公开(公告)号：CN105118788A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510438633.5

申请日：2012-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  吴文进 ,  施应庆 ,  洪瑞斌 ,  卢思维 ,  郑心圃 ,  余振华

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/52 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/14 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83

Abstract: 一种制造三维集成电路的方法，包括：提供晶圆叠层，其中，将多个半导体管芯安装在第一半导体管芯上方；将模塑料层形成在第一半导体管芯的第一面上方，其中，将多个半导体管芯内嵌在模塑料层中。方法进一步包括：研磨第一半导体管芯的第二面直到暴露多个通孔；将晶圆附接至带框并切割晶圆叠层，从而将晶圆叠层分成多个独立封装件。

公开(公告)号：CN103227163B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210245069.1

申请日：2012-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  黄震麟

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/81911 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种形成凸块结构的机制，能够形成芯片和衬底之间的凸块结构，以消除或减小焊料短路、助焊剂残留物及底部填充物空隙的风险。通过接合凸块结构中的铜柱的总高度除以接合凸块结构的间隔来定义α比率，可以建立α比率的下限以避免短路。也可以建立芯片封装件的间隔的下限以避免助焊剂残留物和底部填充物空隙形成。而且，铜柱凸块的纵横比具有下限，以避免间隔不足；以及上限，由于制造工艺限制。通过遵循适当的凸块设计和工艺准则，芯片封装件的产量和可靠性可能增加。本发明还提供了最小化封装件缺陷的凸块结构设计。

公开(公告)号：CN102800601B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210010818.2

申请日：2012-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈孟泽 ,  林威宏 ,  吴胜郁 ,  林俊成 ,  黄贵伟 ,  蔡钰芃 ,  林志伟 ,  吕文雄 ,  林修任 ,  张博平 ,  郑明达 ,  刘重希

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L21/565 ,  H01L21/566 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种封装方法包括在离型膜上方布置封装部件，其中，该封装部件的表面上的焊球与该离型膜物理接触。然后，对填充在离型膜和封装部件之间的模塑料进行固化，其中，在该固化步骤中焊球仍与离型膜保持物理接触。本发明还公开了一种用于涂敷模塑料的层叠封装工艺。

公开(公告)号：CN102969305B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201210187476.1

申请日：2012-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  卢思维 ,  施应庆 ,  王英达 ,  郭立中 ,  李隆华 ,  郑心圃 ,  余振华

IPC: H01L25/00

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一个实施例是一种包括了衬底、第一管芯、以及第二管芯的结构。该衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。该衬底具有从第一表面向第二表面延伸的衬底通孔。第一管芯与衬底相接合，并且第一管芯与衬底的第一表面相连接。第二管芯与衬底相接合，并且第二管芯与衬底的第一表面相连接。第一管芯的第一边缘和第二管芯的第一边缘之间具有第一距离，并且该第一距离在与衬底的第一表面平行的方向上。第一距离等于或小于200微米。本发明还提供了一种用于半导体结构的管芯对管芯间隙控制及其方法。

公开(公告)号：CN104795371A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410827179.8

申请日：2014-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施婉婷 ,  刘乃玮 ,  林俊成 ,  黄震麟

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/04 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02317 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明提供了一种封装件，其中的一个实施例是包括模塑料的封装件，模塑料横向包封具有接触焊盘的芯片。第一介电层形成在模塑料和芯片上面，并且具有暴露接触焊盘的第一开口。第一金属化层形成在第一介电层上面，其中，第一金属化层填充第一开口。第二介电层形成在第一金属化层和第一介电层上面，并且具有位于第一开口上方的第二开口。第二金属化层形成在第二介电层上面并且形成在第二开口中。本发明还提供了一种制造封装件的方法。

公开(公告)号：CN104752236A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410385450.7

申请日：2014-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄文浚 ,  李建成 ,  刘国洲 ,  薛瑞云 ,  郑锡圭 ,  林志贤 ,  林俊成 ,  陆湘台 ,  谢子逸

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/145 ,  H01L23/147 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/60 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本公开的实施例包括半导体封装件及其形成方法。一个实施例是一种方法，包括：将管芯安装到衬底的顶面以形成器件；将管芯和衬底的顶面封装在模塑料中，模塑料在管芯之上具有第一厚度；以及去除管芯之上的模塑料的部分但非所有厚度。该方法还包括对器件执行进一步处理并且去除管芯之上的模塑料的剩余厚度。

公开(公告)号：CN102254897B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201010294952.0

申请日：2010-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林咏淇 ,  林俊成 ,  余振华

IPC: H01L23/528

CPC classification number: H01L21/4857 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/768 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种封装系统，包括设置在中介层之上的第一集成电路。该中介层包括至少一个模制化合物层，其包括通过该至少一个模制化合物层的多个电连接结构。第一互连结构设置在该至少一个模制化合物层的第一表面之上并与多个电连接结构电连接。第一集成电路与第一互连结构电连接。

公开(公告)号：CN102867783B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201110344851.4

申请日：2011-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王忠裕 ,  叶宫辰 ,  吴志伟 ,  卢思维 ,  林俊成

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L23/58 ,  H01L21/486 ,  H01L21/673 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用于在晶圆插入件上实施切割管芯的方法和装置。公开了方法，包括：接收包括一个或多个集成电路管芯的插入组件，该一个或多个集成电路管芯被安装在插入衬底的管芯侧面上，并且具有限定在集成电路管芯之间的空间中的划线区域，该插入件具有用于接收外部连接件的相对侧面；将插入组件的管芯侧面安装在胶带组件上，胶带组件包括胶带和预成形隔离件，该预成形隔离件位于集成电路管芯之间并且填充集成电路管芯之间的间隙；通过在划线区域中切割插入件的相对侧面切割插入组件，从而使切口穿过插入件，这些切口将插入件分离为位于晶圆组件上的一个或多个管芯。公开了该方法使用的装置。

公开(公告)号：CN102347312B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201110139903.4

申请日：2011-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦甫 ,  林俊成 ,  邱文智 ,  郑心圃 ,  余振华

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，具体是一种测定底胶扩展的系统和方法。该方法包括顺应着一基底的一上表面形成遮覆标记；将一半导体基底贴合至基底的上表面；将底胶材料置入半导体基底与基底之间；以及利用遮覆标记来测定基底的上表面上方的底胶扩展。另外，也可在半导体基底的上表面形成遮覆标记，且位于基底上与半导体基底上的对准标记可在基底与半导体基底的对准期间，一同作为对准标记。本发明通过在基底上形成遮覆标记，有助于防止底胶材料占用比所需的基底面积更多的面积，且有助于将半导体装置的尺寸越缩越小；另外，通过使用遮覆标记作为半导体基底与基底之间的对准标记，也可让操作者在进行目视对准时降低误对准。

公开(公告)号：CN102237338B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201010262561.0

申请日：2010-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  杨固峰

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种具有改进连接的基板通孔包括基板以及基板上方的多个电介质层。在多个电介质层中形成多个金属化层，其中，多个金属化层中的至少一个包括金属焊盘。基板通孔(TSV)从多个电介质层的最上层延伸到基板的底面。深传导通孔从多个电介质层的最上层延伸落到金属焊盘上。金属线形成在多个电介质层的最上层之上，并使TSV和深传导通孔互连。