公开(公告)号：WO2014156921A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/JP2014/057671

申请日：2014-03-20

申请人： ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル ,  宇佐美 宣丞

发明人： 宇佐美　宣丞

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H05K1/0271 ,  H01L21/561 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/2009 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 　本発明の課題は、半導体チップを積層した場合でも、反りを抑制可能な構造の半導体装置を提供することにある。本発明の半導体装置２００は、配線基板２０１と、配線基板２０１の一方の面上に搭載された第１半導体チップ２０３と、第１半導体チップ２０３の一部の面が露出して露出面２１０ａ、２１０ｂを構成するように、第１半導体チップ２０３上に積層された第２半導体チップ２０５と、露出面２１０ａ、２１０ｂ上に搭載された反り調整部材としてのシリコン基板２１１ａ、２１１ｂと、第１半導体チップ２０３、第２半導体チップ２０５、シリコン基板２１１ａ、２１１ｂを覆うように、配線基板２０１上に形成された封止体２２０を有している。

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种即使在层叠半导体芯片的情况下也能够抑制翘曲的结构的半导体装置。 根据本发明的半导体器件（200）包括：布线基板（201）; 第一半导体芯片（203），其安装在所述布线基板（201）的一个表面上; 层叠在所述第一半导体芯片（203）上以形成所述第一半导体芯片（203）的表面部分露出的露出面（210a，210b）的第二半导体芯片（205） 硅基板（211a，211b），其安装在所述露出面（210a，210b）上并用作翘曲控制构件; 以及形成在所述布线基板（201）上以覆盖所述第一半导体芯片（203），所述第二半导体芯片（205）和所述硅基板（211a，211b）的封装体（220）。

公开(公告)号：WO2014156883A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/JP2014/057537

申请日：2014-03-19

申请人： 日東電工株式会社

发明人： 盛田　浩介 ,  高本　尚英

IPC分类号： H01L21/60 ,  B32B7/04 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/83 ,  B32B5/02 ,  B32B5/24 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B9/005 ,  B32B9/04 ,  B32B9/045 ,  B32B15/04 ,  B32B15/08 ,  B32B23/08 ,  B32B27/08 ,  B32B27/10 ,  B32B27/12 ,  B32B27/16 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B27/281 ,  B32B27/283 ,  B32B27/286 ,  B32B27/304 ,  B32B27/306 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/322 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B27/38 ,  B32B27/40 ,  B32B29/002 ,  B32B29/005 ,  B32B29/02 ,  B32B29/06 ,  B32B2255/02 ,  B32B2255/06 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/12 ,  B32B2255/205 ,  B32B2262/101 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/514 ,  B32B2307/748 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/08 ,  H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2744 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/095

摘要： 　半導体素子や被着体の凹凸への良好な埋め込み性によりボイドの発生を抑制可能であるとともに、被着体への貼り付け前後を通じて作業性が良好な封止シート及びこれを用いる半導体装置の製造方法、並びに該封止シートを貼り合わせた基板を提供する。本発明の封止シートは、基材と、該基材上に設けられた以下の特性を有するアンダーフィル材とを備える。　前記基材からの９０°剥離力：１ｍＮ／２０ｍｍ以上５０ｍＮ／２０ｍｍ以下　２５℃における破断伸度：１０％以上　４０℃以上１００℃未満における最低粘度：２００００Ｐａ・ｓ以下　１００℃以上２００℃以下における最低粘度：１００Ｐａ・ｓ以上

摘要翻译： 提供：能够通过对被粘物或半导体元件的突起/凹部的良好的嵌入性而抑制空隙的发生的密封片，并且从粘贴到被粘物之前具有良好的可加工性; 一种使用密封片制造半导体器件的方法; 以及已经粘贴了密封片的基板。 密封片设置有设置在密封片上的基板和底部填充材料，具有以下特性：基板的90°剥离强度（含有1〜50mN / 20mm），25℃下的断裂伸长率 至少10％，在40℃以上且低于100℃的最低粘度不大于20,000Pa·s，100℃至200℃之间的最低粘度至少为100Pa·s 。

公开(公告)号：WO2014141399A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：PCT/JP2013/056925

申请日：2013-03-13

申请人： トヨタ自動車株式会社 ,  織本 憲宗 ,  今井 誠

发明人： 織本　憲宗 ,  今井　誠

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L23/3675 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32113 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83129 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 　本明細書は、半導体装置を開示する。その半導体装置は、平面視すると矩形状の半導体素子と、半導体素子が固定される被固定部材と、を備えている。半導体素子は、その矩形状の面を被固定部材の表面に向けて配置されている。半導体素子の矩形状の面は、一部において被固定部材の表面に固定されており、該矩形状の面の少なくとも角部は、被固定部材の表面に固定されていない。上記の半導体装置では、半導体装置の温度が変化した場合に熱応力が生じ易い半導体素子の角部と、被固定部材とが互いに固定されていない。これにより、半導体素子に生じる熱応力を低減することができる。また、半導体素子の角部と被固定部材とが互いに固定されない構成とするだけなので、半導体装置の体格の増大を抑制することができる。

摘要翻译： 公开了一种半导体器件。 该半导体器件包括在平面图中具有矩形形状的半导体元件和固定半导体元件的固定元件。 半导体元件被设置为使得其矩形表面面向固定构件的表面。 半导体元件的矩形表面的一部分固定在固定构件的表面上，矩形表面的至少角部不固定在固定构件的表面上。 在该半导体器件中，当半导体器件的温度变化时，更容易发生热应力的固定部件和半导体元件的角部彼此不固定。 因此，能够降低半导体元件的热应力。 通过简单地使用固定部件和半导体元件的角部彼此不固定的结构，也可以抑制半导体器件的尺寸的增大。

公开(公告)号：WO2014140811A2

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：PCT/IB2014/000828

申请日：2014-03-14

申请人： COOLEDGE LIGHTING INC.

发明人： TISCHLER, Michael, A.

IPC分类号： H01L33/64

CPC分类号： H01L33/642 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13186 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2224/14505 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

摘要： In accordance with certain embodiments, heat-dissipating elements are integrated with semiconductor dies and substrates in order to facilitate heat dissipation therefrom during operation.

摘要翻译： 根据某些实施例，散热元件与半导体管芯和衬底集成，以便于在操作期间散热。

公开(公告)号：WO2014133124A1

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：PCT/JP2014/055035

申请日：2014-02-28

申请人： 積水化学工業株式会社

发明人： 石田　浩也 ,  松下　清人

IPC分类号： H01B5/00 ,  B22F1/02 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/16 ,  H01R11/01

CPC分类号： H01B1/22 ,  B22F1/025 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/262 ,  C22C13/00 ,  C23C18/1635 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C25D5/12 ,  H01B1/02 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29411 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/29457 ,  H01L2224/29464 ,  H01L2224/29466 ,  H01L2224/29469 ,  H01L2224/29481 ,  H01L2224/29487 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/834 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3651 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/0218 ,  H05K2201/0221 ,  H05K2203/0425 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05342 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029

摘要： 本発明は、落下等による衝撃が加わっても電極と該導電性微粒子との接続界面の破壊による断線が生じにくく、加熱と冷却とを繰返し受けても疲労しにくい導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、導電接続構造体を提供することを目的とする。 本発明は、樹脂又は金属からなるコア粒子の表面に、少なくとも導電金属層、バリア層、銅層、及び、錫を含有するハンダ層がこの順に積層された導電性微粒子であって、前記銅層とハンダ層とが直接接しており、前記ハンダ層中に含まれる錫に対する前記ハンダ層に直接接する銅層における銅の比率が０．５～５重量％である導電性微粒子である。

摘要翻译： 本发明的目的是提供以下：由于电极和导电性微粒之间的连接界面的破坏而不太可能断开的导电性微粒，即使存在来自坠落等的影响 并且即使在反复加热和冷却时也不容易疲劳; 使用导电性微粒的各向异性导电材料; 和导电连接结构。 本发明是导电性微粒，其中至少导电金属层，阻挡层，铜层和含有锡的焊料层依次层叠在由树脂或金属构成的芯粒子的表面上，其中铜 层和焊料层直接接触，并且与焊料层中包含的锡直接接触的铜层中的铜的比例为0.5〜5重量％。

公开(公告)号：WO2014112167A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：PCT/JP2013/078054

申请日：2013-10-16

申请人： 株式会社村田製作所

发明人： 伊藤　悟志

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/014

摘要： 　配線基板と該配線基板に実装される電子部品との接続信頼性の向上を図ることができるモジュールを提供することを目的とする。　モジュール１は、配線基板２と、該配線基板２の一方主面に実装された電子部品３と、配線基板２の一方主面の全面に渡って形成されるとともに、配線基板２の一方主面と電子部品３との隙間を埋めるように形成されたアンダーフィル樹脂層４と、アンダーフィル樹脂層４および電子部品３を被覆するように形成されたモールド樹脂層５とを備え、アンダーフィル樹脂層４が、その粒径が配線基板２の一方主面と電子部品３との間隔よりも小さいフィラーを含有する樹脂により形成されている。

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种能够提高布线基板与安装在布线基板上的电子部件之间的连接可靠性的模块。 模块（1）具有：布线板（2）; 安装在所述布线板（2）的一个主表面上的电子部件（3）; 形成在布线基板（2）的一个主面的整个表面上的填充树脂层（4），以填充布线板（2）的一个主表面与电子部件 （3）; 以及形成为覆盖底部填充树脂层（4）和电子部件（3）的模制树脂层（5）。 底部填充树脂层（4）由包含粒径小于布线基板（2）的一个主面与电子部件（3）之间的距离的填料的树脂形成。

公开(公告)号：WO2014094436A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/CN2013/080708

申请日：2013-08-02

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 贠伦刚 ,  黄安 ,  田鹏博

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L23/66 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/2733 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014

摘要： 提供一种金/硅共晶芯片焊接方法及晶体管，用来解决现有金/硅共晶焊接方法中由于芯片载体上电镀金层较厚造成的晶体管成本上升的技术问题。该金/硅共晶芯片焊接方法包括：在芯片载体（21）的表面电镀厚度小于等于1微米的金层；在焊接区域（22）的金层上键合多个金凸起（25）；在共晶温度下将芯片在焊接区域（22）进行摩擦形成焊接层。晶体管包括芯片、芯片载体（21）和连接芯片和芯片载体（21）的中间层，焊中间层为利用前述焊接方法获得的焊接层。该方法较大程度上减少了金的用量，降低了金/硅共晶焊的成本，也相应降低了晶体管的成本。

公开(公告)号：WO2014080476A1

公开(公告)日：2014-05-30

申请号：PCT/JP2012/080185

申请日：2012-11-21

申请人： 三菱電機株式会社 ,  松本 貴之 ,  大西 啓太 ,  古賀 万寿夫

发明人： 松本　貴之 ,  大西　啓太 ,  古賀　万寿夫

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/10 ,  H01L23/12 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/544 ,  H01L23/60 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/8513 ,  H01L2224/85132 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 　絶縁基板（１）の配線パターン（２）上にはんだ付け部（４）とＮｉめっきマーク（５）をめっきにより同時に形成する。絶縁基板（１）上に半導体チップ（６）を実装する。Ｎｉめっきマーク（５）により絶縁基板（１）の位置を認識して半導体チップ（６）にワイヤ（７）をボンディングする。はんだ付け部（４）に電極（８）をはんだ（９）により接合する。絶縁基板（１）、半導体チップ（６）、ワイヤ（７）、及び電極（８）を封止材（１３）により封止する。

摘要翻译： 使用电镀在绝缘基板（1）的布线图案（2）上同时形成焊接部件（4）和镀镍标记（5）。 半导体芯片（6）安装在绝缘基板（1）上。 通过镀镍标记（5）识别绝缘基板（1）的位置，并且将导线（7）接合到半导体芯片（6）。 电极（8）用焊料（9）连接到焊接部件（4）。 绝缘基板（1），半导体芯片（6），导线（7）和电极（8）用密封材料（13）密封。

公开(公告)号：WO2014070534A2

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：PCT/US2013/066266

申请日：2013-10-23

申请人： RAYTHEON COMPANY

发明人： GOOCH, Roland ,  DIEP, Buu ,  KOCIAN, Thomas Allan ,  BLACK, Stephen H. ,  KENNEDY, Adam M.

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/544

CPC分类号： B81B7/0041 ,  B81B7/007 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L23/053 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83141 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： A method of forming a wafer level packaged circuit device includes forming a device wafer, the device wafer including a first group of one or more material layers left remaining in a first region of a substrate of the device wafer; and forming a cap wafer configured to be attached to the device wafer, the cap wafer including a second group of one or more material layers left remaining in a second region of a substrate of the cap wafer; wherein a combined thickness of the first and second groups of one or more material layers defines an integrated bond gap control structure upon bonding of the device wafer and the cap wafer.

摘要翻译： 一种形成晶片级封装电路器件的方法包括形成器件晶片，器件晶片包括残留在器件晶片的衬底的第一区域中的第一组一个或多个材料层; 以及形成被配置为附接到所述器件晶片的盖晶片，所述盖晶片包括留在所述盖晶片的衬底的第二区域中的第二组一个或多个材料层; 其中一个或多个材料层的所述第一和第二组的组合厚度在所述器件晶片和所述盖晶片接合时限定了整合的接合间隙控制结构。

公开(公告)号：WO2014069546A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：PCT/JP2013/079468

申请日：2013-10-30

申请人： デクセリアルズ株式会社

发明人： 森田　恵介 ,  須永　友康

IPC分类号： C08G59/32 ,  C08G59/42 ,  C08L63/00 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J163/00 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/00 ,  H01B5/16 ,  H01L33/60

CPC分类号： H01L24/29 ,  C08G59/306 ,  C08G59/3281 ,  C09J9/02 ,  H01B1/128 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 熱硬化性樹脂組成物は、式（１）で表されるエポキシ基含有シロキサン化合物と、エポキシ樹脂用硬化剤とを含有する。式（１）中、置換基Ｒは独立的にアルキル基又はフェニル基である。連結基Ａは、独立的に２価の炭化水素基である。置換基Ｒ１及びＲ２は、独立的にエポキシ基含有有機基、アルキル基又はアリール基であるが、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方がエポキシ基含有有機基である。

摘要翻译： 这种热固性树脂组合物包含由式（1）表示的含环氧基的硅氧烷化合物和环氧树脂固化剂。 在式（1）中：取代基R独立地表示烷基或苯基; 连接基团A独立地表示二价烃基; 取代基R 1和R 2独立地表示含环氧基的有机基团，烷基或芳基，但R 1和R 2中的至少一个表示含环氧基的有机基团。