公开(公告)号：US09275877B2

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：US13236952

申请日：2011-09-20

申请人： Yaojian Lin ,  Rui Huang ,  Heap Hoe Kuan ,  Seng Guan Chow

发明人： Yaojian Lin ,  Rui Huang ,  Heap Hoe Kuan ,  Seng Guan Chow

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L21/683 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/562 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/82385 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device has a first insulating layer formed over a carrier. A first conductive layer is formed over the first insulating layer. A second insulating layer is formed over the first conductive layer. Vias are formed through the second insulating layer. A second conductive layer is formed over the second insulating layer and extends into the vias. A semiconductor die is mounted to the second conductive layer. A bond wire is formed between a contact pad on the semiconductor die and the second conductive layer. The second conductive layer extends to a mounting site of the semiconductor die to minimize the bond wire span. An encapsulant is deposited over the semiconductor die. A portion of the first insulating layer is removed to expose the second conductive layer. A portion of the first conductive layer is removed to electrically isolate remaining portions of the first conductive layer.

摘要翻译： 半导体器件具有形成在载体上的第一绝缘层。 在第一绝缘层上形成第一导电层。 在第一导电层上形成第二绝缘层。 通过第二绝缘层形成通孔。 第二导电层形成在第二绝缘层上并延伸到通孔中。 半导体管芯安装到第二导电层。 在半导体管芯上的接触焊盘和第二导电层之间形成接合线。 第二导电层延伸到半导体管芯的安装位置，以使接合线跨距最小化。 密封剂沉积在半导体管芯上。 去除第一绝缘层的一部分以露出第二导电层。 去除第一导电层的一部分以电隔离第一导电层的剩余部分。

公开(公告)号：US09269598B2

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：US13569105

申请日：2012-08-07

申请人： Yaojian Lin ,  Jianmin Fang ,  Kang Chen ,  Haijing Cao

发明人： Yaojian Lin ,  Jianmin Fang ,  Kang Chen ,  Haijing Cao

IPC分类号： H01L27/08 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L25/16 ,  H01L25/00 ,  H01L25/03 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/03 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A semiconductor device has a first conductive layer formed over a sacrificial substrate. A first integrated passive device (IPD) is formed in a first region over the first conductive layer. A conductive pillar is formed over the first conductive layer. A high-resistivity encapsulant greater than 1.0 kohm-cm is formed over the first IPD to a top surface of the conductive pillar. A second IPD is formed over the encapsulant. The first encapsulant has a thickness of at least 50 micrometers to vertically separate the first and second IPDs. An insulating layer is formed over the second IPD. The sacrificial substrate is removed and a second semiconductor die is disposed on the first conductive layer. A first semiconductor die is formed in a second region over the substrate. A second encapsulant is formed over the second semiconductor die and a thermally conductive layer is formed over the second encapsulant.

摘要翻译： 半导体器件具有形成在牺牲衬底上的第一导电层。 第一集成无源器件（IPD）形成在第一导电层上的第一区域中。 在第一导电层上形成导电柱。 在第一IPD上形成大于1.0kohm-cm的高电阻率密封剂到导电柱的顶表面。 在密封剂上形成第二个IPD。 第一密封剂具有至少50微米的厚度以垂直分离第一和第二IPD。 绝缘层形成在第二IPD上。 去除牺牲基板，在第一导电层上设置第二半导体管芯。 第一半导体管芯形成在衬底上的第二区域中。 在第二半导体管芯上形成第二密封剂，并且在第二密封剂上形成导热层。

公开(公告)号：US09252066B2

公开(公告)日：2016-02-02

申请号：US13207633

申请日：2011-08-11

申请人： Il Kwon Shim ,  Yaojian Lin ,  Seng Guan Chow

发明人： Il Kwon Shim ,  Yaojian Lin ,  Seng Guan Chow

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L25/10 ,  H01L25/16 ,  H05K1/18 ,  H05K3/46

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/50 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/14 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/185 ,  H05K1/186 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device has a protective layer formed over an active surface of a semiconductor wafer. The semiconductor die with pre-applied protective layer are moved from the semiconductor wafer and mounted on a carrier. The semiconductor die and contact pads on the carrier are encapsulated. The carrier is removed. A first insulating layer is formed over the pre-applied protective layer and contact pads. Vias are formed in the first insulating layer and pre-applied protective layer to expose interconnect sites on the semiconductor die. An interconnect structure is formed over the first insulating layer in electrical contact with the interconnect sites on the semiconductor die and contact pads. The interconnect structure has a redistribution layer formed on the first insulating layer, a second insulating layer formed on the redistribution layer, and an under bump metallization layer formed over the second dielectric in electrical contact with the redistribution layer.

摘要翻译： 半导体器件具有形成在半导体晶片的有源表面上的保护层。 具有预先施加的保护层的半导体管芯从半导体晶片移动并安装在载体上。 载体上的半导体管芯和接触焊盘被封装。 载体被移除。 在预先施加的保护层和接触垫上形成第一绝缘层。 在第一绝缘层和预先施加的保护层中形成通孔以暴露半导体管芯上的互连部位。 在第一绝缘层上形成互连结构，与半导体管芯和接触焊盘上的互连部位电接触。 互连结构具有形成在第一绝缘层上的再分布层，形成在再分配层上的第二绝缘层和形成在与再分布层电接触的第二电介质上的凸块下金属化层。

公开(公告)号：US09123733B1

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US13844160

申请日：2013-03-15

申请人： Rui Huang ,  Heap Hoe Kuan ,  Yaojian Lin ,  Seng Guan Chow

发明人： Rui Huang ,  Heap Hoe Kuan ,  Yaojian Lin ,  Seng Guan Chow

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A method of manufacture of an integrated circuit packaging system includes: providing a sacrificial carrier assembly having a stack interconnector thereover; mounting an integrated circuit having a connector over the sacrificial carrier assembly with the connector over the stack interconnector; dispensing an underfill material between the sacrificial carrier assembly and the integrated circuit with the underfill material substantially free of a void; encapsulating the integrated circuit over the sacrificial carrier assembly and the underfill material; exposing the stack interconnector by removing the sacrificial carrier assembly; and forming a base array over the underfill material and the stack interconnector.

摘要翻译： 一种制造集成电路封装系统的方法包括：提供具有堆叠互连器的牺牲载体组件; 将具有连接器的集成电路安装在所述牺牲载体组件上，所述连接器穿过所述堆叠互连器; 在牺牲载体组件和集成电路之间将底部填充材料分配到基本上没有空隙的底部填充材料; 将集成电路封装在牺牲载体组件和底部填充材料上; 通过去除牺牲载体组件暴露堆叠互连器; 并在底部填充材料和堆叠互连器之上形成基底阵列。

公开(公告)号：US09006888B2

公开(公告)日：2015-04-14

申请号：US13248312

申请日：2011-09-29

申请人： Il Kwon Shim ,  Seng Guan Chow ,  Yaojian Lin

发明人： Il Kwon Shim ,  Seng Guan Chow ,  Yaojian Lin

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L25/10 ,  H01L23/66

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/66 ,  H01L24/19 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device is made by forming a first conductive layer over a sacrificial carrier. A conductive pillar is formed over the first conductive layer. An active surface of a semiconductor die is mounted to the carrier. An encapsulant is deposited over the semiconductor die and around the conductive pillar. The carrier and adhesive layer are removed. A stress relief insulating layer is formed over the active surface of the semiconductor die and a first surface of the encapsulant. The stress relief insulating layer has a first thickness over the semiconductor die and a second thickness less than the first thickness over the encapsulant. A first interconnect structure is formed over the stress relief insulating layer. A second interconnect structure is formed over a second surface of encapsulant opposite the first interconnect structure. The first and second interconnect structures are electrically connected through the conductive pillar.

摘要翻译： 通过在牺牲载体上形成第一导电层来制造半导体器件。 在第一导电层上形成导电柱。 半导体管芯的有源表面安装在载体上。 密封剂沉积在半导体管芯上方并围绕导电柱。 去除载体和粘合剂层。 在半导体管芯的有源表面和密封剂的第一表面上形成应力消除绝缘层。 应力消除绝缘层在半导体管芯上方具有第一厚度，并且第二厚度小于密封剂上的第一厚度。 在应力释放绝缘层上形成第一互连结构。 在与第一互连结构相对的密封剂的第二表面上形成第二互连结构。 第一和第二互连结构通过导电柱电连接。

公开(公告)号：US08951904B2

公开(公告)日：2015-02-10

申请号：US13456145

申请日：2012-04-25

申请人： Yaojian Lin ,  Pandi Chelvam Marimuthu

发明人： Yaojian Lin ,  Pandi Chelvam Marimuthu

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/525 ,  H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/525 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： An integrated circuit package system including: providing an integrated circuit die, forming a first layer over the integrated circuit die, forming a bridge on and in the first layer, forming a second layer on the first layer, and forming bump pads on and in the second layer, the bump pads connected to ends of the bridge.

摘要翻译： 一种集成电路封装系统，包括：提供集成电路管芯，在所述集成电路管芯上形成第一层，在所述第一层上并在所述第一层中形成桥，在所述第一层上形成第二层，以及在所述第一层上形成凸块 第二层，凸块连接到桥的端部。

公开(公告)号：US08916452B2

公开(公告)日：2014-12-23

申请号：US12612938

申请日：2009-11-05

申请人： Reza A. Pagaila ,  Yaojian Lin

发明人： Reza A. Pagaila ,  Yaojian Lin

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L23/433 ,  H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56 ,  H01L23/552 ,  H01L21/683 ,  H01L23/31 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L23/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L23/564 ,  H01L24/19 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor wafer contains semiconductor die separated by saw streets. The semiconductor wafer is singulated through a portion of the saw streets to form wafer sections each having multiple semiconductor die per wafer section attached by uncut saw streets. Each wafer section has at least two semiconductor die. The wafer sections are mounted over a temporary carrier in a grid pattern to reserve an interconnect area between the wafer sections. An encapsulant is deposited over the wafer sections and interconnect area. A conductive pillar can be formed in the encapsulant over the interconnect area. An interconnect structure is formed over the wafer sections and encapsulant in the interconnect area. The wafer sections and interconnect area are singulated to separate the semiconductor die each with a portion of the interconnect area. A heat sink or shielding layer can be formed over the wafer sections.

摘要翻译： 半导体晶片包含由锯条隔开的半导体管芯。 半导体晶片通过锯条的一部分被切割，以形成晶片部分，每个晶片部分具有通过未切割的锯道连接的每个晶片部分的多个半导体管芯。 每个晶片部分具有至少两个半导体管芯。 晶片部分以栅格图形安装在临时载体上，以在晶片部分之间保留互连区域。 密封剂沉积在晶片部分和互连区域上。 导电柱可以在密封剂中形成在互连区域上。 在晶片部分和互连区域中的密封剂之间形成互连结构。 将晶片部分和互连区域分开以将半导体管芯分别与一部分互连区域分开。 可以在晶片部分上形成散热器或屏蔽层。

公开(公告)号：US20140252631A9

公开(公告)日：2014-09-11

申请号：US12794598

申请日：2010-06-04

申请人： Reza A. Pagaila ,  Yaojian Lin ,  Jun Mo Koo

发明人： Reza A. Pagaila ,  Yaojian Lin ,  Jun Mo Koo

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/48 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor wafer contains a plurality of semiconductor die each having a plurality of contact pads. A sacrificial adhesive is deposited over the contact pads. Alternatively, the sacrificial adhesive is deposited over the carrier. An underfill material can be formed between the contact pads. The semiconductor wafer is singulated to separate the semiconductor die. The semiconductor die is mounted to a temporary carrier such that the sacrificial adhesive is disposed between the contact pads and temporary carrier. An encapsulant is deposited over the semiconductor die and carrier. The carrier and sacrificial adhesive is removed to leave a via over the contact pads. An interconnect structure is formed over the encapsulant. The interconnect structure includes a conductive layer which extends into the via for electrical connection to the contact pads. The semiconductor die is offset from the interconnect structure by a height of the sacrificial adhesive.

摘要翻译： 半导体晶片包含多个具有多个接触焊盘的半导体管芯。 牺牲粘合剂沉积在接触垫上。 或者，牺牲粘合剂沉积在载体上。 可以在接触垫之间形成底部填充材料。 单个半导体晶片以分离半导体管芯。 将半导体管芯安装到临时载体上，使得牺牲粘合剂设置在接触垫和临时载体之间。 密封剂沉积在半导体管芯和载体上。 去除载体和牺牲粘合剂以在接触垫上留下通孔。 在密封剂上形成互连结构。 互连结构包括延伸到通孔中以与接触焊盘电连接的导电层。 半导体管芯通过牺牲粘合剂的高度与互连结构偏移。

公开(公告)号：US08791006B2

公开(公告)日：2014-07-29

申请号：US12726880

申请日：2010-03-18

申请人： Yaojian Lin

发明人： Yaojian Lin

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/528 ,  H01L24/73 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device has a first insulating layer formed over a first surface of a polymer matrix composite substrate. A first conductive layer is formed over the first insulating layer. A second insulating layer is formed over the first insulating layer and first conductive layer. A second conductive layer is formed over the second insulating layer and first conductive layer. The second conductive layer is wound to exhibit inductive properties. A third conductive layer is formed between the first conductive layer and second conductive layer. A third insulating layer is formed over the second insulating layer and second conductive layer. A bump is formed over the second conductive layer. A fourth insulating layer can be formed over a second surface of the polymer matrix composite substrate. Alternatively, the fourth insulating layer can be formed over the first insulating layer prior to forming the first conductive layer.

摘要翻译： 半导体器件具有形成在聚合物基质复合衬底的第一表面上的第一绝缘层。 在第一绝缘层上形成第一导电层。 在第一绝缘层和第一导电层上形成第二绝缘层。 在第二绝缘层和第一导电层上形成第二导电层。 第二导电层被卷绕以表现出感应特性。 在第一导电层和第二导电层之间形成第三导电层。 在第二绝缘层和第二导电层上形成第三绝缘层。 在第二导电层上形成凸块。 可以在聚合物基质复合衬底的第二表面上形成第四绝缘层。 或者，可以在形成第一导电层之前，在第一绝缘层上形成第四绝缘层。

公开(公告)号：US20130341784A1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：US13529918

申请日：2012-06-21

申请人： Yaojian Lin ,  Kang Chen

发明人： Yaojian Lin ,  Kang Chen

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/2401 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82104 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2924/01005

摘要： A semiconductor device includes a ball grid array (BGA) package including first bumps. A first semiconductor die is mounted to the BGA package between the first bumps. The BGA package and first semiconductor die are mounted to a carrier. A first encapsulant is deposited over the carrier and around the BGA package and first semiconductor die. The carrier is removed to expose the first bumps and first semiconductor die. An interconnect structure is electrically connected to the first bumps and first semiconductor die. The BGA package further includes a substrate and a second semiconductor die mounted, and electrically connected, to the substrate. A second encapsulant is deposited over the second semiconductor die and substrate. The first bumps are formed over the substrate opposite the second semiconductor die. A warpage balance layer is formed over the BGA package.

摘要翻译： 半导体器件包括包括第一凸点的球栅阵列（BGA）封装。 第一半导体管芯安装到第一凸块之间的BGA封装。 BGA封装和第一半导体管芯安装在载体上。 第一密封剂沉积在载体上并且围绕BGA封装和第一半导体管芯。 移除载体以暴露第一凸块和第一半导体管芯。 互连结构电连接到第一凸块和第一半导体管芯。 BGA封装还包括基板和安装并电连接到基板的第二半导体管芯。 第二密封剂沉积在第二半导体管芯和衬底上。 第一凸起形成在与第二半导体管芯相对的衬底上。 在BGA封装上形成翘曲平衡层。