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公开(公告)号：CN102244019A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010266857.X
申请日：2010-08-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/03424 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/05559 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/1148 , H01L2224/1161 , H01L2224/11616 , H01L2224/11831 , H01L2224/13005 , H01L2224/13022 , H01L2224/1308 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/206 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。该制造方法包括在一封盖(encapsulating)层上方形成一凸块下金属(under-bump metallurgy，UBM)层，接着在封盖层的开口内的凸块下金属层上形成一凸块(bump)层。在从封盖层的上表面去除多余的凸块层材料之后，去除封盖层直至凸块层的一顶部突出于封盖层的上表面。本发明可避免UBM底切问题。
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公开(公告)号：CN101211798A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710112022.7
申请日：2007-06-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/12 , H01L24/11 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05572 , H01L2224/056 , H01L2224/11462 , H01L2224/11472 , H01L2224/11831 , H01L2224/131 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014
摘要： 本发明揭示一种焊料凸块结构以及在半导体元件上制作焊料凸块结构的方法。在一实施例中，首先提供半导体衬底，其上具有接合垫以及位于接合垫上的保护层，其具有露出部分接合垫的开口。在接合垫与保护层上形成第一凸块底层金属。在第一凸块底层金属上设置掩模层，其具有露出部分第一凸块底层金属的开口。蚀刻掩模层，以在第一凸块底层金属与掩模层之间的边缘形成凹陷。在掩模层的开口中形成第二凸块底层金属，使第二凸块底层金属填入凹陷与部分的掩模层开口。本发明能够减少焊料凸块结构的底切程度，因此凸块底层金属之间相对不易受损，由此提高了焊料凸块结构的可靠度。
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公开(公告)号：CN1779959A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510114180.7
申请日：2005-10-26
申请人： 精工爱普生株式会社
发明人： 田中秀一
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/28
CPC分类号： H01L23/562 , G02F1/13458 , H01L21/563 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L24/91 , H01L2224/0231 , H01L2224/02313 , H01L2224/0233 , H01L2224/0236 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/11831 , H01L2224/13016 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/1319 , H01L2224/13624 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/13666 , H01L2224/13671 , H01L2224/13684 , H01L2224/16225 , H01L2224/27825 , H01L2224/27831 , H01L2224/29008 , H01L2224/29013 , H01L2224/29017 , H01L2224/29023 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/29563 , H01L2224/2957 , H01L2224/29582 , H01L2224/29624 , H01L2224/29644 , H01L2224/29647 , H01L2224/29655 , H01L2224/29664 , H01L2224/29666 , H01L2224/29671 , H01L2224/29684 , H01L2224/29695 , H01L2224/30155 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01066 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/01084
摘要： 一种半导体装置，具备：半导体元件，在所述半导体元件上形成的电极焊盘，与所述电极焊盘导电连接的凸块电极；所述凸块电极，具备在所述半导体元件的有源面上形成的树脂突起，和从所述电极焊盘到所述树脂突起的表面配置的导电膜；所述导电膜和所述树脂突起，被非贴紧地配置的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1067138A
公开(公告)日：1992-12-16
申请号：CN92103441.5
申请日：1992-05-09
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05171 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/114 , H01L2224/1147 , H01L2224/11472 , H01L2224/116 , H01L2224/11831 , H01L2224/11902 , H01L2224/13007 , H01L2224/13012 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13023 , H01L2224/13078 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/1403 , H01L2224/14141 , H01L2224/45124 , H01L2224/48744 , H01L2224/8159 , H01L2224/816 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H05K1/0271 , H05K3/3436 , H05K3/4007 , H05K2201/0347 , H05K2201/0367 , H05K2201/10848 , H05K2203/0577 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/48 , H01L2224/83851
摘要： 提供一种电子零件装配模件，它具有配线底板和通过该配线底板上的多个凸起电极群连接的电子零件或半导体元件，连接电子零件的上述多个凸起电极群中2个以上凸起电极在与电子零件的连接面和与底板的连接面之间有缩颈部，该缩颈部的横截面的纵向尺寸和横向尺寸或短径和长径不同，同时缩颈部的横向或长径沿电子零件的外周或边配置，用印刷导电性粘合剂的方法将相对配置的电子零件和配线底板同导电性凸起电极连接起来。
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公开(公告)号：CN106206529B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201510221086.5
申请日：2015-05-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/105 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/04105 , H01L2224/1133 , H01L2224/1182 , H01L2224/11831 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48229 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81801 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2224/83 , H01L2224/48227 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要： 本发明提供了一种半导体器件和制造方法。放置与所述通孔电连接的可回流材料，其中，通孔延伸穿过密封剂。在可回流材料上方形成保护层。在实施例中，在保护层内形成开口以暴露可回流材料。在另一实施例中，形成保护层从而使得可回流材料延伸为远离保护层。本发明涉及半导体器件和制造方法。
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公开(公告)号：CN106158781A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610769934.0
申请日：2010-11-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L25/065 , H01L23/488 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/16 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/05017 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05568 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/1146 , H01L2224/11823 , H01L2224/11831 , H01L2224/1191 , H01L2224/13005 , H01L2224/13018 , H01L2224/13019 , H01L2224/13076 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/81193 , H01L2224/81345 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , Y10T428/12361 , Y10T428/12396 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/206 , H01L2224/05552
摘要： 本发明提供一种微凸块接合装置，包括一工件，其包括一金属凸块；以及一介电层，其具有位于上述金属凸块正上方的一部分。上述金属凸块和上述介电层的上述部分的一表面形成一介面。一金属表面处理物形成于上述金属凸块的上方且接触上述金属凸块。上述金属表面处理物从上述介电层的上方延伸上述介面的下方。通过本发明实施例的接合结构，可强化现有技术的弱点，且可改善接合结构的可靠度。
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公开(公告)号：CN105895580A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610514383.3
申请日：2016-06-30
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人： 伍恒
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/768 , H01L21/76838 , H01L21/7684 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L2224/11831 , H01L2224/81931
摘要： 本发明涉及一种半导体封装金属互连结构的制作工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）在基板上制作粘附层、种子层和光刻胶，在光刻胶上制作RDL层电镀窗口；（2）在RDL层电镀窗口电镀金属铜；（3）去除光刻胶；（4）刻蚀掉粘附层和种子层；（5）对金属铜进行刻蚀，使金属铜的高度一致。所述金属铜进行刻蚀工艺时采用倒置基板的刻蚀方式，让刻蚀液先接触最高的金属铜的凸起部分，进行逐次刻蚀，达到所需的金属铜的高度，使金属铜高度一致。本发明解决了金属层高度不一的问题，且工艺与现有工艺有较好的兼容性，实施起来方便易行。
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公开(公告)号：CN105632953A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610083738.8
申请日：2010-08-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/03424 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/05559 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/1148 , H01L2224/1161 , H01L2224/11616 , H01L2224/11831 , H01L2224/13005 , H01L2224/13022 , H01L2224/1308 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/206 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。该制造方法包括：提供具有一金属垫区的一半导体基底；在该半导体基底上形成一封盖(encapsulating)层，其中该封盖层具有一开口露出该金属垫区的一部分；在该封盖层的该开口内露出的该金属垫区的该部分上形成一凸块下金属层(under-bump metallurgy,UBM)；在该凸块下金属层上形成一凸块(bump)层，以填入该封盖层的该开口且延伸至该封盖层的一上表面；自该封盖层的该上表面去除该凸块层；去除该封盖层的该上表面，直至该凸块层的一顶部突出于该封盖层；以及进行一缓冲工艺，以轻微研磨该半导体基底，使该封盖层的厚度达到最终目标厚度。本发明可避免UBM底切问题。
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公开(公告)号：CN102820290B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201210159141.9
申请日：2012-05-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L24/11 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/04 , H01L25/50 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05184 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05686 , H01L2224/10145 , H01L2224/10156 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/11831 , H01L2224/13017 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13565 , H01L2224/13578 , H01L2224/13686 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/3651 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01047 , H01L2924/049 , H01L2924/053 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及封装集成电路的连接件设计，其中涉及一种器件，该器件包括具有顶面的顶部介电层。金属柱具有位于顶部介电层的顶面上方的部分。非润湿的层形成在金属柱的侧壁上，其中，非润湿的层不可被熔化的焊料湿润。焊料区域被设置在金属柱上方并且与其电连接。
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公开(公告)号：CN103123917B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210052495.3
申请日：2012-02-13
申请人： 南茂科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/034 , H01L2224/03602 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05073 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05172 , H01L2224/05184 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/1148 , H01L2224/11831 , H01L2224/1184 , H01L2224/11845 , H01L2224/13022 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
摘要： 本发明关于一种用于一半导体芯片的导电结构及其形成方法，半导体芯片包含一半导体基材、一衬垫、一保护层及一图案化绝缘层，图案化绝缘层设置于保护层上并局部且直接覆盖于衬垫的一第一开口上以使衬垫暴露出一第二开口，其中第一开口大于第二开口。导电结构包含一凸块下金属层及一导电凸块，凸块下金属层设置于图案化绝缘层所形成的第二开口内并与衬垫电性连接，导电凸块设置于凸块下金属层上并与凸块下金属层电性连接。其中，导电凸块的一上表面高于图案化绝缘层的一上表面，并且导电凸块位于第二开口内的区域是被凸块下金属层所包覆。
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