公开(公告)号：CN106887422A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201610688826.0

申请日：2016-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  林俊成 ,  符策忠

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/49894 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838

Abstract: 本发明的实施例提供了封装件结构及其形成方法。封装件结构包括衬底和在衬底上方形成的半导体管芯。封装件结构还包括覆盖半导体管芯的封装件层和在封装件层中形成的导电结构。封装件结构包括在导电结构上形成的第一绝缘层，并且第一绝缘层包括一价金属氧化物。在第一绝缘层和封装件层之间形成第二绝缘层。第二绝缘层包括一价金属氧化物，并且第二绝缘层中的一价金属氧化物的重量比大于第一绝缘层中的一价金属氧化物的重量比。

公开(公告)号：CN104282580B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201410299937.3

申请日：2014-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  洪瑞斌 ,  林俊成 ,  李隆华

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4647 ,  H05K2203/1469 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构，包括模塑料、导电插塞和覆盖件。导电插塞位于模塑料中。覆盖件位于导电插塞和模塑料之间的顶部汇合点的上方。半导体结构还具有介电质。介电质位于覆盖件和模塑料上。本发明还提供了一种半导体3D封装件以及制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN103996630B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201310188263.5

申请日：2013-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/46 ,  H01L24/73 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明公开了封装半导体器件和封装器件及方法。在一个实施例中，一种封装半导体器件的方法包括提供第一集成电路管芯，该第一集成电路管芯与包括多个设置在其上的衬底通孔(TSV)的衬底的第一表面相连接。导体球状件与衬底的第二表面上的多个TSV中的每个相连接，第二表面与衬底的第一表面相反。第二集成电路管芯与衬底的第二表面相连接，并且模塑料形成在导体球状件、第二集成电路管芯和衬底的第二表面之上。模塑料被从导体球状件的顶面上去除，并且导体球状件的顶面被形成凹部。在导体球状件的顶面和模塑料上方形成有再分配层(RDL)。

公开(公告)号：CN106206530A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510321434.6

申请日：2015-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪 ,  郑礼辉 ,  陈建声

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012

Abstract: 公开了半导体器件以及用于提供从集成扇出叠层封装结构内的半导体管芯增强地去除热量的方法。在实施例中，金属层形成在半导体管芯的背侧上，并且密封半导体管芯和通孔。暴露出金属层的一部分并且连接热管芯以从半导体管芯去除热量。本发明涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN105719976A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510654697.9

申请日：2015-10-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士庭 ,  林俊成 ,  卢思维 ,  洪瑞斌

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。将诸如集成电路管芯的器件安装在诸如另一管芯、封装衬底、内插器等的衬底上，并且沿着划线在衬底中形成凹槽。在凹槽中以及在邻近的管芯之间形成一个或多个模塑料层。可以实施背侧减薄工艺以暴露凹槽中的模塑料。在凹槽中的模塑料层中实施分割工艺。在实施例中，在凹槽中形成第一模塑料层，并且在第一模塑料层上方以及在邻近的管芯之间形成第二模塑料。可以在形成凹槽之前或之后，将器件放置在衬底上。本发明涉及用于防止薄晶圆破裂的结构和方法。

公开(公告)号：CN103137596B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201210301609.3

申请日：2012-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  林俊成

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1412 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/381

Abstract: 所述的形成多芯片封装件的机制使具有不同凸块尺寸的芯片能够封装到公共基板。可以将具有较大凸块的芯片和基板上的两个或者两个以上的较小凸块接合起来。相反，可以将芯片上的两个或者两个以上的小凸块和基板上的大凸块接合起来。通过允许将具有不同尺寸的凸块接合在一起，可以将具有不同凸块尺寸的芯片封装在一起，从而形成多芯片封装件。本发明提供了用于多芯片封装的凸块结构。

公开(公告)号：CN105514037A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510644491.8

申请日：2015-10-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施应庆 ,  林俊成 ,  卢思维

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/02

CPC classification number: B32B43/006 ,  B32B38/10 ,  B32B38/162 ,  B32B38/1858 ,  B32B2310/0825 ,  B32B2310/0831 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/02079 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/02098 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/68785 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/95001 ,  Y10S901/40 ,  Y10S901/43 ,  Y10T156/1111 ,  Y10T156/1158 ,  Y10T156/1917 ,  Y10T156/1928 ,  H01L21/78 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明公开了用于分离和清洗衬底的方法和工具。方法包括：将第一衬底的表面从第二衬底分离；和在分离之后，清洗第一衬底的表面。清洗包括：使清洗机构与第一衬底的表面物理接触。工具包括：分离模块和清洗模块。分离模块包括：第一卡盘、配置为向第一卡盘发射辐射的辐射源和具有真空系统的第一机械臂。真空系统配置为固定衬底和从第一卡盘去除衬底。清洗模块包括：第二卡盘、配置为向第二卡盘喷射流体的喷嘴和具有清洗器件的第二机械臂，第二机械臂配置为使清洗器件与第二卡盘上的衬底物理接触。本发明实施例涉及分离和清洗工艺和系统。

公开(公告)号：CN103137587B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201210076845.X

申请日：2012-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1401 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于形成凸块结构的机制，其降低了芯片和封装件衬底之间的间距变化。通过在电镀之后平坦化芯片和/或衬底上的凸块结构的焊料层，使得因管芯内和晶圆内位置、图案密度、管芯尺寸以及工艺变化引起的凸块结构的高度变化降至最小。结果，可将芯片和衬底之间的间距控制为一致。因此，底部填充的质量得到改善。本发明还公开了用于底部填充控制的平坦化凸块。

公开(公告)号：CN102386168B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110258788.2

申请日：2011-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 章鑫 ,  蔡方文 ,  林俊成 ,  邱文智 ,  郑心圃

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/538 ,  H01L21/68 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/544 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种装置，其包括基板和对准标记，所述对准标记包括穿透所述基板的导电基板通孔(TSV)。本发明还公开了一种形成该器件的方法。通过本发明的方法和器件，基板上的基板通孔对准的准确度高。

公开(公告)号：CN103035618B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210032013.8

申请日：2012-02-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种工件，包括：第一含铜柱，该第一含铜柱具有顶面和侧壁；第一保护层，该第一保护层位于第一含铜柱的侧壁上而不位于第一含铜柱的顶面上方；测试焊盘，该测试焊盘包括第二含铜柱，该第二含铜柱具有顶面和侧壁，该测试焊盘电连接至第一含铜柱；以及第二保护层，该第二保护层被设置在第二含铜柱的侧壁上，而不设置在第二含铜柱的顶面上方，第一保护层和第二保护层包含铜和聚合物的化合物，并且是介电层。本发明还提供了用于3DIC测试的结构设计。