公开(公告)号：CN104051382A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310294054.9

申请日：2013-07-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李建勋 ,  郑荣伟 ,  侯皓程 ,  王宗鼎 ,  吴俊毅 ,  宋明忠

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/603

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明提供了层叠封装结构及其形成方法，该方法包括压印底部封装件的焊球，其中在压印步骤之后，焊球的顶面变平。焊球模制在模制材料中。焊球的顶面通过模制材料中的沟槽露出。

公开(公告)号：CN103378040A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310002713.7

申请日：2013-01-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王宗鼎 ,  林鸿仁 ,  吴俊毅 ,  李明机 ,  李建勋

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/4824 ,  H01L21/563 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/528 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16056 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体器件封装件及半导体器件封装方法。在一种实施例中，由于半导体器件的封装件包括衬底以及设置在衬底的第一表面上的接触焊盘。接触焊盘具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧。导电线路连接至接触焊盘的第一侧，并且导电线路的延伸部连接至接触焊盘的第二侧。多个接合焊盘设置在衬底的第二表面上。

公开(公告)号：CN103378037A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210461253.X

申请日：2012-11-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  蔡豪益 ,  李建勋 ,  刘重希 ,  陈宪伟

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02165 ,  H01L2224/02335 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 用于焊料连接的方法和装置。一种装置包括在表面上具有导电终端的衬底；位于衬底的表面和导电终端的上方的钝化层；位于钝化层中的暴露出导电终端的一部分的开口；接合至开口中的导电终端并在垂直于衬底的表面的方向上延伸的至少一个柱形凸块；以及在开口中的导电终端上形成的并围绕所述至少一个柱形凸块的焊料连接件。本发明还公开了用于形成焊料连接的方法。

公开(公告)号：CN103219316A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201210468976.2

申请日：2012-11-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林鸿仁 ,  王宗鼎 ,  李建勋 ,  吕文雄 ,  郑明达 ,  刘重希

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/566 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03612 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/21 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了封装组件和形成封装组件的方法，其中，该封装组件包括通过互连接合结构电连接至衬底的半导体管芯。半导体管芯包括上覆半导体衬底的凸块以及上覆半导体衬底并与凸块的第一部分物理接触的模塑料层。衬底包括位于导电区域上的不流动底部填充层。凸块的第二部分与不流动底部填充层物理接触以形成互连接合结构。

公开(公告)号：CN102005440B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201010266338.3

申请日：2010-08-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王宗鼎 ,  李柏毅 ,  李建勋

IPC分类号： H01L25/03 ,  H01L21/98 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/97 ,  B32B37/02 ,  B32B38/0004 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/67005 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明一实施例提供一种集成电路结构及其形成方法，该集成电路结构包括：一底裸片；一顶裸片，接合至该底裸片，其中该顶裸片具有一尺寸，小于该底裸片的一尺寸；以及一封装化合物，位于该顶裸片及该顶裸片之上，其中该封装化合物延伸至接触该顶裸片的边缘，且其中该底裸片的边缘垂直对齐于该封装化合物的相应边缘。本发明可缩减封装尺寸，且也可减少工艺时间与成本。

公开(公告)号：CN101924088B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010141707.6

申请日：2010-03-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李明机 ,  李建勋 ,  余振华 ,  郑心圃 ,  古进誉

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明为一种集成电路结构，包含半导体基板、聚亚酰胺层、凸块下金属层、第一焊接凸块以及第二焊接凸块，其中聚亚酰胺层位于半导体基板之上；凸块下金属层包含第一区块与第二区块，其中第一区块位于聚亚酰胺层之上，第二区块与聚亚酰胺层位于同一平面；第一焊接凸块与第二焊接凸块形成于聚亚酰胺层之上，且第一焊接凸块与第二焊接凸块两者的间距不超过150微米，其中凸块下金属层的第一宽度为前述间距的一半再加上一大于5微米的长度。

公开(公告)号：CN101924042B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201010143362.8

申请日：2010-03-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 萧景文 ,  李柏毅 ,  王宗鼎 ,  卿凯明 ,  陈承先 ,  李建勋 ,  赵智杰

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种裸片堆叠结构的形成方法。该方法包括如下步骤：多个裸片分别接合至晶片的第一表面上的多个半导体芯片之一。在多个裸片及晶片的第一表面上形成有封装结构。封装结构覆盖该晶片的中心部分的第一表面，并露出该晶片的边缘部分。保护材料则形成于晶片的第一表面的边缘部分上。本发明的形成方法使晶片中较脆弱的层状结构如低介电常数层较不会产生碎裂、剥离、或分层等现象，可大幅提升封装工艺的合格率。

公开(公告)号：CN101409266B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200810096909.6

申请日：2008-05-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李新辉 ,  李明机 ,  李建勋

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/31 ,  H01L23/48 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  B81B7/00

CPC分类号： H01L23/4334 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/03

摘要： 本发明涉及一种封装结构，至少包括：散热装置；位在散热装置上的裸片，其中裸片具有第一表面，以及与第一表面相对的第二表面；邻接裸片的第一表面及散热装置的粘合层；以及封装材料，位在散热装置上，且环绕所述的裸片。其中封装材料的所有边缘分别与散热装置的每一边缘具有共同的界线。封装材料的底面邻接于散热装置的顶面。封装结构还至少包括多个传导连接装置，位在裸片的第二表面上。

公开(公告)号：CN101656197A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200910000421.3

申请日：2009-01-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王宗鼎 ,  陈承先 ,  卿恺明 ,  李柏毅 ,  李建勋

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/187 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明提出了键合半导体衬底的系统和方法。优选的实施例包括在半导体衬底的表面之上形成过渡层，同时为了防止可能形成的潜在的空隙，保留从过渡层突出的TSV。在将被键合到第一半导体衬底的另一个半导体衬底上形成保护层。两个衬底被对准并键合到一起，并且过渡层防止与初始半导体衬底的表面发生任何短路接触。

公开(公告)号：CN101436559A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810086303.4

申请日：2008-03-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王忠裕 ,  李建勋 ,  曹佩华 ,  张国钦 ,  林忠毅 ,  江浩然

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括在半导体衬底的第一表面形成至少一柱电极，其中每一柱电极包括两个以上柱状物的阵列，柱电极电连接至半导体衬底的线路层，沉积缓冲层于第一表面上，缓冲层密封阵列，移除部分的缓冲层及部分的柱电极，而使柱电极的上表面低于残余的缓冲层的上表面，沉积导电覆盖层于柱电极的上表面上，其中导电覆盖层低于残余的缓冲层的上表面，以及放置焊球于导电覆盖层上，其中焊球与导电覆盖层之间的焊接点低于残余的缓冲层的上表面。本发明能够增进WLCSP中的焊球接点的可靠度。