专利检索 cpc:"H01L25/50" 第 7 页

61.

发明授权
半导体封装件的制法有权

公开(公告)号：CN104617088B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201310577966.7

申请日：2013-11-14

申请人： 矽品精密工业股份有限公司

发明人： 徐逐崎 , 王隆源 , 江政嘉 , 施嘉凯

IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/28 , H01L23/488 , H01L21/56 , H01L21/60

CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L23/562 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2224/85005 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/15162 , H01L2924/15174 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , Y10T428/192 , H01L2224/83 , H01L2224/81 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 一种半导体封装件及其制法与基板暨封装结构，该半导体封装件的制法，先藉由多个支撑组件叠放第二基板于第一基板上，且该第二基板具有至少一贯通的清理孔，再进行清理该支撑组件的作业，并利用该清理孔清理该第二基板与该第一基板之间的空间。

62.

发明授权
具有穿通电极的半导体封装及其制造方法有权

公开(公告)号：CN104253056B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201410290157.2

申请日：2014-06-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑显秀 , 金钟延 , 李仁荣 , 赵泰济

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/498 , H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/02016 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/16 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/50 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00012

摘要： 本发明提供具有穿通电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：形成包括堆叠在第二半导体芯片上的第一半导体芯片的晶片级封装；形成包括堆叠在第三半导体芯片上的第四半导体芯片的芯片级封装；在晶片级封装的第二半导体基板的后表面上堆叠多个芯片级封装，抛光晶片级封装的第一模层和第一半导体芯片以暴露第一半导体芯片的第一穿通电极，和在被抛光的第一半导体芯片上形成外部电极以分别连接到第一穿通电极。

63.

发明授权
3DIC互连装置和方法有权

公开(公告)号：CN104425453B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201310687197.6

申请日：2013-12-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 周世培 , 徐鸿文 , 苏庆忠 , 曹钧涵 , 林佳洁 , 蔡纾婷 , 卢玠甫 , 刘世昌 , 杜友伦 , 蔡嘉雄

IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768

CPC分类号： H01L27/14634 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76805 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L2225/06544 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种互连装置及其形成方法。将两个衬底（诸如晶圆、管芯、或晶圆和管芯）接合在一起。使用第一掩模形成部分地延伸至形成在第一晶圆上的互连件的第一开口。形成介电衬层，然后使用相同的掩模实施另一个蚀刻工艺。继续蚀刻工艺以暴露出形成在第一衬底和第二衬底上的互连件。用导电材料填充开口以形成导电插塞。本发明还公开了3DIC互连装置和方法。

64.

发明授权
芯片贴装机及贴装方法有权

公开(公告)号：CN105023862B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201510216721.0

申请日：2015-04-30

申请人： 捷进科技有限公司

发明人： 中野和男 , 中村幸治 , 金井昭司 , 田中深志

IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/58

CPC分类号： H01L24/75 , B23K3/087 , B23K37/04 , H01L21/6836 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2224/27003 , H01L2224/7501 , H01L2224/75252 , H01L2224/7565 , H01L2224/75745 , H01L2224/75753 , H01L2224/75822 , H01L2224/75824 , H01L2224/7598 , H01L2224/83132 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/27 , H01L2221/68304 , H01L21/78 , H01L2221/68381 , H01L2224/83 , H01L2224/27436

摘要： 本发明提供一种可靠性高的芯片贴装机和贴装方法，能够将芯片可靠地载置于中间载台并从中间载台可靠地拾取。本发明在供通过拾取头从芯片供给部拾取的芯片载置的中间载台的载置部上具有凹凸图案，该凹凸图案包括：具有与芯片的背面平齐地接触的接触面且以使芯片不会错位的方式维持芯片的多个载置维持凸部；和形成在载置维持凸部间的多个凹部。

65.

发明授权
具有穿基板通路的半导体装置有权

公开(公告)号：CN103187380B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201210593062.9

申请日：2012-12-31

申请人： 马克西姆综合产品公司

发明人： A·V·萨莫伊洛夫 , T·帕伦特 , L·Y·王

IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/6835 , H01L2221/68381 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/0508 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/11002 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81 , H01L2224/81191 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/181 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2224/11 , H01L2224/02 , H01L2224/03 , H01L2924/00

摘要： 半导体装置描述为包括仅部分地穿入基板延伸的通路。穿基板通路（TSV）向形成于基板中的电子器件提供电互连。在实施例中，通过首先用粘合材料将半导体晶圆粘合到载体晶圆来制造半导体装置。所述半导体晶圆包括布置在晶圆内（例如，在晶圆的第一表面和第二表面之间）的蚀刻阻止部。穿入晶圆形成一个或多个通路。所述通路从第二表面延伸到蚀刻阻止部。

66.

发明公开
半导体器件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN107546138A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710494979.6

申请日：2017-06-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 邵栋梁 , 萧义理 , 陈筱芸 , 董志航 , 余振华

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/11464 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13164 , H01L2224/13173 , H01L2224/16145 , H01L2224/1703 , H01L2224/17505 , H01L2224/211 , H01L2224/214 , H01L2224/2919 , H01L2224/73204 , H01L2224/73209 , H01L2224/73217 , H01L2224/756 , H01L2224/7598 , H01L2224/81001 , H01L2224/81007 , H01L2224/811 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/83104 , H01L2224/92124 , H01L2224/92125 , H01L2224/92144 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/06593 , H01L2924/00015 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2924/013 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07025 , H01L2224/19 , H01L2224/11

摘要： 公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造器件的方法包括通过间隔件将第一半导体器件连接至第二半导体器件。第一半导体器件具有在第一半导体器件上设置的第一接触焊盘并且第二半导体器件具有在第二半导体器件上设置的第二接触焊盘。该方法包括在第一半导体器件的第一接触焊盘和第二半导体器件的第二接触焊盘之间形成浸没互连件。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

67.

发明公开
半导体封装审中-实审

公开(公告)号：CN107527900A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710310125.8

申请日：2017-05-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 徐光仙 , 姜明成 , 金沅槿 , 朴辰遇 , 崔容元

IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/488

CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/33505 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/1403 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L25/18 , H01L2224/3303

摘要： 一种半导体封装包括衬底、堆叠在衬底上的多个半导体芯片以及接合到所述多个半导体芯片的下表面的多个接合层。所述多个接合层可以被分成根据到衬底的距离而各自具有不同物理性质的多个组。

68.

发明公开
集体制造配置成在高于1GHz下工作的3D电子组件的方法有权

公开(公告)号：CN107527895A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710479941.1

申请日：2017-06-22

申请人： 3D加公司

发明人： C·巴尔

IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/31

CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3135 , H01L24/06 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2225/1035 , H01L2924/142 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/18165 , H01L2924/3511 , H05K3/321 , H01L2924/00014 , H01L2224/32225 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L25/0657 , H01L23/31

摘要： 本发明的主题为一种集体制造配置成在高于1GHz下工作的3D电子组件的方法，每个3D电子组件包括在其工作温度和频率下经测试的至少两个表面可转移的球栅型电子封装的堆叠。所述方法包括：根据下述子步骤按照如下次序来制造重构晶片：将电子封装在球侧放置第一粘性表层上，在树脂中模塑电子封装并且进行树脂的聚合，以获得过渡晶片，在过渡晶片的与球相对的面上对过渡晶片进行减薄，去除第一粘性表层并且在与球相对侧将过渡晶片放置在第二粘性表层上，在球侧的面上对过渡晶片进行减薄，形成球侧的再分配层，去除第二粘性表层以得到厚度比电子封装的原始厚度更小的重构晶片，堆叠重构晶片，切割经堆叠的重构晶片。