-
公开(公告)号:CN1812083A
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:CN200610005710.9
申请日:2006-01-06
申请人: 株式会社瑞萨科技
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/52 , B23K35/22 , B23K35/26
CPC分类号: H01L23/3735 , H01L23/3107 , H01L23/3677 , H01L23/4334 , H01L23/49537 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/06 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/743 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/0603 , H01L2224/29 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29294 , H01L2224/29298 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/743 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/83192 , H01L2224/83206 , H01L2224/83385 , H01L2224/83801 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01073 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/01039 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01031 , H01L2924/01012 , H01L2924/01032 , H01L2924/01026 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
摘要: 本发明的课题是在管芯键合中可使用无铅焊锡。在半导体芯片1与Cu合金制的键和焊盘4之间配置应力缓冲板8,通过用以固相温度大于等于270℃且液相温度小于等于400℃的Sn-Sb-Ag-Cu为主要构成元素的无铅焊锡的接合材料10、9接合半导体芯片1与应力缓冲板8和应力缓冲板8与键和焊盘4,可使用无铅焊锡进行管芯键合而不发生芯片裂纹。
-
公开(公告)号:CN106413945B
公开(公告)日:2018-05-18
申请号:CN201580022549.3
申请日:2015-04-20
申请人: 贺利氏德国有限两合公司
发明人: J.纳赫赖纳
CPC分类号: H01L24/83 , B22F1/0055 , B22F1/0062 , B22F7/08 , B22F2001/0066 , H01B1/023 , H01B1/026 , H01B1/22 , H01L24/29 , H01L2224/29124 , H01L2224/29138 , H01L2224/29163 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/8384 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及金属糊料,其含有(A)75至90重量%的以包含涂层的粒子形式存在的至少一种金属,所述涂层含有至少一种有机化合物,(B)0至12重量%的至少一种金属前体,(C)6至20重量%的至少两种有机溶剂的混合物,和(D)0至10重量%的至少一种烧结助剂,其特征在于溶剂混合物(C)的30至60重量%由至少一种除在倒数第二个C原子上的甲基取代外未被取代的具有16‑20个C原子的1‑羟基烷烃构成。
-
公开(公告)号:CN104576314B
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201410524598.4
申请日:2014-10-08
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
发明人: S·R·耶杜拉 , K·H·加瑟 , S·韦勒特 , K·迈尔 , F·J·桑托斯罗德里奎兹
CPC分类号: H01L23/562 , H01L21/288 , H01L21/4814 , H01L21/6835 , H01L23/49838 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/04026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05687 , H01L2224/27002 , H01L2224/27005 , H01L2224/2732 , H01L2224/2747 , H01L2224/29011 , H01L2224/29014 , H01L2224/29021 , H01L2224/29023 , H01L2224/29035 , H01L2224/29036 , H01L2224/29111 , H01L2224/29147 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29393 , H01L2224/32245 , H01L2224/94 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01015 , H01L2924/04941 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05124 , H01L2224/05187 , H01L2924/0665 , H01L2924/01006 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2224/27 , H01L2924/0781 , H01L2924/07802
摘要: 本发明提供用于处理晶片的方法和晶片结构。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括:从晶片的内部部分去除晶片材料,以在所述晶片的边缘区形成至少部分地包围所述晶片的内部部分的结构;以及使用所述结构作为印刷掩模,将材料印刷到所述晶片的内部部分中。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括:提供托架和晶片,所述晶片具有第一面和与所述第一面相对的第二面,其中所述晶片的所述第一面附着于所述托架,所述第二面具有位于所述晶片的边缘区的结构,所述结构至少部分地包围所述晶片的内部部分;以及,将材料印刷到所述晶片的所述第二面的至少一部分上。
-
公开(公告)号:CN107262958A
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201710589627.9
申请日:2014-09-05
申请人: 株式会社东芝
IPC分类号: B23K35/26 , B23K35/28 , B23K35/30 , B23K35/32 , B23K35/36 , B23K35/362 , B23K35/24 , B22F1/00 , C22C1/04 , H01L23/373 , H01L21/48 , H01L23/488
CPC分类号: B23K35/025 , B22F1/0003 , B22F1/0018 , B22F1/0074 , B22F2999/00 , B23K35/24 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K35/282 , B23K35/286 , B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K35/32 , B23K35/322 , B23K35/325 , B23K35/3601 , B23K35/362 , C22C1/0491 , C22C5/06 , H01L21/4867 , H01L23/3737 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/0381 , H01L2224/04026 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2732 , H01L2224/2741 , H01L2224/2744 , H01L2224/29006 , H01L2224/29294 , H01L2224/29313 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2936 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/29371 , H01L2224/29372 , H01L2224/29373 , H01L2224/29376 , H01L2224/29378 , H01L2224/2938 , H01L2224/2949 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/325 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/83075 , H01L2224/83192 , H01L2224/832 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/8322 , H01L2224/83411 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2224/83469 , H01L2224/8384 , H01L2924/01102 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1067 , H01L2924/12044 , H01L2924/15787 , H01L2924/0543 , H01L2924/01031 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , B22F1/0022
摘要: 本发明提供了包含极性溶剂、分散在所述极性溶剂中且包含第一金属的粒子、和溶解在所述极性溶剂中且与所述第一金属不同的第二金属的金属粒子膏糊,所述极性溶剂选自由醇、二醇醚、酯、氨基化合物、脂肪族烃、和芳香族烃组成的组中,所述第二金属以有机金属化合物或盐的形式添加。本发明还提供了使用了该金属粒子膏糊的固化物及半导体装置。
-
公开(公告)号:CN104205301B
公开(公告)日:2017-10-10
申请号:CN201280071499.4
申请日:2012-08-17
申请人: 富士电机株式会社
IPC分类号: H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/603 , H01L29/78
CPC分类号: H01L24/33 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L2224/0346 , H01L2224/04026 , H01L2224/05023 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/27332 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/32238 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/33505 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48229 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/83205 , H01L2924/00
摘要: 本发明中,在成为半导体元件的正面电极的导电部(1)的表面对以铜为主要成分的第1金属膜(2)进行成膜。在第1金属膜(2)的表面对以银为主要成分的第2金属膜(3)进行成膜。在第2金属膜(3)的表面,经由含有银粒子的接合层(4)接合有金属板(5),该金属板(5)用于电连接导电部(1)与其他构件(例如绝缘基板(23)的电路图案(24))。在第2金属膜(3)中不包含会使第2金属膜(3)与含有银粒子的接合层(4)的接合强度下降的镍。由此,能够提供具有较高的接合强度及优异的耐热性和散热性的电子元器件(10)以及电子元器件(10)的制造方法。
-
公开(公告)号:CN102470472B
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201080032990.7
申请日:2010-07-21
申请人: 贺利氏材料工艺有限责任两合公司
CPC分类号: B23K1/0016 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K35/362 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29347 , H01L2224/29499 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2224/83948 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/20751 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及用于电子部件与基板的材料锁合连接的方法,此方法包括a)提供具有要连接的第一表面的电子部件和具有要连接的第二表面的基板,b)将焊膏施加到至少一个所述要连接的表面上,c)布置该电子部件和基板以使要连接的第一电子部件表面和要连接的第二基板表面通过焊膏接触,和d)焊接来自c)的布置以产生电子部件与基板之间的材料锁合连接,其特征在于,该焊膏含有(i)10‑30重量%铜粒子,(ii)60‑80重量%至少一种选自锡和锡‑铜合金的材料的粒子,和(iii)3‑30重量%助焊剂,其中该铜粒子和至少一种选自锡和锡‑铜合金的材料的粒子的平均粒径不大于15微米,且其中所施加的焊膏层的厚度为至少20微米。
-
公开(公告)号:CN106463415A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580031872.7
申请日:2015-03-31
申请人: 新电元工业株式会社
IPC分类号: H01L21/52
CPC分类号: H01L21/52 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/753 , H01L2224/75314 , H01L2224/7565 , H01L2224/75704 , H01L2224/75754 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/8384 , H01L2224/83986 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要: 一种制造具有通过金属粒子浆将基板与电子部件接合的构造的接合体的接合体的制造方法,包括:组合体形成工序,形成将电子部件通过所述金属粒子浆载置在基板上的组合体;组合体配置工序,在互相相对配置的两片加热板之间配置组合体;以及接合工序,通过使两片加热板中的至少一片朝另一片移动,从而对组合体加压并加热后将基板与电子部件接合,其中,以通过两片加热板开始对组合体加压时的组合体的温度在0℃~150℃的范围内为条件实施接合工序。根据本发明的接合体的制造方法,由于是以加压开始时的组合体的温度在0℃~150℃的范围内为条件来实施接合工序的,因此在接合工序中,在对组合体进行加压前金属粒子浆就不易引发烧结反应,其结果就是,能够以比以往更高的接合力将基板与电子部件接合。
-
公开(公告)号:CN104139249B
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201410194323.9
申请日:2014-05-09
申请人: LG伊诺特有限公司
发明人: 黄德起
IPC分类号: B23K35/24 , B23K35/363
CPC分类号: B23K35/025 , B22F1/0003 , B22F1/025 , B22F2998/10 , B23K1/0016 , B23K35/0244 , B23K35/24 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K35/36 , B23K35/3612 , C22C1/0425 , C22C1/0483 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/06102 , H01L2224/27442 , H01L2224/27849 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29347 , H01L2224/29439 , H01L2224/32058 , H01L2224/32245 , H01L2224/83801 , H01L2924/01322 , H05K3/3463 , H05K3/3484 , H05K2201/0272 , H01L2924/00 , B22F9/04 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
摘要: 本发明的实施方案涉及焊膏,其包含熔剂和与熔剂混合的粉末,所述粉末包含彼此混合的第一粉末和第二粉末。第一粉末包含锡(Sn)和溶于锡(Sn)中的至少一种金属,并且第二粉末包含其表面涂覆有银(Ag)的铜(Cu)粉。
-
公开(公告)号:CN103918076B
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201380003722.6
申请日:2013-10-25
申请人: 日本精工株式会社
CPC分类号: H05K1/09 , H01L23/142 , H01L23/3735 , H01L23/49582 , H01L23/49811 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/35 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/92 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32227 , H01L2224/32238 , H01L2224/33181 , H01L2224/352 , H01L2224/35847 , H01L2224/3701 , H01L2224/37013 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40227 , H01L2224/40475 , H01L2224/40499 , H01L2224/4103 , H01L2224/4112 , H01L2224/48 , H01L2224/73263 , H01L2224/77272 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84424 , H01L2224/84447 , H01L2224/84801 , H01L2224/84815 , H01L2224/85 , H01L2224/9221 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H05K1/0271 , H05K1/05 , H05K1/181 , H05K3/3431 , H05K2201/10166 , H05K2201/1028 , H05K2201/1031 , H05K2201/10409 , H05K2201/10946 , H05K2201/10962 , Y02P70/611 , Y02P70/613 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/84 , H01L2224/33 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 半导体模块(30)具有通过焊锡(34b、34c)使形成于晶体管裸芯片(35)的上表面的电极(S、G)和多个布线图案(33a~33d)中的布线图案(33b、33c)接合的铜连接器(36a、36b)。铜连接器(36bb)具有与晶体管裸芯片(35)的电极(G)接合的电极接合部(36bb)和与电极接合部(36bb)以相对置的方式而配置的、与布线图案(33c)接合的基板接合部(36bc)。电极接合部(36bb)的与单向正交的方向上的宽度W1比基板接合部(36bb)的与单向正交的方向上的宽度W2窄。
-
公开(公告)号:CN104245203B
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201380012347.1
申请日:2013-02-08
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: B23K1/00 , C22C9/01 , C22C13/00 , C22C13/02 , B23K1/19 , H01L21/52 , H01L21/60 , H05K3/34 , B23K35/26 , B23K101/40 , C22C9/00
CPC分类号: B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/19 , B23K35/0216 , B23K35/0233 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/0266 , B23K35/222 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K2101/42 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/04 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05647 , H01L2224/2732 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32227 , H01L2224/32507 , H01L2224/83101 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2224/8382 , H01L2924/01322 , H01R4/02 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K13/0465 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01049 , H01L2924/0103 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种在确保充分的接合强度的同时将第1金属部件和第2金属部件接合且能抑制、防止温阶连接的再回流焊等阶段中的接合材料流出的接合方法等。在将由第1金属构成的第1金属部件(11a)和由第2金属构成的第2金属部件(11b)介由含有比第1和/或第2金属熔点低的低熔点金属的接合材料(10)进行接合时,使构成接合材料的低熔点金属为Sn或含Sn合金,第1和第2金属中的至少一方为会与构成接合材料的低熔点金属之间生成金属间化合物12的金属或合金,在将接合材料配置在第1金属部件和第2金属部件之间的状态下,在上述低熔点金属熔融的温度下进行热处理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-