-11-02
申请人: 阿尔发装配解决方案有限公司
CPC分类号: H01L24/83 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/97 , H01L2224/2732 , H01L2224/27436 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29364 , H01L2224/29399 , H01L2224/32245 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83205 , H01L2224/83222 , H01L2224/8384 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/157 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H05K1/097 , H05K3/3436 , Y10T156/1062 , Y10T428/26 , H01L2924/01046 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/00014
摘要: 适用于多片和单片部件的芯片附着的方法可以包括将烧结印制在基片上或者印制在芯片的背面上。印制可以包括模板印制,丝网印制或者分配印制。在被切割成小方块之前,焊膏可以被印制到整个晶片的背面上,或者可以被印制到单个的芯片的背面上。烧结的薄层也可以是焊接或者传输到晶片、芯片或者基片上的。后烧结步骤可以提高生产量。
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公开(公告)号:CN107301978B
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201710082023.5
申请日:2017-02-15
申请人: 美光科技公司
发明人: 施信益
CPC分类号: H01L25/0655 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3135 , H01L23/49805 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16146 , H01L2224/16235 , H01L2224/24137 , H01L2224/73259 , H01L2224/92224 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2224/81
摘要: 本发明公开了种半导体封装,包含第、第二中介元件,及细缝,位于所述第、第二中介元件间。第、第二中介元件是共平面的。第晶粒,设于第、第二中介元件上。第晶粒包含第连接件,连接第晶粒至第或第二中介元件。重分布层结构,设于第、第二中介元件下表面,电连接第、第二中介元件。RDL结构包含至少架桥绕线,跨越所述细缝,用以电连接第、第二中介元件。
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公开(公告)号:CN103855129B
公开(公告)日:2018-04-24
申请号:CN201310656157.5
申请日:2013-12-06
申请人: 德州仪器公司
发明人: 凯文·莱恩 , 库尔特·P·瓦赫特勒
IPC分类号: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L25/50 , H01L21/56 , H01L23/147 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/065 , H01L25/0652 , H01L25/18 , H01L2224/1308 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/73253 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/81801 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2224/81825 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2924/01322 , H01L2924/1434 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要: 本发明涉及一种半导体装置及用于制作半导体装置的方法。标准存储器芯片(150)借助于堆叠到大硅中介层(110)上的小硅中介层(120)而与分裂架构的两个处理器芯片(130、140)垂直组装;两个中介层均包含穿硅通孔TSV,而所述芯片不具有TSV。小中介层(120)的所述TSV连接到所述存储器芯片(150)及所述底部中介层(110)。相对于中介层(120)对称定位且通过短信号迹线连接到中介层(120)的芯片(130、140)附接到中介层(110)的所述TSV,所述中介层(110)又借助供应连接附接到衬底(160)。
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公开(公告)号:CN104810320B
公开(公告)日:2017-11-17
申请号:CN201410663929.2
申请日:2014-11-19
申请人: 钰桥半导体股份有限公司
IPC分类号: H01L21/768 , H01L23/538
CPC分类号: H01L23/49816 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/36 , H01L23/49827 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L23/552 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/0401 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73259 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/92125 , H01L2224/92224 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/15192 , H01L2924/1531 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/15793 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/014 , H01L2224/16225 , H01L2924/00
摘要: 本发明是关于一种半导体组件的制作方法,其具有下述特征步骤:将一芯片‑中介层堆叠次组体贴附至一基底载体,并使该芯片插入该基底载体的一贯穿开口中,且中介层侧向延伸于贯穿开口外。该基底载体可作为该芯片‑中介层堆叠次组体贴附用的平台,而该中介层提供该芯片的初级扇出路由。此外,在此制作方法中,增层电路电性耦接至中介层,且可选择性提供盖板或另一增层电路于该芯片上。
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